公开(公告)号：CN118198210A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410282395.2

申请日：2024-03-13

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 李法健 ,  吴金凤

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B37/34

摘要： 本发明公开一种LED晶片减薄方法，包括：(1)在待减薄的晶片的电极面涂覆保护液。然后对得到的晶片进行甩干处理。(2)将晶片贴在陶瓷盘的蜡层上。然后把陶瓷盘放到上蜡机上，并盖上无尘纸。然后进行压片，完成后进行冷却。(3)所述冷却完成后剥离无尘纸，取下晶片后擦拭晶片去除表面残蜡。然后对晶片的衬底面进行研磨减薄。(4)将所述减薄后的晶片放在加热台上加热使蜡熔化，然后取下放入去蜡液中进行清洗去除残蜡。将去蜡后的晶片放入丙酮中进行再次清洗。完成后将晶片依次用乙醇、清水进行清洗，最后烘干。上述所述其够在研磨减薄后快速有效去除晶片表面的蜡，不影响减薄的最终精度，不产生裂片和暗裂纹，保证了产品的质量和良率。

公开(公告)号：CN111725059A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910216387.7

申请日：2019-03-21

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 吴金凤 ,  李法健 ,  肖成峰

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/82 ,  H01L33/00

摘要： 一种改善硅基LED芯片外观的分割方法，在对LED芯片切割前，先对正常工艺减薄后的LED芯片进行细磨，从而达到减少芯片翘曲度的目的，之后再结合刀轮切割和隐形激光切割相结合的方法，翘曲度减少后结合本分割办法进行分割，既能解决切割过程中的崩边（P面或N面）、崩角、产生毛刺等影响美观性的瑕疵，又能提高效率。

公开(公告)号：CN107538136A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710640452.X

申请日：2017-07-31

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 吴金凤 ,  李法健 ,  单立英 ,  赵霞焱 ,  肖成峰

IPC分类号： B23K26/364 ,  B23K26/53 ,  H01L33/00

摘要： 一种利用激光切割蓝宝石衬底LED芯片的方法，利用紫外激光划片机在晶圆有电极一面切割20-40μm深度的划槽、利用隐形激光划片机作用在所述晶圆内部，形成改质层：即通过调节隐形激光划片机的激光焦点深度使激光聚焦在晶圆的不同深度位置，形成不同改质层，借助改质层应力释放产生的裂纹能够连接在一起。将经本发明所述的方法加工后的蓝宝石衬底晶圆利用裂片机沿所述裂纹方向进行劈裂，使其分割成一个个独立的发光单元，即完成切割。本发明所述方法对厚度尺寸较大的蓝宝石衬底晶圆进行切割，能有效提升其切割成品率，避免切割后的芯片产生双晶、崩边、斜裂现象，有效的提高切割的芯片外观良率。

公开(公告)号：CN111900081B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN201910368071.X

申请日：2019-05-05

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 吴金凤 ,  李法健 ,  任忠祥

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B23K26/38

摘要： 本发明公开了一种硅基LED芯片的切割方法，对于硅基芯片，现在普遍用到得是刀轮切割，在使用刀轮切割时因硅材料很脆而且芯片正背面都会蒸镀比较厚的金属材料，这就使得其加工时刀片容易磨损易破碎，芯片会产生崩边(P面或N面)、崩角、毛刺等，严重影响芯片质量，降低良率；本发明中利用锯片机进行锯片切割，在P面切割出切割道后，隐形划片机直接沿着切割道进行激光切割，保证激光可以顺利穿透外延层，进入芯片内部并形成龟裂层，再利用裂片机施加外力裂片，不仅解决切割过程中的崩边(P面或N面)、崩角、毛刺等，还提高了芯片切割的效率，保证芯片良率；本发明的方法工艺合理，实用性强，具有很强市场应用前景。

公开(公告)号：CN111900080B

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN201910367739.9

申请日：2019-05-05

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 李法健 ,  闫宝华 ,  王成新

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B23K26/38

摘要： 本发明公开了一种LED芯片的切割方法，本发明采用紫外激光背面划片做标记同时利用激光高温汽化去除背面金属，采用锯片刀P面全半切和N面全切的方法，使芯片分割成为一个个个独立的晶粒，相比现有工艺从P面直接切透或最终使用裂片机劈裂，既消除了锯片刀直接切割金属造成刀刃磨损产生崩边和使用裂片机的机械压力带来的斜裂、崩边等外观异常，同时从背面全切割能增大发光面积。此种方法是一种即能改善切割外观又能够增大LED发光面积提高亮度的切割方法。本发明工艺简单，参数设置合理，不仅能改善切割外观，提高芯片良率，同时又增大了LED发光面积，提高亮度，具有较好的实用性和工业推广性。

公开(公告)号：CN105226143A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510629523.7

申请日：2015-09-29

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 郑军 ,  李法健 ,  齐国健 ,  刘琦 ,  徐现刚

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  B28D5/00

CPC分类号： H01L33/0062 ,  B28D5/00 ,  H01L21/78

摘要： 一种GaAs基LED芯片的切割方法，包括如下步骤：（1）P面半切，形成纵横交错的切割槽，将芯片P面电极等间距分隔开；（2）将芯片P电极向下朝向白膜，N电极向上，贴在白膜上；（3）沿P面半切的切割槽进行芯片N面划片，释放芯片N面应力；（4）将划过的芯片进行倒膜，芯片由白膜转移到蓝膜上；（5）在芯片N面用裂片机的劈刀沿划痕进行裂片，芯片被加工成独立的晶粒。本发利用改善后的贴片方法，采用锯片机与激光划片机优势互取的组合切割方法，最大限度释放了芯片P面应力和N面应力，并减小了贴膜时带来的形变应力影响，由此减少了芯片切割后容易出现的崩边、裂管芯现象，提高了芯片切割后的外观质量。

公开(公告)号：CN117226612A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311434679.0

申请日：2023-11-01

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 闫宝华 ,  李法健

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B7/22 ,  B24B41/00 ,  B24B41/06 ,  B24B55/06 ,  B24B55/02

摘要： 本发明涉及一种改善研磨后晶片衬底碎屑粘附的方法，属于半导体器件加工技术领域。将减薄后的晶片先放入去屑装置，去屑装置包括微孔盘和旋转盘，去屑时，将晶片吸附在微孔盘上，然后使晶片接触旋转盘下侧的锥形软塑，微孔盘与旋转盘的间隙内注入碳酸钠溶液，旋转盘转动，利用锥形软塑刮除晶片表面碎屑，然后对晶片进一步清洗，本发明能够在研磨减薄后快速有效去除衬底表面粘附的碎屑，增加衬底与蒸镀金属的粘附性，工艺简单，操作方便，效率高，广泛适用于适GaAs砷化镓基、硅基及其它制备LED衬底的晶片。

公开(公告)号：CN116175791A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202111418682.4

申请日：2021-11-26

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 李法健 ,  吴金凤 ,  吴向龙 ,  闫宝华

IPC分类号： B28D5/00 ,  H01L21/78 ,  H01L33/00

摘要： 本发明涉及一种切割LED晶片的裂片方法，属于LED芯片技术领域。包括步骤如下：(1)将晶片放在贴膜机上进行贴膜作业；(2)将步骤(1)所得晶片放入划片机中，校准水平，画定切割行列，划片机在晶片表面形成划痕；(3)在晶片有电极一面贴一层离子导电膜；(4)将待裂晶片放进工装底座中，然后将工装底座放入裂片机，进行裂片作业，裂片时劈刀下压量调至6‑7um；(5)裂片完成后，将工装底座从裂片机中取出，进行分离作业；(6)开启气体反吹，使蓝膜鼓起向上，晶片完全分离。本发明可以在裂片时减少裂片机劈刀的下压量，避免劈刀下压量过大造成的切割不良，同时避免裂片完成后，因LED晶片之间有黏连，造成扩膜后出现双晶，影响产品良率。

公开(公告)号：CN115498076A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211003243.1

申请日：2022-08-22

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 李法健 ,  吴金凤 ,  吴向龙 ,  闫宝华

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

摘要： 本发明公开了一种改善LED晶片翘曲度的切割方法，涉及LED芯片技术领域，具体一种改善LED晶片翘曲度的切割方法，所述LED晶片翘曲度的切割方法包括有晶片减薄加工、晶片与芯片贴合加工、晶片一次切割加工、晶片蒸镀加工、晶片贴膜加工、晶片二次切割加工、晶片翻膜加工和晶片扩膜加工。该改善LED晶片翘曲度的切割方法，通过降低晶片的翘曲度，实现减少作业过程中的裂片率，降低裂片损失，使得晶片在切割的过程中不损伤背面，减少切割过程中的崩角损失，提高切割良率，同时本发明减少蒸镀N面金属过程中的翘曲度，在蒸镀过程中能使晶片更好的与蒸镀盘面接触，减少蒸镀过程后对AL电极的外观影响。

公开(公告)号：CN114664984A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210321794.6

申请日：2022-03-25

申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司

发明人： 徐盼盼 ,  闫宝华 ,  齐国健 ,  李法健

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/683

摘要： 本发明公开一种芯片切割后处理方法，包括如下步骤：(1)将电极面贴覆了白膜的芯片沿着电极面垂直方向及平行方向划片。(2)去除芯片电极面上的白膜，然后在芯片的非电极面贴上白膜，沿着所述非电极面垂直方向及平行方向划片，并保留非电极面上的白膜。(3)沿着芯片的电极面切割道中心对芯片进行垂直方向及平行方向劈裂。(4)清洗劈裂完成的芯片，然后对白膜进行微括处理，完成后对芯片进行倒膜，使芯片非电极面朝向蓝膜粘贴面；然后对芯片进行加热扩膜，即可。本发明的方法解决了切割后芯片崩边、崩角、残胶污染的问题，显著提升了切割良率。同时，该方法无需增加额外设备及材料，易于工业化实现。