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公开(公告)号：CN118486767A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410680115.3
申请日：2024-05-29
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种有效改善LED芯片切割表面污染的方法，属于LED芯片切割技术领域。步骤包括贴双面粘性胶带、芯片绑定、贴膜、烘烤、切割、二流体清洗、扩膜、芯片解绑定和外观检验，本发明通过对芯片正面保护，避免切割过程中，芯片表面与切割碎屑的直接接触，有效改善残留碎屑污染的问题，切割后的芯片表面外观洁净，有效降低了污染的发生，提升芯片外观洁净度的同时提高了芯片后续焊线的可靠性，并同时可以切割作业2片，大幅提高切割效率。
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公开(公告)号：CN107068820B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710398203.4
申请日：2017-05-31
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，包括如下步骤：a)利用锯片在LED芯片表面进行半切；b)对半切后的LED芯片进行烘烤；c)对烘烤后的LED芯片进行蓝膜贴膜；d)将蓝膜贴膜后的LED芯片进行二次烘烤；e)将二次烘烤后的LED芯片进行全切；f)将全切后的LED芯片清洗后进行扩膜。借助加热器对芯片贴膜前进行烘烤，有效释放芯片自身应力，降低芯片自身的形变张力。同时通过对贴膜后的芯片连带蓝膜一起进行烘烤，提高了蓝膜的延展性，使膜彻底舒张开，提高蓝膜的粘性。有效改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，作业简单且实效性高，有效解决掉管芯的问题，提高产品产出率。
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公开(公告)号：CN116722086A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310634432.7
申请日：2023-05-31
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种改善LED芯片切割污染的方法，属于LED芯片切割领域，包括：将掩膜版覆盖在待切割的LED芯片上，掩膜版覆盖在芯片上后单个晶粒漏出，晶粒之间的切割道被覆盖；将覆盖掩膜版的LED芯片表面再涂覆一层保护液，然后去掉掩膜版；将涂覆保护液的芯片正面电极向下，背面电极向上放置在贴膜机台面上进行贴膜，芯片贴附在蓝膜上；将贴膜后的芯片放置在锯片机工作盘上，进行全切透作业；对切割后的芯片进行清洗、扩膜；检验。本发明在芯片切割前涂覆一层水溶性的保护液，通过给芯片增加一层保护膜来改变切割过程中芯片表面的残留碎屑污染的问题，有效保证了切割后芯片表面的外观洁净度，提高了产品后续焊线的牢固度，提升产品良率。
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公开(公告)号：CN117080854A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311035622.3
申请日：2023-08-17
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01S5/00
摘要： 本发明公开一种LED芯片测试后参数分档画片的方法，包括：(1)将LED芯片通过测试机进行测试，然后输出包含芯片光电参数的CSV结果及带有该芯片上每个晶粒坐标的CCD影像图。将该CCD影像图再次导入测试机中，并设定CSV结果中异常晶粒的参数范围。然后所述测试机利用CCD影像图上的坐标点对异常晶粒进行喷胶。(2)将所述喷胶后芯片进行烘烤；然后进行切割形成独立的管芯晶粒。(3)在切割后的所述芯片表面覆盖蓝膜进行翻膜作业，利用所述异常晶粒上的胶与蓝膜接触时两者间更强的粘附性，将异常晶粒剔除下来，而正常晶粒保留在蓝膜上，即得。本发明的上述方法能够有效提高参数分档画片的作业效率及异常参数芯片剔除的准确性。
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公开(公告)号：CN107068820A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710398203.4
申请日：2017-05-31
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/78
摘要： 一种改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，包括如下步骤：a)利用锯片在LED芯片表面进行半切；b)对半切后的LED芯片进行烘烤；c)对烘烤后的LED芯片进行蓝膜贴膜；d)将蓝膜贴膜后的LED芯片进行二次烘烤；e)将二次烘烤后的LED芯片进行全切；f)将全切后的LED芯片清洗后进行扩膜。借助加热器对芯片贴膜前进行烘烤，有效释放芯片自身应力，降低芯片自身的形变张力。同时通过对贴膜后的芯片连带蓝膜一起进行烘烤，提高了蓝膜的延展性，使膜彻底舒张开，提高蓝膜的粘性。有效改善GaAs基LED芯片切割过程中掉管芯的方法，作业简单且实效性高，有效解决掉管芯的问题，提高产品产出率。
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