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公开(公告)号：CN110098298B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810083553.6
申请日：2018-01-29
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L33/36
摘要： 一种GaN基LED晶片金属电极图形制作方法，包括如下步骤：a)制备生长完成外延层的GaN基外延片；b)在P型GaN层上利用电子束蒸发台生长ITO层；c)蒸镀一层氯化铯层；d)制作电极掩膜图形；e)蒸镀金属电极；f)制作金属电极图形。使用镀膜机蒸镀的氯化铯层作为电极掩膜图形，只需要将制作完成金属膜层的氯化铯掩模图形放置到水里，氯化铯会吸水自动形成紧密的球状体，使整个氯化铯层与P型氮化镓之间以及与金属膜层之间的粘附性大大降低，通过超声处理，氯化铯会脱离ITO层表面，再使用粘性膜覆盖，很容易将整个氯化铯层除掉，间接的除掉氯化铯上的金属，从而剥离金属，得到完整的电极图形。
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公开(公告)号：CN109326700B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710644313.4
申请日：2017-07-31
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 一种GaN基LED电极结构及其制作方法，是在ITO电流扩展层上设置有P电极，n型GaN层的台面上设置有N电极；P电极和N电极的结构是自下至上依次包括第一Cr层、第一Al层、Ti层、Au层、第二Cr层和第二Al层；其制作方法包括以下步骤：（1）制作ITO薄膜层，刻蚀n型GaN层台面；（2）制作光刻电极图形，以形成包覆式电极结构；（3）制作电极结构。本发明通过对适宜光刻胶图形倒角的控制，来实现包覆式电极结构，通过合理的电极结构设计在保证电极良好粘附性的同时，使管芯发光效率得到大幅度提升，并且整个电极结构设计简单，全部使用常规蒸镀材料，整个制作过程时间较短，耗用成本较低，适用于所有GaN基LED管芯的规模化制作。
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公开(公告)号：CN109755367A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201711081003.2
申请日：2017-11-07
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 一种反极性AlGaInP四元LED芯片的粗化方法，包括如下步骤：a)腐蚀掉GaAs衬底，并腐蚀掉外延生长的阻挡层GaInP；b)蒸镀一层GeAu膜，光刻制得欧姆接触电极图形；c)去除正性光刻胶，制得N面欧姆接触图形；d)通过光刻制得粗化保护图形；e)形成N型粗化层；f)对N型AlGaInP层进行湿法粗化，去除正性光刻胶，制得N型AlGaInP粗化表面。通过先将键合完成的AlGaInP四元LED芯片的衬底、阻挡层全部腐蚀去除，再在表面蒸镀上一层GeAu膜作为N型欧姆接触电极，再在表面制备粗化保护图形，通过粗化保护图形的作用将无粗化保护的N型AlGaInP层通过ICP刻蚀、湿法粗化的方式进行表面粗化处理，避免了反极性AlGaInP四元LED芯片粗化效果不稳定的问题，增加了出光效率，提升了芯片的品质。
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公开(公告)号：CN109698261A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710989564.6
申请日：2017-10-23
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 一种LED晶片表面ITO膜层粗化的制作工艺，包括如下步骤：a)在LED芯片表面对ITO接触层的ITO膜层蒸镀；b)高温退火；c)在蒸镀后的ITO接触层上蒸镀ITO粗化层；d)对LED芯片的ITO粗化层进行粗化处理。通过进行两次蒸镀ITO，底层ITO膜层即ITO接触层在低速率、无氧环境下沉积的膜层表面较为光滑，整体颗粒较小，与外延层表面之间能够形成良好的接触，顶层ITO膜层即ITO粗化层在高速率、有氧环境下进行蒸镀，初步完成粗化过程，然后进行完全粗化形成ITO完全粗化层，实现了不同折射率ITO膜层的堆叠.这样，外延层、ITO接触层、ITO粗化层、空气之间折射率逐渐变化，能够更大幅度的增加整个LED管芯的出光效率，有益于整体亮度的提升。
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公开(公告)号：CN109698123A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201711010438.8
申请日：2017-10-24
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L33/00
摘要： 一种GaAs基LED晶片的衬底腐蚀方法，包括如下制作步骤：（1）GaAs衬底腐蚀；（2）水洗；（3）阻挡层去除；（4）水洗；（5）干燥。本发明通过氨水双氧水溶液的适当比例以及适当的角度调整，快速完成底层砷化镓的腐蚀，然后使用适当配比的稀盐酸溶液，通过合适时间的配合，完成阻挡层的腐蚀，整个过程快速有效，既完成了衬底的均匀有效腐蚀，又没有对其它结构产生影响。本发明方法整个过程制作效率较高，成本较低，缩短制程时间的同时减少了晶片表面的污，提高了整个晶片的良率。本发明方法，适合所有GaAs基LED晶片的衬底腐蚀制作。
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公开(公告)号：CN109326702A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201710644275.2
申请日：2017-07-31
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L2933/0016
摘要： 一种具有环形电极结构的LED芯片及其制备方法，该芯片是在p型GaN层上设置有透明导电层，透明导电层上设置有钝化层，n型GaN层上设置有环形台面，透明导电层上设置有p电极，环形台面上设置有n电极，n电极呈环形；上述芯片的制备方法包括以下步骤：（1）得到GaN基外延片；（2）采用环形结构的掩膜版刻蚀出环形台面；（3）形成透明导电层；（4）制作钝化层；（5）腐蚀钝化层；（6）在p型GaN层表面的钝化层上制备P电极，在环形台面上制备n电极。本发明通过采用环形电极结构，解决了P、N电极的高度差问题而易于焊线，减少了有源层的刻蚀面积，通过金属电极的反射作用，可以将电极周围的光进行反射，提高了亮度。
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公开(公告)号：CN108735868A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710279142.X
申请日：2017-04-25
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种GaN基LED包覆式电极结构的制作方法，属于半导体加工技术领域，包括以下具体步骤：1、第一次光刻电极图形制作；2、第一次电极蒸镀Cr、Al、Ti、Au；3、第二次光刻电极图形制作；4、氧气等离子体清洗；5、第二次电极蒸镀。本发明通过两次光刻电极图形和两次电极蒸镀，实现了包覆式电极结构的制作，通过电极双面反射，整个管芯的发光亮度极高；通过氧气等离子体的清洗，保证了电极整体稳定性。整个制作过程原理简单，通过本发明方法制作出的管芯，发光亮度较高，管芯焊线良率较高，电极整体稳定性好，本方法适用于所有GaN基LED管芯的制作，适用性广。
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公开(公告)号：CN108655101A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710198753.1
申请日：2017-03-29
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种红光GaAs晶片的清洗方法，属于半导体加工技术领域，包括以下基本步骤(1)用刀片沿解理边垂直方向匀速刮晶片表面；(2)擦片处理；(3)进行超声清洗；(4)使用去离子水冲洗；(5)用硫酸双氧水混合溶液进行清洗；(6)使用去离子水冲洗；(7)使用甩干机甩干或热氮烘干机烘干；利用本发明的方法和器具能有效去除GaAs晶片外延层表面的GaP的凸起缺陷，使表面平整光滑，有效降低后续光刻工步中因为接触式曝光而导致的裂片率高的情况，同时也可有效去除掉表面一些粘附性极强的有机物和脏污。
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公开(公告)号：CN108538980A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810666687.0
申请日：2018-06-25
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/36 , H01L2933/0016
摘要： 一种背面电流阻挡层的LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括外延层，外延层的正面设置有电极，外延层的背面设置有背金，外延层与背金之间设置有背面电流阻挡层，形成自上而下正面电极、外延层、背面阻挡层和背金的结构；其制备方法包括以下步骤：（1）对外延层的背面减薄；（2）在外延层的背面光刻出背面挖洞图形；（3）制备出背面空洞；（4）在整个外延层背面制备绝缘层；（5）对外延层的背面进行二次微减薄，背面空洞区域内的绝缘层作为背面电流阻挡层；（6）在外延层的正面蒸镀金属；（7）制备出正面电极；（8）在外延层的背面蒸镀一层ITO；（9）蒸镀背金；（10）合金。本发明能够有效提高电流扩展，提高LED芯片光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108508711A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201710113991.8
申请日：2017-02-28
申请人： 山东浪潮华光光电子股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42
摘要： 本发明涉及一种正性光刻胶的去除方法。该方法包括，将形成光刻有效电极图形后的LED晶片在无掩膜遮挡的情况下用紫外光曝光，将曝光完全的LED晶片置于显影液中，在超声条件下进行显影，通过超声震荡与曝光显影结合去除晶片表面残留的正性光刻胶。本发明能容易地彻底去除LED晶片上的正性光刻胶，同时LED基板材料损伤小，弱碱性显影液可以重复利用多次，保护环境同时降低了材料的消耗。
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