公开(公告)号：CN101978513B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200980109634.8

申请日：2009-03-19

Applicant: 岛根县 ,  株式会社岛根电子今福制作所

Inventor： 小松原聪 ,  福田健一 ,  大峠忍 ,  古田亨

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种能高亮度发光并轻量紧凑的半导体发光组件及其制造方法。在半导体发光组件(101)中，在金属薄板(102)上以围绕半导体发光元件(104)状形成成为反射构件的凸部(202)，半导体发光元件(104)和印刷电路板(103)例如用线201等连接。凸部(202)例如以从金属薄板(102)的背面压弯而形成围绕半导体发光元件(104)的周围且高于半导体发光元件(104)。

公开(公告)号：CN101978513A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109634.8

申请日：2009-03-19

Applicant: 岛根县 ,  株式会社岛根电子今福制作所

Inventor： 小松原聪 ,  福田健一 ,  大峠忍 ,  古田亨

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种能高亮度发光并轻量紧凑的半导体发光组件及其制造方法。在半导体发光组件(101)中，在金属薄板(102)上以围绕半导体发光元件(104)状形成成为反射构件的凸部(202)，半导体发光元件(104)和印刷电路板(103)例如用线201等连接。凸部(202)例如以从金属薄板(102)的背面压弯而形成围绕半导体发光元件(104)的周围且高于半导体发光元件(104)。

公开(公告)号：CN101432899A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015513.8

申请日：2007-04-27

Applicant: 岛根县 ,  株式会社岛根电子今福制作所

Inventor： 小松原聪 ,  上野敏之 ,  福田健一 ,  古田亨

IPC: H01L33/00

CPC classification number: F21K9/00 ,  F21S2/005 ,  F21V29/70 ,  F21V29/74 ,  F21V29/83 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供半导体发光组件及其制造方法、半导体发光装置。使发光元件中产生的热高效率地散热，抑制温度上升，即使流过大电流也能防止亮度特性变差而得到高亮度。本发明的半导体发光组件(101)包括：进行散热并作为电极的散热块(102)、覆盖散热块(102)并进行绝缘的绝缘膜(103)、隔着绝缘膜(103)层叠并作为另一方电极的配电膜(104)。实际通电后发光的半导体元件(111)直接与散热块(102)电连接，且另一方端子通过导电性线(112)与配电膜(104)相连接。

公开(公告)号：CN101432899B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN200780015513.8

申请日：2007-04-27

Applicant: 岛根县 ,  株式会社岛根电子今福制作所

Inventor： 小松原聪 ,  上野敏之 ,  福田健一 ,  古田亨

IPC: H01L33/00

CPC classification number: F21K9/00 ,  F21S2/005 ,  F21V29/70 ,  F21V29/74 ,  F21V29/83 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供半导体发光组件及其制造方法、半导体发光装置。使发光元件中产生的热高效率地散热，抑制温度上升，即使流过大电流也能防止亮度特性变差而得到高亮度。本发明的半导体发光组件(101)包括：进行散热并作为电极的散热块(102)、覆盖散热块(102)并进行绝缘的绝缘膜(103)、隔着绝缘膜(103)层叠并作为另一方电极的配电膜(104)。实际通电后发光的半导体元件(111)直接与散热块(102)电连接，且另一方端子通过导电性线(112)与配电膜(104)相连接。

公开(公告)号：CN102751272A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210202770.5

申请日：2009-03-19

Applicant: 岛根县 ,  株式会社岛根电子今福制作所

Inventor： 小松原聪 ,  福田健一 ,  大峠忍 ,  古田亨

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/644 ,  F21K9/00 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2105/10 ,  F21Y2105/16 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/483 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/021 ,  H05K2201/09054 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/0323 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种能高亮度发光并轻量紧凑的半导体发光组件及其制造方法。在半导体发光组件（101）中，在金属薄板（102）上以围绕半导体发光元件（104）状形成成为反射构件的凸部（202），半导体发光元件（104）和印刷电路板（103）例如用线201等连接。凸部（202）例如以从金属薄板（102）的背面压弯而形成围绕半导体发光元件（104）的周围且高于半导体发光元件（104）。

公开(公告)号：CN102751272B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201210202770.5

申请日：2009-03-19

Applicant: 岛根县 ,  株式会社S.E.I

Inventor： 小松原聪 ,  福田健一 ,  大峠忍 ,  古田亨

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/644 ,  F21K9/00 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2105/10 ,  F21Y2105/16 ,  F21Y2115/10 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/483 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/021 ,  H05K2201/09054 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/0323 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种能高亮度发光并轻量紧凑的半导体发光组件及其制造方法。在半导体发光组件（101）中，在金属薄板（102）上以围绕半导体发光元件（104）状形成成为反射构件的凸部（202），半导体发光元件（104）和印刷电路板（103）例如用线201等连接。凸部（202）例如以从金属薄板（102）的背面压弯而形成围绕半导体发光元件（104）的周围且高于半导体发光元件（104）。