公开(公告)号：CN102598139B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201080032406.8

申请日：2010-07-09

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： T·伟 ,  J·印斯克 ,  V·文努戈帕兰 ,  X·海文 ,  T·麦克尔 ,  L·布莱恩

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/02 ,  H01L27/24

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246

摘要： 披露一种包含非欧姆选择层的非易失性存储单元和关联的方法。根据一些实施例，非易失性存储单元由耦合于非欧姆选择层的阻性感测元件(RSE)构成。选择层被配置成响应大于或等于预定阈值的电流从第一阻态转变至第二阻态。

公开(公告)号：CN102598139A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080032406.8

申请日：2010-07-09

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： T·伟 ,  J·印斯克 ,  V·文努戈帕兰 ,  X·海文 ,  T·麦克尔 ,  L·布莱恩

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/02 ,  H01L27/24

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246

摘要： 披露一种包含非欧姆选择层的非易失性存储单元和关联的方法。根据一些实施例，非易失性存储单元由耦合于非欧姆选择层的阻性感测元件(RSE)构成。选择层被配置成响应大于或等于预定阈值的电流从第一阻态转变至第二阻态。