公开(公告)号：CN103199117A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310053255.X

申请日：2007-11-06

申请人： 希百特股份有限公司

发明人： 巩雄 ,  杨开霞 ,  俞钢 ,  B.J.L.尼尔松 ,  谢泉隆 ,  李兴中 ,  黄鸿发

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/22 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/861 ,  G02F1/1365 ,  G02F1/167 ,  H01L29/22 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L45/00 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0579 ,  H01L51/0587

摘要： 本发明提供了用于主动矩阵背板应用的、具有至少一个通过液相加工方法形成的电极的MIM型二端开关装置；更具体说，具有对称电流-电压特征的MIM装置应用于LCD主动矩阵背板应用，而具有不对称电流-电压特征的MIM装置应用于电泳显示器(EPD)和旋转元素显示器的主动矩阵背板。特别是，底部金属、金属氧化物绝缘体和可溶液处理的顶部传导性层的组合实现了柔性显示器的高通量、滚卷方法。

公开(公告)号：CN102598230B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080050111.3

申请日：2010-09-09

申请人： 希百特股份有限公司

发明人： 谢泉隆 ,  黄鸿发 ,  俞钢

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 一种利用减少的掩模操作制作用于有源矩阵显示器的薄膜晶体管的方法，包括在衬底上构图栅极。在该栅极上方形成栅极电介质，并且在该栅极电介质上沉积半导体金属氧化物。在叠盖栅极的半导体金属氧化物上构图沟道保护层，以限定沟道区并暴露剩余的半导体金属氧化物。在该结构上沉积源极/漏极金属层，并蚀刻穿过到达栅极上方的沟道保护层，以将源极/漏极金属层分开为源极端子和漏极端子，并且在外围蚀刻贯穿源极/漏极金属层和半导体金属氧化物以隔绝该晶体管。在该晶体管和周边的源极/漏极金属层的部分上，构图非导电间隔物。

公开(公告)号：CN101627476A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200780049295.X

申请日：2007-11-06

申请人： 希百特股份有限公司

发明人： 巩雄 ,  杨开霞 ,  俞钢 ,  B·J·L·尼尔松 ,  谢泉隆 ,  李兴中 ,  黄鸿发

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L51/10 ,  G02F1/1365 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： G02F1/1365 ,  G02F1/167 ,  H01G11/48 ,  H01G11/56 ,  H01L45/00 ,  Y02E60/13 ,  Y10S438/957

摘要： 提供了用于主动矩阵背板应用的、具有至少一个通过液相加工方法形成的电极的MIM型二端开关装置；更具体说，具有对称电流-电压特征的MIM装置应用于LCD主动矩阵背板应用，而具有不对称电流-电压特征的MIM装置应用于电泳显示器(EPD)和旋转元素显示器的主动矩阵背板。特别是，底部金属、金属氧化物绝缘体和可溶液处理的顶部传导性层的组合实现了柔性显示器的高通量、滚卷方法。

公开(公告)号：CN101627476B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200780049295.X

申请日：2007-11-06

申请人： 希百特股份有限公司

发明人： 巩雄 ,  杨开霞 ,  俞钢 ,  B·J·L·尼尔松 ,  谢泉隆 ,  李兴中 ,  黄鸿发

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L51/10 ,  G02F1/1365 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： G02F1/1365 ,  G02F1/167 ,  H01G11/48 ,  H01G11/56 ,  H01L45/00 ,  Y02E60/13 ,  Y10S438/957

摘要： 提供了用于主动矩阵背板应用的、具有至少一个通过液相加工方法形成的电极的MIM型二端开关装置；更具体说，具有对称电流-电压特征的MIM装置应用于LCD主动矩阵背板应用，而具有不对称电流-电压特征的MIM装置应用于电泳显示器(EPD)和旋转元素显示器的主动矩阵背板。特别是，底部金属、金属氧化物绝缘体和可溶液处理的顶部传导性层的组合实现了柔性显示器的高通量、滚卷方法。

公开(公告)号：CN102598230A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050111.3

申请日：2010-09-09

申请人： 希百特股份有限公司

发明人： 谢泉隆 ,  黄鸿发 ,  俞钢

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 一种利用减少的掩模操作制作用于有源矩阵显示器的薄膜晶体管的方法，包括在衬底上构图栅极。在该栅极上方形成栅极电介质，并且在该栅极电介质上沉积半导体金属氧化物。在叠盖栅极的半导体金属氧化物上构图沟道保护层，以限定沟道区并暴露剩余的半导体金属氧化物。在该结构上沉积源极/漏极金属层，并蚀刻穿过到达栅极上方的沟道保护层，以将源极/漏极金属层分开为源极端子和漏极端子，并且在外围蚀刻贯穿源极/漏极金属层和半导体金属氧化物以隔绝该晶体管。在该晶体管和周边的源极/漏极金属层的部分上，构图非导电间隔物。