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    在衬底上制造半导体器件的方法以及半导体器件
    1.
    发明授权
    在衬底上制造半导体器件的方法以及半导体器件 失效 转让

    公开(公告)号：CN104037087B

    公开(公告)日：2017-08-08

    申请号：CN201410187523.1

    申请日：2009-07-14

    申请人： 希百特股份有限公司

    发明人： 谢泉隆 ,  俞钢

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

    摘要： 本发明涉及在衬底上制造半导体器件的方法以及半导体器件。该制造方法包括通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物和选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的界面相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度。所述方法还包括通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来控制下层界面中的相互作用并通过在金属氧化物层上的材料沉积之前执行的金属氧化物膜的表面处理来控制上覆界面中的相互作用的一个或两个步骤。

    具有MOTFT的像素化成像器和工艺
    2.
    发明授权
    具有MOTFT的像素化成像器和工艺 失效 转让

    公开(公告)号：CN104854710B

    公开(公告)日：2017-06-20

    申请号：CN201380065558.1

    申请日：2013-12-09

    申请人： 希百特股份有限公司

    发明人： 谢泉隆 ,  俞钢

    IPC分类号： H01L31/036

    CPC分类号： H01L31/20 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14663 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  Y02E10/50

    摘要： 一种制造像素化成像器的方法，其包括：提供基板，该基板具有底部接触层和接触层上的感测元件覆盖层。用沟槽将覆盖层分成感测元件的阵列，沟槽将相邻的感测元件隔离。感测元件电极与各感测元件相邻地形成，上覆于沟槽并且限定TFT。在上覆电极的电介质层上和限定与各TFT相邻的感测元件的覆盖层被暴露的上表面上，形成金属氧化物半导体(MOS)材料层。在各TFT上沉积金属层，并且将金属层分成在感测元件电极的相对侧上的源/漏电极。用于形成S/D电极之一的金属与上覆于所述半导体层的被暴露表面的MOS材料相接触，由此，阵列中的各感测元件通过MOS材料电连接到相邻的TFT。

    双重自对准金属氧化物TFT
    3.
    发明公开
    双重自对准金属氧化物TFT 无效

    公开(公告)号：CN105742368A

    公开(公告)日：2016-07-06

    申请号：CN201610115701.9

    申请日：2010-03-12

    申请人： 希百特股份有限公司

    发明人： 谢泉隆 ,  俞钢

    IPC分类号： H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/66969

    摘要： 本发明公开了双重自对准金属氧化物TFT。具体，本发明公开了在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：在所述衬底的正面上布置不透明栅极金属区域，沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层和透明金属氧化物半导体层，在所述半导体材料上沉积透明钝化材料，在所述钝化材料上沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去被曝光部分，蚀刻所述钝化材料以留下界定沟道区域的钝化区域，在所述钝化区域上方沉积透明导电材料，在导电材料上方沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去未曝光的部分，和蚀刻所述导电材料以在沟道区域的相对侧上留下源极区域和漏极区域。

    双重自对准金属氧化物TFT
    4.
    发明公开
    双重自对准金属氧化物TFT 无效

    公开(公告)号：CN104094372A

    公开(公告)日：2014-10-08

    申请号：CN201380008194.3

    申请日：2013-02-06

    申请人： 希百特股份有限公司

    发明人： 谢泉隆 ,  俞钢

    IPC分类号： H01J1/62

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

    摘要： 一种在透明基板上制造金属氧化物TFT的方法，包括步骤：在基板的正面上定位不透明的栅极金属区域，沉积覆盖栅极金属以及周围区域的透明栅极介电层和透明金属氧化物半导体层，在半导体材料上沉积透明钝化材料，在钝化材料上沉积光刻胶，曝光并显影光刻胶以去除曝光部分，蚀刻钝化材料以留下限定沟道区域的钝化区域，在钝化区域上沉积透明导电材料，在导电材料上沉积光刻胶，曝光并显影光刻胶以去除未曝光部分，以及蚀刻导电材料使得在沟道区域的相对侧留下源极和漏极区域。

    掩模数目减少的自对准金属氧化物TFT
    5.
    发明公开
    掩模数目减少的自对准金属氧化物TFT 失效

    公开(公告)号：CN103988307A

    公开(公告)日：2014-08-13

    申请号：CN201280045617.4

    申请日：2012-08-02

    申请人： 希百特股份有限公司

    发明人： 谢泉隆 ,  俞钢 ,  法特·弗恩格

    IPC分类号： H01L29/10

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565

    摘要： 一种在透明衬底上制造MOTFT的方法，其包括以下步骤：在所述衬底的正面上布置限定栅极区域的不透明栅极金属，在所述衬底的正面上沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的栅极电介质材料，以及在所述栅极电介质材料上沉积金属氧化物半导体材料。在所述半导体材料上沉积蚀刻终止材料。在所述蚀刻终止材料上布置光致抗蚀剂，所述蚀刻终止材料和所述光致抗蚀剂可被选择性去除，并且所述光致抗蚀剂限定所述半导体材料中的隔离区域。去除蚀刻终止的未覆盖部分。使用所述栅极金属作为掩模从所述衬底的背面使所述光致抗蚀剂曝光并且去除曝光部分以使得除了覆盖所述栅极金属且与所述栅极金属对准的部分以外的蚀刻终止材料是未覆盖的。蚀刻所述半导体材料的未覆盖部分以隔离TFT。使用所述光致抗蚀剂，选择性蚀刻所述蚀刻终止层以留下一部分蚀刻终止层覆盖所述栅极金属且与所述栅极金属对准并且限定所述半导体材料中的沟道区域。在所述蚀刻终止层上和所述半导体材料上沉积导电材料并将所述导电材料图案化以在所述沟道区域的相对侧上形成源极区域和漏极区域。

    具有混合结构的全彩色有源矩阵型有机发光显示器
    8.
    发明公开
    具有混合结构的全彩色有源矩阵型有机发光显示器 失效 转让

    公开(公告)号：CN102938411A

    公开(公告)日：2013-02-20

    申请号：CN201210224317.4

    申请日：2012-06-28

    申请人： 希百特股份有限公司

    发明人： 俞钢 ,  谢泉隆

    IPC分类号： H01L27/32

    CPC分类号： H01L27/3218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L51/5284

    摘要： 本发明涉及具有混合结构的全彩色有源矩阵型有机发光显示器。全彩色AM OLED包括：透明基板；滤色器，其设置在所述基板的上表面上；以及金属氧化物薄膜晶体管背板，其以重叠的关系设置在滤色器上并且限定像素的阵列。OLED阵列形成在背板上并且被设置成发射向下穿过全彩色显示器中的背板、滤色器和基板的光。由每个OLED发射的光包括第一发射波带和第二发射波带，其中所述第一发射波带具有延伸跨过原色中的两种原色的范围的波长，所述第二发射波带具有延伸跨过剩余原色的范围的波长。针对每个像素，滤色器包括将第一发射带分离成两种单独的原色的两个区以及使第二发射带通过的第三区。