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公开(公告)号：CN102154626A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010620796.2
申请日：2010-12-31
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明提供一种测量硅片扩散长度的表面处理方法，包括如下步骤，将原生硅片在酸液中漂洗，漂洗后用去离子水清洗，去除残留漂洗液后烘干，再利用等离子体气相化学沉积法在硅片表面沉积氮化硅薄膜，将沉积了氮化硅薄膜的硅片放入烧结炉烧结，最后将烧结完的硅片冷却至室温后放入SemiLab PV2000测试设备的样品台测试，结果SPV8、SPV6信号均明显增强，线性比LR显著增大，完全达到测试设备要求。
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公开(公告)号：CN102021650A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010620738.X
申请日：2010-12-31
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池铸锭技术领域，尤其是一种大型多晶锭的生产方法，先将氮化硅与水通过电动搅拌15min～30min混合均匀作涂覆液，将坩埚进行预热后，将涂覆液均匀涂覆在坩埚的内表面，然后坩埚进行高温烘焙，烘焙后的坩埚内进行装硅料，对装入硅料的坩埚进行装炉，将多晶炉抽真空后通入保护气体氩气，对多晶炉进行加热使得硅料融化，最后通过定向凝固，将融化的硅料从底部到上部逐渐结晶，然后通过高温退火逐步冷却后出炉，出炉后的晶锭在室温冷却后进行拆坩埚，获得用于切片做电池的多晶硅锭。实现比较大的装料量，既能提高铸锭的产能，晶锭的利用率，又能降低成本，满足大载荷切片机要求，维持其晶体质量不变。
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公开(公告)号：CN101696499A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910035671.0
申请日：2009-09-30
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： C23C26/00
摘要： 本发明涉及一种铸锭用坩埚的处理方法：配制氢氧化钡或钡的盐类的溶液作为涂覆液；先对坩埚进行预热；在预热后的坩埚的内表面上均匀地涂覆氢氧化钡或钡的盐类的涂覆液；在50-1200℃下烘焙氢氧化钡或钡的盐类的涂覆液0.5-10h。在坩埚内表面上烘焙出氢氧化钡或钡的盐类的涂层，达到抑制坩埚内部杂质向硅料扩散的目的，进而提高靠近坩埚部位的少子寿命，防止坩埚变形。
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公开(公告)号：CN102586857B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210047063.3
申请日：2012-02-28
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法，具有如下步骤：1)在坩埚底部铺设籽晶；2)在籽晶上铺设低堆积密度硅料层；3)在低堆积密度硅料层上，铺设高堆积密度硅料层；4)在高堆积密度硅料层上放入掺杂剂及其它多晶硅原料；5)将按照1至4步骤进行装料的坩埚置于铸锭炉中熔化，通过激光测距仪实时测量硅熔体液面；6)当监测到硅熔体液面高度加快下降时，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段，并开始向上结晶。该方法通过装料方式和激光测量液位相结合的方式，来控制籽晶熔化剩余高度，具有精度高、稳定、自动化程度高、成本低等优点，可以稳定得把铸锭单晶生产熔化过程籽晶剩余高度控制在目标值±2mm范围内。
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公开(公告)号：CN102703964A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210141373.1
申请日：2012-05-08
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种铸锭单晶生产方法,在铸锭生产过程中通过安装在坩埚侧壁上的耐高温涡流传感器探测硅料熔化时的固液界面，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段。包含以下步骤：1）设备准备：在坩埚侧壁，籽晶面以上安放耐高温涡流传感器，涡流传感器中心与籽晶面的距离为1/2-1/3涡流传感器探测区域高度；2)装料；3)化料，4)持续测量涡流传感器的电阻率，设定当测量到的电阻率到达转跳点报警设定值时，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段，转跳点报警设定值在1000Ω·m-9Ω·m；5)长晶、退火、冷却、出炉。本发明的有益效果是：采用本发明的方法，可以稳定得把铸锭单晶生产熔化过程籽晶剩余高度控制在目标值±1mm范围内。
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公开(公告)号：CN102425005A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110405656.8
申请日：2011-12-08
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及多晶硅铸锭炉下炉体定向凝固系统及其铸锭工艺，该下炉体定向凝固系统包括下炉体、隔热笼底板和抬升装置，隔热笼底板通过抬升装置驱动在下炉体内抬升、下降，抬升装置包括石墨支撑杆、丝杆、涡轮蜗杆升降机、抬升底板和伺服电机，在该铸锭工艺中，隔热笼往上抬升0～380mm同时，隔热笼底板往下降0～150mm，硅料由底部向上进行定向凝结。本发明的有益效果是：本发明采用抬升下炉体隔热笼底板的定向凝固系统及其铸锭工艺，可显著提高多晶硅的生长速度，提高原材料产能和新材料光电转换效率、节省原材料成本和消耗电量、系统定向凝固效果好且节省了铸锭炉自身的升级成本。
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公开(公告)号：CN101696514A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910035670.6
申请日：2009-09-30
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： C30B11/00 , C30B15/10 , C03B20/00 , C30B29/06 , C01B33/021
摘要： 本发明涉及一种多晶锭的生产方法：配制氢氧化钡或钡的盐类的溶液作为涂覆液；石英陶瓷坩埚进行预热；预热后的石英陶瓷坩埚的内表面均匀地涂覆氢氧化钡或钡的盐类的涂覆液，再进行烘焙；石英陶瓷坩埚烘焙后在其内表面进行氮化硅的喷涂和烘烤；硅料装入石英陶瓷坩埚，放进多晶炉内，多晶炉抽真空并加入保护气体，硅料加热熔化；通过定向凝固，使熔化的硅料从底部到上部逐渐结晶，最后高温退火，形成用于切片做电池的多晶锭；将晶锭切成硅片，通过制绒，扩散，边缘刻蚀，PECVD镀膜，丝网印刷、烧结做成电池片，测试分档。坩埚内的涂层，抑制坩埚内部杂质向硅料扩散，提高靠近坩埚部位的少子寿命、晶锭利用率和电池转换效率。
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公开(公告)号：CN101695697A
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200910035672.5
申请日：2009-09-30
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种冶金级硅料清洁方法，将金属硅料打碎至3cm以下；调配酸洗除杂溶液，氢氟酸和硝酸按1∶12-20的比例调配成混合酸；将破碎的硅料浸于混合酸中，搅拌、清洗一定的时间；将清洗后的硅料捞出，用二级纯水进行清洗并不断翻动硅料；硅料进行超声波清洗和三级纯水，当PH＝7捞取硅料，烘干。本发明中硅料含杂质时，在区域内的电化学势能和表面活性也发生变化，杂质富集其反应电动势大，与酸反应速率快，用此原理来对金属硅料进行一定程度的除杂，通过调配酸配比、浓度和反应时间来实现最佳的选择性腐蚀效果，从而去除更多的杂质，实现了选择性腐蚀的效果，使其更适合太阳能电池对硅料的使用要求。
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公开(公告)号：CN102703964B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210141373.1
申请日：2012-05-08
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种铸锭单晶生产方法,在铸锭生产过程中通过安装在坩埚侧壁上的耐高温涡流传感器探测硅料熔化时的固液界面，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段。包含以下步骤：1）设备准备：在坩埚侧壁，籽晶面以上安放耐高温涡流传感器，涡流传感器中心与籽晶面的距离为1/2-1/3涡流传感器探测区域高度；2)装料；3)化料，4)持续测量涡流传感器的电阻率，设定当测量到的电阻率到达转跳点报警设定值时，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段，转跳点报警设定值在1000Ω·m-9Ω·m；5)长晶、退火、冷却、出炉。本发明的有益效果是：采用本发明的方法，可以稳定得把铸锭单晶生产熔化过程籽晶剩余高度控制在目标值±1mm范围内。
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公开(公告)号：CN102747419A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210206155.1
申请日：2012-06-20
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明公开了一种多晶硅片生产装置及生产方法，包括密封的金属腔体，金属腔体的外壁上设有进气管和出气管，具有石英内层、用于融化多晶硅料的坩埚设在金属腔体内一侧，围绕坩埚四周设有加热器，坩埚下部具有落料口，落料口下方设有将融化硅液传送出金属腔体的流延平台，流延平台下方设有将流延平台分割成四个过渡温度区的分区加热器。本发明可减少传统硅片生产过程中繁琐的工序步骤，大幅度降低生产成本，整过生产过程中污染源极少，有利于提高硅片质量，保证了太阳能电池片质量的稳定。
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