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公开(公告)号：CN110993759B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201911215981.0
申请日：2019-12-02
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明提供了一种采用复合电子阻挡层的紫外发光器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述紫外发光器件包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型AlmGa1‑mN层、发光有源区、p型复合电子阻挡层、p型AlnGa1‑nN层和接触层；其中，所述p型复合电子阻挡层包括沿生长方向依次形成的p型L1层和p型L2层。紫外发光器件能够有效地增加电子限制效果、增强空穴注入效率，以及载流子注入时的电流扩展能力，从而提高紫外发光器件的在量子阱中的辐射复合速率，改善器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN111063750B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201911257509.3
申请日：2019-12-10
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种紫外光电器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述紫外光电器件包括衬底以及在所述衬底上依次生长的基板、n型AlGaN层、有源区和p型AlGaN层；所述p型AlGaN层包括第一本体和位于所述第一本体的顶面的第一台阶，相邻两个第一台阶之间的落差距离L大于单原子层的厚度。紫外光电器件及其制备方法，能够在相邻两个所述第一台阶的落差方向上堆砌多个单原子，在所述p型AlGaN层上形成台阶聚并(stepbunching)效应，从而提高空穴输运效率和弱化紫外吸收，提高器件的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN111129242B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911375058.3
申请日：2019-12-27
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本申请提供了一种LED制备方法与待剥离LED结构，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底，其中，衬底的一面上设置有周期性凸台结构，然后沿衬底制作第一掩膜层，其中，第一掩膜层包括凹陷区，凹陷区的底部露出衬底上的凸台结构，且凹陷区的底部宽度小于顶部宽度，再沿凹陷区内凸台结构的表面制作缓冲层，其中，缓冲层覆盖于凸台结构的表面，再沿凸台结构的台面上的缓冲层的表面生长基板层；其中，基板层与凸台结构之间形成生长空洞，再沿基板层的表面生长LED本体，再腐蚀第一掩膜层与基板层，以获取芯片本体，其中，芯片本体包括LED本体。本申请提供的LED制备方法与待剥离LED结构具有刻蚀速度更快且可靠性更好的效果。
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公开(公告)号：CN111029448B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911219335.1
申请日：2019-12-02
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明提供了一种采用MOCVD技术的近紫外LED及其制备方法，涉及半导体技术领域。近紫外LED包括衬底和在所述衬底上依次生长的缓冲层、高温层、n型AlmGa1－mN层、发光有源区、p型电子阻挡层、p型AlnGa1－nN层和接触层，其中，所述发光有源区的材料包括InxGa1－xN和AlyGa1－yN，所述p型电子阻挡层的材料包括Aly1Inx1Ga1－y1－x1N，0.001≤x＜y≤1，y，m，n均小于y1。近紫外LED能有效地增加电子限制效果和空穴注入效率，从而提高器件的量子效率和发光效率。
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公开(公告)号：CN111370542A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010193423.5
申请日：2020-03-18
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体材料制备技术领域。该半导体结构包括衬底，与所述衬底的生长面连接的模板层，其中，模板层的表面为非平行宏台阶表面，与宏台阶表面连接的P型掺杂AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格层，其中，x≠y且P型掺杂AlxGa1-xN/AlyGa1-yN超晶格层的Al组分在三维空间内不均匀分布。本申请提供的半导体结构及其制作方法具有提升了材料的空穴浓度以及提升了半导体结构的纵向导电率的效果。
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公开(公告)号：CN108878611B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810726184.8
申请日：2018-07-04
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明提出了一种半导体外延结构制作方法，涉及半导体技术领域。首先在预设定的图形化衬底上溅射AlN缓冲层，其中，图形化衬底的表面包括周期性排布的多个正六边形结构，多个正六边形结构按预设定参数排布，正六边形结构包括正六边形底面和与底面连接的锥体，且底面平行于衬底材料的c面；然后在AlN缓冲层上生长氮化物缓冲层；其中，氮化物缓冲层沿每两个相邻正六边形结构的锥体之间的c面进行生长；最后在氮化物缓冲层上生长氮化物合并层。本发明提供的半导体外延结构制作方法具有提高半导体表面的平整度并降低其位错密度，使得晶格质量更好的效果。
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公开(公告)号：CN110129765A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910433426.9
申请日：2019-05-23
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明涉及半导体领域，具体涉及一种氮化物半导体材料及其制备方法。该制备方法包括在衬底上形成混合极性AlN外延层，混合极性AlN外延层由相互连接的多个混合极性AlN单元形成，每一混合极性AlN单元包括N极性AlN和设置在N极性AlN中心的Al极性AlN，Al极性AlN的厚度大于N极性AlN；在混合极性AlN外延层的Al极性AlN上形成合拢层以使多个Al极性AlN合拢。本发明利用Al极性和N极性AlN生长特性和腐蚀特性的差异，发明出一种极为简便的高质量氮化物外延层生长方法。达到了纳米图形化衬底生长方法的效果，却规避了传统纳米图形化衬底制备所需的掩膜、光刻、腐蚀等复杂工艺，可降低成本、提高效率。
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公开(公告)号：CN109728138A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811648628.7
申请日：2018-12-30
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明提供了一种氮化铝自支撑衬底及其制备方法，涉及半导体技术领域。在制作快速生长高温氮化铝层时，在氮化铝材料没有将三维岛状结构之间的间隙填充满的情况下，氮化铝材料快速合拢，没有被氮化铝材料填充满的三维岛状结构之间的间隙就可以形成大量的空洞，这些空洞可以减少快速生长高温氮化铝层和低温氮化铝层之间的接触面积，使快速生长高温氮化铝层和氮化铝厚膜在晶格失配和热失配应变的作用下可以同其他层自分离，得到自支撑衬底。高密度、小尺寸的空洞有利于释放应变防止表面开裂，提供了位错中止的自由面降低贯穿位错密度，得到位错密度很低的自支撑衬底。该方法分离工序简单，成品率高，可实现高质量氮化铝自支撑衬底的大规模产业化。
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公开(公告)号：CN108878611A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810726184.8
申请日：2018-07-04
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明提出了一种半导体外延结构制作方法，涉及半导体技术领域。首先在预设定的图形化衬底上溅射AlN缓冲层，其中，图形化衬底的表面包括周期性排布的多个正六边形结构，多个正六边形结构按预设定参数排布，正六边形结构包括正六边形底面和与底面连接的锥体，且底面平行于衬底材料的c面；然后在AlN缓冲层上生长氮化物缓冲层；其中，氮化物缓冲层沿每两个相邻正六边形结构的锥体之间的c面进行生长；最后在氮化物缓冲层上生长氮化物合并层。本发明提供的半导体外延结构制作方法具有提高半导体表面的平整度并降低其位错密度，使得晶格质量更好的效果。
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公开(公告)号：CN108493234A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810443071.7
申请日：2018-05-10
申请人： 广东省半导体产业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种鳍式沟道的氧化镓基垂直场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明所述晶体管，包括由下至上层叠的漏电极、n+-Ga2O3衬底以及n--Ga2O3耐压层，n--Ga2O3耐压层上表面设置条状延伸的n--Ga2O3沟道层，在所述n--Ga2O3沟道层上表面向上依次设有n+-Ga2O3接触层和源电极；在所述n--Ga2O3沟道层和n+-Ga2O3接触层侧面和n--Ga2O3耐压层上表面设有栅介质层，栅介质层在n--Ga2O3沟道层和n--Ga2O3耐压层连接处相对应的另一表面设有栅电极；所述的n--Ga2O3沟道层和n+-Ga2O3接触层组成三维鳍片状结构，所述的三维鳍片状结构在n--Ga2O3耐压层上表面平行设置两组或以上。本发明所述的氧化镓基垂直场效应晶体管通过三维鳍片状结构沟道实现对电流的控制，性能可靠，制备工艺简单。
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