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公开(公告)号：CN107134331B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710299873.0
申请日：2017-04-27
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司 , 风华研究院(广州)有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01C7/04
摘要： 本发明涉及一种热敏电阻的调阻方法，包括：获取多种预设图形中的每一种预设图形对应的电阻增加率范围；所述预设图形用于形成在待调阻的片阻上，增加所述待调阻的片阻的阻值；测量待调阻的片阻的实际阻值，并计算出达到目标阻值所需要的增加率；判断所述所需要的增加率所处于的电阻增加率范围，并获取对应的预设图形；将获取到的预设图形应用于待调阻的片阻进行修调。上述方法可应用于热敏电阻的调阻，不会因为激光产生热量导致调阻误差。
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公开(公告)号：CN107134331A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710299873.0
申请日：2017-04-27
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司 , 风华研究院(广州)有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/04
摘要： 本发明涉及一种热敏电阻的调阻方法，包括：获取多种预设图形中的每一种预设图形对应的电阻增加率范围；所述预设图形用于形成在待调阻的片阻上，增加所述待调阻的片阻的阻值；测量待调阻的片阻的实际阻值，并计算出达到目标阻值所需要的增加率；判断所述所需要的增加率所处于的电阻增加率范围，并获取对应的预设图形；将获取到的预设图形应用于待调阻的片阻进行修调。上述方法可应用于热敏电阻的调阻，不会因为激光产生热量导致调阻误差。
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公开(公告)号：CN106782951B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710051114.2
申请日：2017-01-23
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司 , 风华研究院(广州)有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01C7/04
摘要： 本发明涉及一种薄膜热敏电阻的调阻方法和制造方法。该调阻方法用于在薄膜热敏电阻的生产过程中对得到的热敏电阻阵列进行阻值修调，包括：测量所述热敏电阻阵列中各个片阻的阻值和温度，并计算各片阻与目标阻值的偏差；以所述片阻的元件模型和调阻机的光斑参数为基础，通过模拟计算获得片阻上的蚀坑数量、位置与片阻的阻值增加率的关系，并进行多项式拟合得到多项式系数后保存到数据库中；根据调阻机的光斑参数和所述偏差，从数据库中搜索对应的多项式系数，并通过插值计算，确定阻值修调策略；调阻机根据所述修调策略进行打点完成调阻。上述热敏电阻的调阻方法和制造方法，可以实现快速而精准的激光调阻，有助于提高薄膜热敏电阻阻值精度和生产效率。
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公开(公告)号：CN106782951A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710051114.2
申请日：2017-01-23
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司 , 风华研究院(广州)有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01C7/04
摘要： 本发明涉及一种薄膜热敏电阻的调阻方法和制造方法。该调阻方法用于在薄膜热敏电阻的生产过程中对得到的热敏电阻阵列进行阻值修调，包括：测量所述热敏电阻阵列中各个片阻的阻值和温度，并计算各片阻与目标阻值的偏差；以所述片阻的元件模型和调阻机的光斑参数为基础，通过模拟计算获得片阻上的蚀坑数量、位置与片阻的阻值增加率的关系，并进行多项式拟合得到多项式系数后保存到数据库中；根据调阻机的光斑参数和所述偏差，从数据库中搜索对应的多项式系数，并通过插值计算，确定阻值修调策略；调阻机根据所述修调策略进行打点完成调阻。上述热敏电阻的调阻方法和制造方法，可以实现快速而精准的激光调阻，有助于提高薄膜热敏电阻阻值精度和生产效率。
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公开(公告)号：CN115058686A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210695225.8
申请日：2022-06-17
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明属于温度传感材料技术领域，涉及一种调控Pt膜层晶体生长取向的制备方法。本发明所述的制备方法包括如下工艺步骤：图案化掩膜、溅射镀膜、去除掩膜、退火处理。其中，通过溅射镀膜与退火处理工艺的结合，先后沉积缓冲层Ta层、功能层Pt层，通过调控溅射过程中氧气含量、退火处理的温度及保温时间，从而实现对Pt膜层晶体取向的调控。该方法得到的Pt膜层具有晶体取向多样、致密性高、TCR高及线性度好的优势，且该方法具有成本低、易操作、易实现批量或规模化生产、成品率高、稳定性高、所得的膜性能优越等特点，为推动Pt温度传感器的发展具有积极作用。
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公开(公告)号：CN115058686B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210695225.8
申请日：2022-06-17
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明属于温度传感材料技术领域，涉及一种调控Pt膜层晶体生长取向的制备方法。本发明所述的制备方法包括如下工艺步骤：图案化掩膜、溅射镀膜、去除掩膜、退火处理。其中，通过溅射镀膜与退火处理工艺的结合，先后沉积缓冲层Ta层、功能层Pt层，通过调控溅射过程中氧气含量、退火处理的温度及保温时间，从而实现对Pt膜层晶体取向的调控。该方法得到的Pt膜层具有晶体取向多样、致密性高、TCR高及线性度好的优势，且该方法具有成本低、易操作、易实现批量或规模化生产、成品率高、稳定性高、所得的膜性能优越等特点，为推动Pt温度传感器的发展具有积极作用。
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公开(公告)号：CN107946712B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201711110391.2
申请日：2017-11-09
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种温度补偿衰减器，其包括基片，所述基片上设有第一热敏电阻、第二热敏电阻、信号电极和地电极，所述第一热敏电阻为薄膜PTC热敏电阻；所述第二热敏电阻由至少一层导电层和至少一层薄膜NTC热敏电阻交替堆叠而形成，且最底层的所述导电层设于所述基片和最底层的所述薄膜NTC热敏电阻之间；所述信号电极与所述第一热敏电阻和薄膜NTC热敏电阻分别电连接，所述地电极与所述第一热敏电阻或所述薄膜NTC热敏电阻电连接。本发明通过至少一层导电层和至少一层薄膜NTC热敏电阻交替堆叠而形成第二热敏电阻，这样可以在较大范围内灵活调节整体的阻值及电阻温度系数，从而实现温补衰减器的薄膜化及系列化。
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公开(公告)号：CN111899979A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010562607.4
申请日：2020-06-18
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种陶瓷电容器，其包括陶瓷介质基体、第一电极层与第二电极层；所述陶瓷介质基体的上表面、下表面均设有至少一个表面加工部，所述表面加工部包括凸起部和/或凹陷部；所述第一电极层的下表面与所述陶瓷介质基体的上表面贴合，所述第二电极层的上表面与所述陶瓷介质基体的下表面贴合。本发明还公开了一种陶瓷电容器加工方法。本发明提供的陶瓷电容器及其加工方法，通过对陶瓷介质基体的双面进行加工，使其获得能够增加表面面积的表面加工部，比表面积增加，有效提升了陶瓷电容器的容值。
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公开(公告)号：CN111876728A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010737990.2
申请日：2020-07-28
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种可用于共晶焊接的多层金锡合金薄膜制备工艺，根据理论计算膜层厚度，结合磁控溅射方式加工形成多层结构单质薄膜再经快速后退火处理工艺，制备得到金锡合金化完全和成份均匀的金锡合金薄膜。本发明以单质金属为原料，制备出金锡合金薄膜，有效简化工艺过程；采用磁控溅射制备方法，避免了化学法、真空蒸镀法的缺点，可制备出成分、厚度可控、图形复杂、位置灵活的金锡叠层薄膜，工艺稳定性良好，适用大批量生产；通过层数调节和热退火处理，可以有效调节薄膜层合金化区域，获得合金化均匀的薄膜层；采用RTP快速热退火处理，大大缩短了退火时间，有效提高了生产效率；金锡合金比例可控制在80:20～70:30之间，适用于共晶焊接。
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公开(公告)号：CN107946712A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711110391.2
申请日：2017-11-09
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种温度补偿衰减器，其包括基片，所述基片上设有第一热敏电阻、第二热敏电阻、信号电极和地电极，所述第一热敏电阻为薄膜PTC热敏电阻；所述第二热敏电阻由至少一层导电层和至少一层薄膜NTC热敏电阻交替堆叠而形成，且最底层的所述导电层设于所述基片和最底层的所述薄膜NTC热敏电阻之间；所述信号电极与所述第一热敏电阻和薄膜NTC热敏电阻分别电连接，所述地电极与所述第一热敏电阻或所述薄膜NTC热敏电阻电连接。本发明通过至少一层导电层和至少一层薄膜NTC热敏电阻交替堆叠而形成第二热敏电阻，这样可以在较大范围内灵活调节整体的阻值及电阻温度系数，从而实现温补衰减器的薄膜化及系列化。
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