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公开(公告)号：CN107134331A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710299873.0
申请日：2017-04-27
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司 , 风华研究院(广州)有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/04
摘要： 本发明涉及一种热敏电阻的调阻方法，包括：获取多种预设图形中的每一种预设图形对应的电阻增加率范围；所述预设图形用于形成在待调阻的片阻上，增加所述待调阻的片阻的阻值；测量待调阻的片阻的实际阻值，并计算出达到目标阻值所需要的增加率；判断所述所需要的增加率所处于的电阻增加率范围，并获取对应的预设图形；将获取到的预设图形应用于待调阻的片阻进行修调。上述方法可应用于热敏电阻的调阻，不会因为激光产生热量导致调阻误差。
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公开(公告)号：CN107134331B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710299873.0
申请日：2017-04-27
申请人： 广东风华高新科技股份有限公司 , 风华研究院(广州)有限公司 , 电子科技大学
IPC分类号： H01C7/04
摘要： 本发明涉及一种热敏电阻的调阻方法，包括：获取多种预设图形中的每一种预设图形对应的电阻增加率范围；所述预设图形用于形成在待调阻的片阻上，增加所述待调阻的片阻的阻值；测量待调阻的片阻的实际阻值，并计算出达到目标阻值所需要的增加率；判断所述所需要的增加率所处于的电阻增加率范围，并获取对应的预设图形；将获取到的预设图形应用于待调阻的片阻进行修调。上述方法可应用于热敏电阻的调阻，不会因为激光产生热量导致调阻误差。
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公开(公告)号：CN118258527A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410354489.6
申请日：2024-03-27
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种基于纳米多晶硅薄膜的应变计，属于微波介质器件技术领域。包括衬底、纳米多晶硅薄膜方块电阻、金属导体接线层和保护层；纳米多晶硅薄膜方块电阻位于衬底之上，形成惠斯通电桥结构；金属导体接线层位于衬底之上，实现纳米多晶硅薄膜方块电阻与应变计的电极之间的连接；保护层位于金属导体接线层之上。本发明提供的一种基于纳米多晶硅薄膜的应变计，先采用PECVD沉积非晶硅薄膜，再通过管式炉退火形成多晶硅薄膜，有效降低了温度对应变计的影响；通过退火控制其晶粒尺寸
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公开(公告)号：CN117998978A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410055383.6
申请日：2024-01-15
申请人： 电子科技大学 , 成都炎芯微电子有限公司
摘要： 一种双端加热型相变开关器件，属于射频和微波开关器件技术领域。所述相变开关器件包括衬底，位于衬底之上的衬底隔离层，位于衬底隔离层之上的加热底电极层，位于加热底电极层之上的底电极隔离层，位于底电极隔离层之上的相变层和射频传输层，位于相变层和射频传输层之上的上电极隔离层，位于上电极隔离层之上的加热上电极层。本发明底电极加热层和上电极加热层的重叠区域将相变层、射频传输层、底电极隔离层和上电极隔离层包裹，底电极隔离层和上电极隔离层将相变层和部分射频传输层包裹，利用底电极加热层和上电极加热层对底电极隔离层、相变层和上电极隔离层的包裹使相变层能更快速的受热到达相变温度，进而降低相变开关开启/关闭速度。
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公开(公告)号：CN117998974A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410055375.1
申请日：2024-01-15
申请人： 电子科技大学 , 成都炎芯微电子有限公司
摘要： 一种盒状间接加热型相变开关器件的制备方法，属于微波电子学和微波开关器件技术领域。本发明提供的一种盒状间接加热型相变开关器件的制备方法，采用光刻工艺和磁控溅射，形成了四端包围间接加热式器件，即实现了加热材料对相变层的全包围；当加热层材料在电脉冲控制作用下产生焦耳热后，相较于普通相变开关器件，会实现快速升温且能均匀加热相变层材料，大幅缩短了相变开关的处理信息周期时间，使相变材料的工作状态更加稳定，可以快速切换状态。
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公开(公告)号：CN116207465B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310261175.7
申请日：2023-03-17
IPC分类号： H01P1/20
摘要： 本发明属于滤波器件领域，具体涉及一种基于碲化锗相变开关的可重构滤波器，包括：基板、开关加热电极层、介质隔离层、GeTe层、电极层、背面接地层、滤波器谐振环；基板用于支撑整个器件结构；开关加热电极层嵌入基板特定的凹槽内，用于加热GeTe层使其相变；介质隔离层设置在开关加热电极层与GeTe层之间，用于隔离开关加热电极层与GeTe层；电极层位于GeTe层上方与滤波器谐振环连接，用于固定GeTe层与滤波器谐振环；背面接地层位于基板底部。本发明通过加热开关加热电极层改变GeTe相变材料的物理状态，不需要一直外加电压，与一般的MEMS可调滤波器相比具有更快的响应时间、更小的驱动电压脉冲不消耗静态功率。
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公开(公告)号：CN110828168B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201911238426.X
申请日：2019-12-06
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种多层微晶玻璃电容器及其制备方法，属于脉冲功率技术领域。所述多层微晶玻璃电容器为“介质层/(电极层/介质层)n”的多层结构，n为大于1的正整数，介质层为微晶玻璃；微晶玻璃各组分及其质量百分比为：a(K2O‑Na2O‑Li2O)‑b(xSrO‑(1‑x)BaO)‑cAl2O3‑dNb2O5‑eSiO2‑fB2O3，0≤x≤1，其中，5wt％≤a≤20wt％，10wt％≤b≤30wt％，1wt％≤c≤10wt％，20wt％≤d≤40wt％，20wt％≤e≤50wt％，0wt％≤f≤10wt％。本发明多层微晶玻璃电容器应用于储能器件中，可有效提高器件的储能密度；且制备工艺适合大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN111739870A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010659553.3
申请日：2020-07-10
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
摘要： 本发明提供了一种高聚物缓冲层铜同轴TGV，包括依次设置的铜柱、环形的内缓冲层、环形的铜层以及环形的外缓冲层，所述铜柱、内缓冲层、铜层以及外缓冲层从内至外依次设置，所述外缓冲层以及所述内缓冲层为高聚物苯并环丁烯层。还提供了具有该同轴TGV的转接板和转接板制造方法。高聚物缓冲层尺寸灵活可变，便于根据匹配原则设计出不同尺寸的同轴TGV结构。详细给出了高聚物缓冲层铜同轴TGV结构制备方案，该方案采用高聚物填充环形槽的方式实现缓冲层制备。工艺实现方案保证阻抗匹配设计的同时使整体结构尺寸小，并提高了封装的热稳定性，有利于未来高密度三维集成。
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公开(公告)号：CN111575684A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010654068.7
申请日：2020-07-09
申请人： 电子科技大学 , 成都迈科科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种金属化填充玻璃转接板通孔的方法，包括以下步骤：将转接板放入浓度在的除油液中，温度控制在80℃以上，并施加超声波场，持续5-10min后，将转接板放入去离子水中，并施加超声波场，持续5-10min；将转接板取出并放入浓度为3.5-4.5ml/L硅烷偶联剂溶液中，静置30min以上；利用转盘实现转接板均匀覆盖；将转接板加热至110℃维持30-55min；将转接板放入钯胶体溶液，静置5min；将转接板放入硝酸银溶液，静置5min；在高转速环境下化学镀；特定电流和化学镀液下电镀。通过对玻璃转接板进行表面处理、活化处理后，在玻璃转接板表面吸附自催化核，为化学镀提供基本条件，从而顺利完成化学镀。与现有技术相比，本发明的成本大幅度降低，且保证了通孔内壁的金属种子层的质量。
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公开(公告)号：CN107171047A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710302990.8
申请日：2017-05-03
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01P7/06
CPC分类号： H01P7/06
摘要： 超宽可调谐振器，涉及微波器件，本发明包括自上向下顺次设置的低阻硅电极、SOI执行器和金属化消逝模腔体部分，SOI执行器包括高阻硅底板和高阻硅环，高阻硅环的底面与高阻硅底板通过埋氧层隔离，高阻硅环的顶面通过绝缘材料层与低阻硅电极连接，在高阻硅底板的底面设置有第一金层；金属化消逝模腔体部分包括消逝模腔和刻蚀保留在消逝模腔中的谐振杆，消逝模腔的内表面和谐振杆的顶面覆盖有第二金层，在谐振杆的顶部的金层上方还设置有第一介质材料层，在消逝模腔内填充有介质材料。本发明实现了频率可调，而且低功耗、驱动快，没有迟滞效应，线性度好、精度与可靠性高。
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