公开(公告)号：CN110845501B

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201911127771.6

申请日：2019-11-18

申请人： 广州华睿光电材料有限公司 ,  武汉华星光电半导体显示技术有限公司

发明人： 李涛 ,  杨曦 ,  曾洁坤 ,  李们在 ,  李先杰 ,  王煦 ,  张月 ,  潘君友

IPC分类号： C07D487/04 ,  C07D498/04 ,  C07D471/04 ,  C07D519/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

摘要： 本发明涉及有机电致发光技术领域，特别是一种芳胺化合物及其在电子器件上的应用，特别是在有机电致发光二极管的应用。本发明的化合物拥有合适的能级，在紫外区域具有较高的消光系数，在可见光区域拥有较高的折射率，可以用于器件中的光取出层。它能降低外部高能量光对有机电致发光显示设备内部材料的损害，并提升光取出，提高器件的发光效率。

公开(公告)号：CN110845501A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201911127771.6

申请日：2019-11-18

申请人： 广州华睿光电材料有限公司 ,  武汉华星光电半导体显示技术有限公司

发明人： 李涛 ,  杨曦 ,  曾洁坤 ,  李们在 ,  李先杰 ,  王煦 ,  张月 ,  潘君友

IPC分类号： C07D487/04 ,  C07D498/04 ,  C07D471/04 ,  C07D519/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

摘要： 本发明涉及有机电致发光技术领域，特别是一种芳胺化合物及其在电子器件上的应用，特别是在有机电致发光二极管的应用。本发明的化合物拥有合适的能级，在紫外区域具有较高的消光系数，在可见光区域拥有较高的折射率，可以用于器件中的光取出层。它能降低外部高能量光对有机电致发光显示设备内部材料的损害，并提升光取出，提高器件的发光效率。

公开(公告)号：CN112864342B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202011096443.7

申请日：2020-10-14

申请人： 广州华睿光电材料有限公司

发明人： 李涛 ,  曾洁坤 ,  杨曦 ,  宋晶尧

IPC分类号： H10K85/60 ,  H10K85/30

摘要： 为了改善有机电致发光器件的器件性能，特别是光取出效率，本发明提供一种包含光取出层的有机电致发光器件，其中光取出层材料选自含有咔唑的化合物。本发明提供的光取出材料在在紫外区域具有较高的消光系数，在可见光区域拥有较高的折射率，它能降低外部高能量光对有机电致发光显示设备内部材料的损害，并提升光取出率，提高器件的发光效率。

公开(公告)号：CN114514220A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202080060064.4

申请日：2020-10-22

申请人： 广州华睿光电材料有限公司

发明人： 李涛 ,  曾洁坤 ,  宋晶尧 ,  谭甲辉

IPC分类号： C07C211/54 ,  C07C211/61 ,  C07D403/04 ,  C07D269/02 ,  C07D235/18 ,  C07D417/02 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

摘要： 一种有机电致发光器件和含稠环的芳胺类化合物。所述有机电致发光器件，包含两个电极，设置在所述两个电极之间的一个或多个有机功能层和设置于一电极表面且远离所述有机功能层一侧的光取出层，其特征在于：所述光取出层的材料包含具有如通式(1)所示结构的化合物。所述光取出层的材料在紫外区域具有较高的消光系数，在可见光区域拥有较高的折射率，它能降低外部高能量光对有机电致发光显示设备内部材料的损害，用于有机电致发光器件中，提高器件光取出效率，提高器件的发光效率。

公开(公告)号：CN112864342A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011096443.7

申请日：2020-10-14

申请人： 广州华睿光电材料有限公司

发明人： 李涛 ,  曾洁坤 ,  杨曦 ,  宋晶尧

IPC分类号： H01L51/54

摘要： 为了改善有机电致发光器件的器件性能，特别是光取出效率，本发明提供一种包含光取出层的有机电致发光器件，其中光取出层材料选自含有咔唑的化合物。本发明提供的光取出材料在在紫外区域具有较高的消光系数，在可见光区域拥有较高的折射率，它能降低外部高能量光对有机电致发光显示设备内部材料的损害，并提升光取出率，提高器件的发光效率。