公开(公告)号：CN118471804A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410537071.9

申请日：2024-04-30

申请人： 广州奥松电子股份有限公司 ,  北京理工大学 ,  北京航空航天大学

发明人： 张宾 ,  陈新准 ,  陈善任 ,  郑德智 ,  王帅 ,  李大鹏 ,  朱瑞 ,  程元红 ,  李娜 ,  江俊易 ,  张福容 ,  隆艺瑶

IPC分类号： H01L21/3213 ,  B81C1/00

摘要： 本申请涉及半导体集成电路制造制造技术领域，具体涉及一种晶圆湿法刻蚀方法及其晶圆，晶圆包括衬底和复合金属层，复合金属层覆盖在衬底的预设面，复合金属层包括第一金属层和第二金属层，第一金属层覆盖在第二金属层的表面，通过本发明提供的湿法刻蚀方法工艺，通过对不同金属层设置不同掩膜版及控制掩膜版透明区域的宽度，有效解决了采用传统工艺对复合金属膜进行湿法刻蚀时，处于底层金属尺寸失真的问题，提高了复合金属薄膜湿法刻蚀底层尺寸精度，也提升了晶圆生产的良品率和可靠性。

公开(公告)号：CN118507376A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410605849.5

申请日：2024-05-16

申请人： 广州奥松电子股份有限公司 ,  北京理工大学 ,  北京航空航天大学

发明人： 张宾 ,  陈新准 ,  陈善任 ,  郑德智 ,  王帅 ,  李大鹏 ,  朱瑞 ,  程元红 ,  李婷 ,  张福容 ,  隆艺瑶 ,  江俊易

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/544

摘要： 本发明公开了一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法，属于半导体刻蚀技术领域，首先，在晶圆表面沿离子注入预设路径制备离子图形，将离子注入在离子图形区域内；其次，在注入离子的晶圆表面制备标记物图形，在注入的离子表面和第二光刻胶层表面分别镀上标记物；然后，在留存在离子表面的标记物上和晶圆上制备保护层；接着，在保护层表面沿离子注入预设路径制备刻蚀图形；最后，在刻蚀的过程中，检测所述标记物的厚度变化并同步确认所述离子表面标记物的颜色变化，当观察所述离子表面标记物颜色消失时，判断离子表面的保护层已被刻蚀完成，停止刻蚀，该检测方法无需进行电阻和膜厚测试，节省了时间和测试步骤，且不容易损伤基底。