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公开(公告)号：CN118471804A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410537071.9
申请日：2024-04-30
申请人： 广州奥松电子股份有限公司 , 北京理工大学 , 北京航空航天大学
IPC分类号： H01L21/3213 , B81C1/00
摘要： 本申请涉及半导体集成电路制造制造技术领域，具体涉及一种晶圆湿法刻蚀方法及其晶圆，晶圆包括衬底和复合金属层，复合金属层覆盖在衬底的预设面，复合金属层包括第一金属层和第二金属层，第一金属层覆盖在第二金属层的表面，通过本发明提供的湿法刻蚀方法工艺，通过对不同金属层设置不同掩膜版及控制掩膜版透明区域的宽度，有效解决了采用传统工艺对复合金属膜进行湿法刻蚀时，处于底层金属尺寸失真的问题，提高了复合金属薄膜湿法刻蚀底层尺寸精度，也提升了晶圆生产的良品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN118507376A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410605849.5
申请日：2024-05-16
申请人： 广州奥松电子股份有限公司 , 北京理工大学 , 北京航空航天大学
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法，属于半导体刻蚀技术领域，首先，在晶圆表面沿离子注入预设路径制备离子图形，将离子注入在离子图形区域内；其次，在注入离子的晶圆表面制备标记物图形，在注入的离子表面和第二光刻胶层表面分别镀上标记物；然后，在留存在离子表面的标记物上和晶圆上制备保护层；接着，在保护层表面沿离子注入预设路径制备刻蚀图形；最后，在刻蚀的过程中，检测所述标记物的厚度变化并同步确认所述离子表面标记物的颜色变化，当观察所述离子表面标记物颜色消失时，判断离子表面的保护层已被刻蚀完成，停止刻蚀，该检测方法无需进行电阻和膜厚测试，节省了时间和测试步骤，且不容易损伤基底。
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公开(公告)号：CN118604066B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411067192.8
申请日：2024-08-06
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种气体传感器芯片结构、传感器芯片制备方法及气体传感器，该结构包括基底、电极组件和气敏膜；所述电极组件包括第一叉状电极和第二叉状电极，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极均设置在基底上，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间存在位面差；所述气敏膜设置在所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间，能够保证气敏膜维持较小体积的前提下，提高所述第一叉状电极和第二叉状电极的连接稳定性，降低气敏膜的厚度控制难度，同时提高响应速度。
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公开(公告)号：CN117723159A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311769893.1
申请日：2023-12-21
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
摘要： 本申请涉及温度探测技术领域，是关于一种深水热电偶测温装置及控制系统，包括：中空箱体和热电偶；中空箱体的内部设有汇流腔体、沉淀腔体和测温腔体，沉淀腔体位于汇流腔体的正下方，并与汇流腔体连通；热电偶设置在测温腔体内，热电偶用于检测测温腔体内的水温；其中，中空箱体的内部还设有排出管道和N条汇流管道，且排出管道的进液口与沉淀腔体连通，排出管道的出液口与测温腔体连通，N为大于1的整数；汇流管道的进液口位于中空箱体的外侧，汇流管道的出液口均与汇流腔体连通，且N个汇流管道的出液口均基于汇流腔体的中点中心对称；本申请提供的方案，实现了在深水区域中进行测温，解决了深水区域中高压流水、泥沙和海中生物对热电偶损坏的问题。
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公开(公告)号：CN115828681A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211480369.8
申请日：2022-11-24
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G06F119/08
摘要： 本发明实施例公开了一种量热式绝对湿度传感器优化方法和湿度传感器，涉及湿度传感器的设计领域，该方法包括：使用COMSOL软件建立需要求解的量热式绝对湿度传感器的初始几何物理模型；导入提取电路，将所述提取电路与所述初始几何物理模型相连；设置边界条件；划分网格并计算。本发明实施例将制作测温元件的悬膜干法蚀刻/湿法蚀刻的工艺、驱动电路、信号提取方式、不同温度湿空气的传热性能的变化、加热过程中测温元件三维空间中系数的变化、以及自然热对流过程中的系统热稳定时间等任一强耦合的设计考虑在设计优化方法中，提升优化结果的可信性和实用性。
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公开(公告)号：CN118604066A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411067192.8
申请日：2024-08-06
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种气体传感器芯片封装结构、传感器芯片封装方式及气体传感器，该封装结构包括基底、电极组件和气敏膜；所述电极组件包括第一叉状电极和第二叉状电极，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极均设置在基底上，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间存在位面差；所述气敏膜设置在所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间，能够保证气敏膜维持较小体积的前提下，提高所述第一叉状电极和第二叉状电极的连接稳定性，降低气敏膜的厚度控制难度，同时提高响应速度。
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公开(公告)号：CN115575461A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211203220.5
申请日：2022-09-29
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种半导体式气体传感器，包括基底，所述基底上依次设置有加热层、电极层和气敏材料层，所述加热层具有设在首尾方向上的连接端，所述电极层至少包括两组相互错开设置的电极，所述电极均具有设在首尾方向上的连接端，且所述电极的连接端与所述加热层的连接端相互错开；所述气敏材料层涂覆于基底上，且覆盖所述电极之间的相邻连接端，以使每个电极之间电性连通。本发明还公开了一种设有上述半导体气体传感器的气体检测器件。与现有技术相比，本发明的气体传感器结构简单，体积小，灵敏度好，稳定性高，适用于产品进一步小型化。本发明的气体检测器件集成度高、使用方便、精确度高，更符合用户所需。
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公开(公告)号：CN118746605A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410935880.5
申请日：2024-07-12
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
IPC分类号： G01N27/22
摘要： 本申请涉及半导体制造技术领域，是关于一种平板型湿度传感器及其制造方法，包括：基底、上电极极板、介电层和下电极极板，下电极极板覆盖在基底上；介电层位于上电极极板与下电极极板，其中介电层上设有N个感应通孔，上电极极板上设有N个透气通孔，且感应通孔与透气通孔一一对应，N为大于或等于1的整数，感应通孔的侧壁用于接触待检测水汽；本申请提供的方案，提高了平板型湿度传感器的响应速度。
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公开(公告)号：CN118443108A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410486334.8
申请日：2024-04-22
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
摘要： 本发明属于智能传感技术领域，具体涉及微管流量传感器及微流量检测方法；微管流量传感器，包括：电阻膜基座，设置有微流管道；流量检测模组，设置在所述电阻膜基座上，所述流量检测模组位于所述微流管道的延伸路径上且用于检测所述微流管道内的流体流量；其中，所述微流管道凹陷在所述电阻膜基座的端部，使所述电阻膜基座的端部成型有悬臂梁，所述流量检测模组嵌入在所述悬臂梁上。在本发明中，通过将微流管道集成在电阻膜基座，待测流体并不是直接与流量检测模组流量检测模组接触，而是通过微流管道与悬臂梁接触后，微流管道内流动的待测流体将悬臂梁上的热量转移，进而通过流量检测模组检测悬臂梁上的温差，实现更高的测量精准度。
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公开(公告)号：CN117884310A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311868879.7
申请日：2023-12-29
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
IPC分类号： B05C5/02
摘要： 本发明公开了一种基于晶圆键合的微流控装置及其控制方法，装置第一基底和第二基底，所述第一基底的一组端面上成型有第一凹槽，所述第一基底的另一组端面穿设有连通所述第一凹槽的第一穿孔；所述第二基底的一组端面上成型有第二凹槽；所述第二基底的另一组端面穿设有连通所述第二凹槽的第二穿孔；其中，所述第一基底和所述第二基底通过键合工艺连接，使所述第一凹槽和所述第二凹槽闭合成型为供流体移动的微流管道，所述第一穿孔和所述第二穿孔位于所述微流管道的两端，所述微流管道内设置有流量传感单元。本发明利用微流管道的微观加工结合流量传感单元，提高了对流体的检测精度，提高了流体控制灵活性和流体控制精度，有效地简化了装置结构。
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