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公开(公告)号：CN118471804A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410537071.9
申请日：2024-04-30
申请人： 广州奥松电子股份有限公司 , 北京理工大学 , 北京航空航天大学
IPC分类号： H01L21/3213 , B81C1/00
摘要： 本申请涉及半导体集成电路制造制造技术领域，具体涉及一种晶圆湿法刻蚀方法及其晶圆，晶圆包括衬底和复合金属层，复合金属层覆盖在衬底的预设面，复合金属层包括第一金属层和第二金属层，第一金属层覆盖在第二金属层的表面，通过本发明提供的湿法刻蚀方法工艺，通过对不同金属层设置不同掩膜版及控制掩膜版透明区域的宽度，有效解决了采用传统工艺对复合金属膜进行湿法刻蚀时，处于底层金属尺寸失真的问题，提高了复合金属薄膜湿法刻蚀底层尺寸精度，也提升了晶圆生产的良品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN118507376A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410605849.5
申请日：2024-05-16
申请人： 广州奥松电子股份有限公司 , 北京理工大学 , 北京航空航天大学
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
摘要： 本发明公开了一种湿法刻蚀氧化硅终点检测方法，属于半导体刻蚀技术领域，首先，在晶圆表面沿离子注入预设路径制备离子图形，将离子注入在离子图形区域内；其次，在注入离子的晶圆表面制备标记物图形，在注入的离子表面和第二光刻胶层表面分别镀上标记物；然后，在留存在离子表面的标记物上和晶圆上制备保护层；接着，在保护层表面沿离子注入预设路径制备刻蚀图形；最后，在刻蚀的过程中，检测所述标记物的厚度变化并同步确认所述离子表面标记物的颜色变化，当观察所述离子表面标记物颜色消失时，判断离子表面的保护层已被刻蚀完成，停止刻蚀，该检测方法无需进行电阻和膜厚测试，节省了时间和测试步骤，且不容易损伤基底。
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公开(公告)号：CN118604066B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411067192.8
申请日：2024-08-06
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种气体传感器芯片结构、传感器芯片制备方法及气体传感器，该结构包括基底、电极组件和气敏膜；所述电极组件包括第一叉状电极和第二叉状电极，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极均设置在基底上，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间存在位面差；所述气敏膜设置在所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间，能够保证气敏膜维持较小体积的前提下，提高所述第一叉状电极和第二叉状电极的连接稳定性，降低气敏膜的厚度控制难度，同时提高响应速度。
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公开(公告)号：CN114577866B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210099898.7
申请日：2022-01-27
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
IPC分类号： G01N27/26 , G01N27/416
摘要： 本发明公开了一种气体传感器，包括壳体，壳体的顶部设有通孔，用于允许外界气体通入；壳体内设有反应腔，反应腔的顶部设有入口组件，所述入口组件设于通孔的进气方向上，用于允许待测气体通过；所述反应腔内设有电解液以及与所述电解液接触的电极组件，所述壳体的内部与反应腔的外部之间设有一凹位，所述凹位内设置有补偿电阻。本发明通过在壳体的内部与反应腔的外部之间设置一独立的凹位，用于放置补偿电阻，既解决了传感器受温度变化而使输出的电信号误差大的问题，还可以使补偿电阻能更灵敏地感受传感器的温度变化，从而快速进行温度补偿。
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公开(公告)号：CN117723159A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311769893.1
申请日：2023-12-21
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
摘要： 本申请涉及温度探测技术领域，是关于一种深水热电偶测温装置及控制系统，包括：中空箱体和热电偶；中空箱体的内部设有汇流腔体、沉淀腔体和测温腔体，沉淀腔体位于汇流腔体的正下方，并与汇流腔体连通；热电偶设置在测温腔体内，热电偶用于检测测温腔体内的水温；其中，中空箱体的内部还设有排出管道和N条汇流管道，且排出管道的进液口与沉淀腔体连通，排出管道的出液口与测温腔体连通，N为大于1的整数；汇流管道的进液口位于中空箱体的外侧，汇流管道的出液口均与汇流腔体连通，且N个汇流管道的出液口均基于汇流腔体的中点中心对称；本申请提供的方案，实现了在深水区域中进行测温，解决了深水区域中高压流水、泥沙和海中生物对热电偶损坏的问题。
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公开(公告)号：CN115828681A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211480369.8
申请日：2022-11-24
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
IPC分类号： G06F30/23 , G06F119/08
摘要： 本发明实施例公开了一种量热式绝对湿度传感器优化方法和湿度传感器，涉及湿度传感器的设计领域，该方法包括：使用COMSOL软件建立需要求解的量热式绝对湿度传感器的初始几何物理模型；导入提取电路，将所述提取电路与所述初始几何物理模型相连；设置边界条件；划分网格并计算。本发明实施例将制作测温元件的悬膜干法蚀刻/湿法蚀刻的工艺、驱动电路、信号提取方式、不同温度湿空气的传热性能的变化、加热过程中测温元件三维空间中系数的变化、以及自然热对流过程中的系统热稳定时间等任一强耦合的设计考虑在设计优化方法中，提升优化结果的可信性和实用性。
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公开(公告)号：CN118604066A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411067192.8
申请日：2024-08-06
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种气体传感器芯片封装结构、传感器芯片封装方式及气体传感器，该封装结构包括基底、电极组件和气敏膜；所述电极组件包括第一叉状电极和第二叉状电极，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极均设置在基底上，所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间存在位面差；所述气敏膜设置在所述第一叉状电极和所述第二叉状电极之间，能够保证气敏膜维持较小体积的前提下，提高所述第一叉状电极和第二叉状电极的连接稳定性，降低气敏膜的厚度控制难度，同时提高响应速度。
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公开(公告)号：CN115172194A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210585554.7
申请日：2022-05-27
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/488
摘要： 本申请公开了一种半导体器件用电极的制造方法及半导体器件，所述方法包括：在电极本体上设置焊区；在所述焊区上设置覆盖所述焊区的第一指示区；在所述第一指示区上设置覆盖所述第一指示区的第一透光保护区；去除所述第一透光保护区和第一指示区。本申请还公开了一种采用所述方法而制得的半导体器件。本申请可以仅通过显微镜就能判断出焊区处的保护层是否完全去除，无需对焊区进行电阻测试，从而减少了测试步骤，有利于节省时间。
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公开(公告)号：CN114577866A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210099898.7
申请日：2022-01-27
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
IPC分类号： G01N27/26 , G01N27/416
摘要： 本发明公开了一种气体传感器，包括壳体，壳体的顶部设有通孔，用于允许外界气体通入；壳体内设有反应腔，反应腔的顶部设有入口组件，所述入口组件设于通孔的进气方向上，用于允许待测气体通过；所述反应腔内设有电解液以及与所述电解液接触的电极组件，所述壳体的内部与反应腔的外部之间设有一凹位，所述凹位内设置有补偿电阻。本发明通过在壳体的内部与反应腔的外部之间设置一独立的凹位，用于放置补偿电阻，既解决了传感器受温度变化而使输出的电信号误差大的问题，还可以使补偿电阻能更灵敏地感受传感器的温度变化，从而快速进行温度补偿。
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公开(公告)号：CN118937449A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411028074.6
申请日：2024-07-30
申请人： 广州奥松电子股份有限公司
IPC分类号： G01N27/413
摘要： 本发明属于电化学氧传感器领域，公开了一种电化学氧传感器，由阴极、阳极和电解液组成，所述电解液包括碱金属的氢氧化物、添加剂、稳定剂和水，所述添加剂为可溶性无机盐，稳定剂为水溶性聚合物聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、羟乙基甲基纤维素、羧甲基纤维素钠、碳酸酯中的一种或两种以上。本发明电解液可显著提高传感器氧分压测量范围，可超过4bar，甚至5bar，且氧分压与电压的线性关系良好，从而能保证高氧分压下的测量精度。
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