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公开(公告)号：CN111602235A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201980008457.8
申请日：2019-01-18
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿道夫·M·艾伦 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 兰德尔·D·施密丁 , 凡妮莎·法恩
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/683 , C23C14/34
摘要： 处理配件包括屏蔽件及环组件，用于在处理腔室中围绕基板支撑件定位，以减少处理沉积物在内部腔室部件及基板的悬伸边缘上的沉积。屏蔽件包括圆筒形带，该圆筒形带具有顶壁及底壁的倾斜部分，该顶壁被配置为围绕溅射靶材，该底壁的倾斜部分具有实质直的轮廓、具有气体传导孔且被配置为围绕基板支撑件。环组件包括盖环，该盖环具有围绕所述环的周边的球形突起。盖环的球形突起能够阻挡屏蔽件上的气体传导孔与处理腔室中的腔室主体空腔的入口之间的视线。
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公开(公告)号：CN113412341B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202080013665.X
申请日：2020-02-11
申请人： 应用材料公司
摘要： 披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前，可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分，使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。
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公开(公告)号：CN109863574A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201780064294.6
申请日：2017-09-12
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/34
摘要： 一种用于产生和输送用于处理腔室的脉冲高电压信号的系统，包括：远程设置的高电压源、脉冲发生器、第一屏蔽缆线和第二屏蔽缆线，所述远程设置的高电压源产生高电压信号，所述脉冲发生器比所述高电压源相对更靠近所述处理腔室而设置，所述第一屏蔽缆线将高电压信号从远程设置的高电压源输送至脉冲发生器来加以脉冲，所述第二屏蔽缆线将脉冲高电压信号从脉冲发生器输送至处理腔室。一种用于产生和输送脉冲高电压信号到处理腔室的方法，包括以下步骤：在远离处理腔室的位置处产生高电压信号，将高电压信号输送到相对更靠近处理腔室的位置来加以脉冲，对所输送的高电压信号加以脉冲，和将脉冲高电压信号输送到处理腔室。
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公开(公告)号：CN113412341A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202080013665.X
申请日：2020-02-11
申请人： 应用材料公司
摘要： 披露了用于减少沉积在基板上的颗粒的物理气相沉积方法。可增加溅射期间的压力以引起在等离子体中形成的颗粒的团聚。在熄灭等离子体之前，可将团聚的颗粒移动到处理腔室的外部部分，使得团聚物无害地落在基板的直径的外侧。
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公开(公告)号：CN113785084B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080032707.4
申请日：2020-05-13
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿道夫·M·艾伦 , 凡妮莎·法恩 , 华忠强 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 菲利普·A·克劳斯 , 龚则敬 , 周磊 , 哈伯特·冲 , 瓦贝哈夫·索尼 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔
摘要： 本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被支撑在工艺腔室的壁上并且具有用于支撑屏蔽物的搁置表面；和加热器，该加热器耦接至适配器部分并且经配置以电耦接至工艺腔室的至少一个电源以加热屏蔽物。
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公开(公告)号：CN113785084A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032707.4
申请日：2020-05-13
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿道夫·M·艾伦 , 凡妮莎·法恩 , 华忠强 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 菲利普·A·克劳斯 , 龚则敬 , 周磊 , 哈伯特·冲 , 瓦贝哈夫·索尼 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔
摘要： 本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被支撑在工艺腔室的壁上并且具有用于支撑屏蔽物的搁置表面；和加热器，该加热器耦接至适配器部分并且经配置以电耦接至工艺腔室的至少一个电源以加热屏蔽物。
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公开(公告)号：CN111279457A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880070573.8
申请日：2018-10-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/28
摘要： 使用物理气相沉积处理形成介电膜层的设备和方法包括将溅射气体输送到位于处理腔室的处理区域中的基板，该处理腔室具有含电介质的溅射靶，输送能量脉冲到溅射气体产生溅射等离子体，溅射等离子体由能量脉冲所形成，能量脉冲具有在小于50kHz并且大于5kHz的频率下的在约800伏特和约2000伏特之间的平均电压和在约50安培和约300安培之间的平均电流，并且将溅射等离子体引导朝向含电介质的溅射靶以形成包含从含电介质的溅射靶溅射的电介质材料的电离物质，电离物质在基板上形成含电介质的膜。
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