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公开(公告)号：CN109863574A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201780064294.6
申请日：2017-09-12
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/34
摘要： 一种用于产生和输送用于处理腔室的脉冲高电压信号的系统，包括：远程设置的高电压源、脉冲发生器、第一屏蔽缆线和第二屏蔽缆线，所述远程设置的高电压源产生高电压信号，所述脉冲发生器比所述高电压源相对更靠近所述处理腔室而设置，所述第一屏蔽缆线将高电压信号从远程设置的高电压源输送至脉冲发生器来加以脉冲，所述第二屏蔽缆线将脉冲高电压信号从脉冲发生器输送至处理腔室。一种用于产生和输送脉冲高电压信号到处理腔室的方法，包括以下步骤：在远离处理腔室的位置处产生高电压信号，将高电压信号输送到相对更靠近处理腔室的位置来加以脉冲，对所输送的高电压信号加以脉冲，和将脉冲高电压信号输送到处理腔室。
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公开(公告)号：CN109642312A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780050740.8
申请日：2017-07-26
申请人： 应用材料公司
发明人： 刘菁菁 , 华忠强 , 阿道夫·米勒·艾伦 , 迈克尔·W·斯托威尔 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 巴尔加夫·西特拉 , 维加斯拉夫·巴巴扬 , 安德烈·哈莱比卡
摘要： 一种沉积非晶碳膜包括至少95％碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳-碳键的百分比超过30％，且此非晶碳膜的氢含量小于5％。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处理腔室。此方法进一步包括提供碳靶材，使得此磁场延伸通过此碳靶材朝向此工件。此方法进一步包括提供源气体至此处理腔室，和提供DC功率脉冲至在此处理腔室内由此源气体形成的等离子体。此DC功率脉冲被以40微秒或更小的脉冲供应，以至少4kHz的频率重复。
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公开(公告)号：CN109642312B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201780050740.8
申请日：2017-07-26
申请人： 应用材料公司
发明人： 刘菁菁 , 华忠强 , 阿道夫·米勒·艾伦 , 迈克尔·W·斯托威尔 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 巴尔加夫·西特拉 , 维加斯拉夫·巴巴扬 , 安德烈·哈莱比卡
摘要： 一种沉积非晶碳膜包括至少95％碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳‑碳键的百分比超过30％，且此非晶碳膜的氢含量小于5％。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处理腔室。此方法进一步包括提供碳靶材，使得此磁场延伸通过此碳靶材朝向此工件。此方法进一步包括提供源气体至此处理腔室，和提供DC功率脉冲至在此处理腔室内由此源气体形成的等离子体。此DC功率脉冲被以40微秒或更小的脉冲供应，以至少4kHz的频率重复。
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公开(公告)号：CN112673457B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980059660.8
申请日：2019-08-20
申请人： 应用材料公司
发明人： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 李景义 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 华忠强 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。
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公开(公告)号：CN109496344A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201780046500.0
申请日：2017-07-18
申请人： 应用材料公司
发明人： 迈克尔·W·斯托威尔 , 维加斯拉夫·巴巴扬 , 刘晶晶 , 华忠强
摘要： 此处所呈现的实施方式涉及用于基板处理系统的脉冲控制系统。脉冲控制系统包括功率源、系统控制器和脉冲形状控制器。脉冲形状控制器耦接至功率源且与系统控制器连通。脉冲形状控制器包括第一切换组件和第二切换组件。第一切换组件包括具有第一端和第二端的第一切换器。第一切换器可配置于断开状态与导通状态之间。第二切换组件包括具有第一端和第二端的第二切换器。第一切换器在导通状态中且第二切换器在断开状态中。在导通状态中的第一切换器配置成允许将由功率源所供应的脉冲传送通过脉冲形状控制器。
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公开(公告)号：CN113785084B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080032707.4
申请日：2020-05-13
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿道夫·M·艾伦 , 凡妮莎·法恩 , 华忠强 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 菲利普·A·克劳斯 , 龚则敬 , 周磊 , 哈伯特·冲 , 瓦贝哈夫·索尼 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔
摘要： 本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被支撑在工艺腔室的壁上并且具有用于支撑屏蔽物的搁置表面；和加热器，该加热器耦接至适配器部分并且经配置以电耦接至工艺腔室的至少一个电源以加热屏蔽物。
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公开(公告)号：CN113785084A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202080032707.4
申请日：2020-05-13
申请人： 应用材料公司
发明人： 阿道夫·M·艾伦 , 凡妮莎·法恩 , 华忠强 , 克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚 , 阿南塔·K·萨布拉曼尼 , 菲利普·A·克劳斯 , 龚则敬 , 周磊 , 哈伯特·冲 , 瓦贝哈夫·索尼 , 基索尔·卡拉提帕拉比尔
摘要： 本文提供工艺配件屏蔽物和包含该工艺配件屏蔽物的工艺腔室的实施方式。在一些实施方式中，被配置成用于在工艺腔室中使用以处理基板的工艺配件包括：屏蔽物，该屏蔽物具有圆柱形主体，该圆柱形主体具有上部分和下部分；适配器部分，该适配器部分经配置以被支撑在工艺腔室的壁上并且具有用于支撑屏蔽物的搁置表面；和加热器，该加热器耦接至适配器部分并且经配置以电耦接至工艺腔室的至少一个电源以加热屏蔽物。
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公开(公告)号：CN112673457A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201980059660.8
申请日：2019-08-20
申请人： 应用材料公司
发明人： 巴加夫·S·西特拉 , 杰思罗·塔诺斯 , 李景义 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 华忠强 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01J37/32 , H05H1/46
摘要： 本发明的实施方式提供了一种用于使用RF偏压脉冲以及远程等离子体源沉积来沉积介电材料的设备和方法，以用于制造半导体装置，特别是用于在半导体应用中填充具有高深宽比的开口。在一个实施方式中，一种沉积介电材料的方法包括：将气体混合物提供到处理腔室中，处理腔室中设置有基板；在远程等离子体源中形成远程等离子体并将远程等离子体输送到处理腔室中界定的内部处理区域；以脉冲模式将RF偏压功率施加到处理腔室；及在存在气体混合物和远程等离子体的情况下，在设置在基板上的材料层中界定的开口中形成介电材料。
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公开(公告)号：CN111279457A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880070573.8
申请日：2018-10-09
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H05H1/46 , H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/28
摘要： 使用物理气相沉积处理形成介电膜层的设备和方法包括将溅射气体输送到位于处理腔室的处理区域中的基板，该处理腔室具有含电介质的溅射靶，输送能量脉冲到溅射气体产生溅射等离子体，溅射等离子体由能量脉冲所形成，能量脉冲具有在小于50kHz并且大于5kHz的频率下的在约800伏特和约2000伏特之间的平均电压和在约50安培和约300安培之间的平均电流，并且将溅射等离子体引导朝向含电介质的溅射靶以形成包含从含电介质的溅射靶溅射的电介质材料的电离物质，电离物质在基板上形成含电介质的膜。
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