用于来自竖直等离子体源的改进等离子体暴露的成形电极

    公开(公告)号:CN111492459A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201880081028.9

    申请日:2018-12-14

    IPC分类号: H01J37/32 C23C16/50

    摘要: 等离子体源组件,所述等离子体源组件包括:RF热电极,所述RF热电极具有主体;和至少一个返回电极,所述至少一个返回电极与所述RF热电极间隔开以提供间隙,等离子体能够形成在所述间隙中。RF馈电器在距所述RF热电极的内周端部的某个距离处连接到所述RF热电极,所述距离小于或等于所述RF热电极的长度的约25%。所述RF热电极可包括与所述RF热电极的所述主体成某个角度延伸的腿和在所述腿附近的可选的三角形部分。在所述RF热电极和所述返回电极中的一个或多个上的包层材料可沿所述等离子体间隙的长度可变地间隔开或具有可变性质。

    用于来自竖直等离子体源的改进等离子体暴露的成形电极

    公开(公告)号:CN111492459B

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN201880081028.9

    申请日:2018-12-14

    IPC分类号: H01J37/32 C23C16/50

    摘要: 等离子体源组件,所述等离子体源组件包括:RF热电极,所述RF热电极具有主体;和至少一个返回电极,所述至少一个返回电极与所述RF热电极间隔开以提供间隙,等离子体能够形成在所述间隙中。RF馈电器在距所述RF热电极的内周端部的某个距离处连接到所述RF热电极,所述距离小于或等于所述RF热电极的长度的约25%。所述RF热电极可包括与所述RF热电极的所述主体成某个角度延伸的腿和在所述腿附近的可选的三角形部分。在所述RF热电极和所述返回电极中的一个或多个上的包层材料可沿所述等离子体间隙的长度可变地间隔开或具有可变性质。

    用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件、多阴极处理腔室和用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件部件

    公开(公告)号:CN212392209U

    公开(公告)日:2021-01-22

    申请号:CN201890001014.7

    申请日:2018-06-05

    IPC分类号: H01J37/34 C23C14/35

    摘要: 公开用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件、多阴极处理腔室和用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件部件。工艺配件包括以下中的一个或多个:锥形屏蔽物、可旋转的屏蔽物、护罩、内部沉积环、外部沉积环或盖环。在一些实施方式中,工艺配件包括:可旋转的屏蔽物,可旋转的屏蔽物具有底座、锥形部分和套环部分,锥形部分从底座向下且向外延伸,套环部分从锥形部分向外延伸;内部沉积环,具有腿部分、平直部分、第一凹部与第一唇部,平直部分从腿部分向内延伸,第一凹部从平直部分向内延伸,第一唇部从第一凹部的最内区段向上延伸;和外部沉积环,具有套环部分、上平直部分、第二凹部与第二唇部,上平直部分在套环部分上方且从套环部分向内延伸,第二凹部从上平直部分向内延伸,第二唇部从第二凹部向上延伸。

    工艺配件、多阴极处理腔室和工艺配件部件

    公开(公告)号:CN215731576U

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202120006281.7

    申请日:2018-06-05

    IPC分类号: H01J37/34 C23C14/35

    摘要: 公开用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件、多阴极处理腔室和用于在多阴极处理腔室中使用的工艺配件部件。工艺配件包括以下中的一个或多个:锥形屏蔽物、可旋转的屏蔽物、护罩、内部沉积环、外部沉积环或盖环。在一些实施方式中,工艺配件包括:可旋转的屏蔽物,可旋转的屏蔽物具有底座、锥形部分和套环部分,锥形部分从底座向下且向外延伸,套环部分从锥形部分向外延伸;内部沉积环,具有腿部分、平直部分、第一凹部与第一唇部,平直部分从腿部分向内延伸,第一凹部从平直部分向内延伸,第一唇部从第一凹部的最内区段向上延伸;和外部沉积环,具有套环部分、上平直部分、第二凹部与第二唇部,上平直部分在套环部分上方且从套环部分向内延伸,第二凹部从上平直部分向内延伸,第二唇部从第二凹部向上延伸。