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公开(公告)号：CN104871361B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201380067241.1
申请日：2013-12-17
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01M10/058 , H01M10/0585
CPC分类号： H01M6/40 , C23C14/088 , C23C14/34 , H01M4/0426 , H01M10/0436 , H01M10/0585
摘要： 一种制造薄膜电池的方法，所述方法可包括以下步骤：在基板上沉积覆盖层的第一堆叠，所述第一堆叠包括阴极集电器、阴极、电解质、阳极和阳极集电器；激光冲模图案化第一堆叠，以形成一个或更多个第二堆叠，各第二堆叠形成独立薄膜电池的核心；在一个或更多个第二堆叠之上覆盖沉积封装层；激光图案化所述封装层，以为一个或更多个第二堆叠的每一者上的阳极集电器打开接触区域；在封装层和接触区域之上覆盖沉积金属衬垫层；和激光图案化金属衬垫层，以电隔离一个或更多个薄膜电池的每一者的阳极集电器。对于非导电基板，穿过基板打开阴极接触区域。
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公开(公告)号：CN104396081A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380032074.7
申请日：2013-06-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01M10/0585 , H01M4/04
CPC分类号： H01M4/0471 , C23C14/58 , H01M6/40 , H01M10/0585
摘要： 微波辐射可应用到电化学装置，以快速热处理(RTP)(包括退火、结晶、致密化、形成等)电化学装置各层和装置堆叠，所述装置堆叠包括块体和薄膜电池和薄膜电致变色装置。制造电化学装置的方法可包含：沉积电化学装置层于基板上；及对所述层进行微波退火，其中微波退火包括选择退火条件，使所述层优先吸收微波能量。用于形成电化学装置的设备可包含：第一系统，所述第一系统用以沉积电化学装置层于基板上；及第二系统，所述第二系统用以对所述层进行微波退火，其中第二系统被配置以使所述装置层优先吸收微波能量。
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公开(公告)号：CN103608967A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029787.3
申请日：2012-06-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01M14/00
CPC分类号： H01M6/40 , H01M4/0426 , H01M4/0471 , H01M4/139 , H01M4/70 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2/145 , H01M2/18 , H01M10/0525
摘要： 一种制造薄膜电池的方法可包括以下步骤：覆盖沉积电解质层，接着选择性地激光图案化电解质层。一些或者所有其他的装置层可以是使用遮光掩模形成的原位图案化的层。
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公开(公告)号：CN105789680A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610273983.5
申请日：2012-08-08
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01M10/04
CPC分类号： H01L31/1876 , H01L31/02164 , H01L31/02167 , H01L31/024 , H01L31/0463 , H01L31/18 , H01M4/0471 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/0404
摘要： 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层，并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层，以减少流入下层金属层的热量，使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm，或在一些实施方式中，使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。
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公开(公告)号：CN103636025A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280029531.2
申请日：2012-06-14
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01M6/40 , B01J19/121 , B01J2219/0879 , B01J2219/12 , C01B21/097 , C01G51/42 , C01P2006/40 , H01M2/026 , H01M2/0277 , H01M2/26 , H01M4/04 , H01M4/0426 , H01M4/139 , H01M4/1395 , H01M4/382 , H01M4/525 , H01M6/005 , H01M6/185 , H01M6/186 , H01M10/0404 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2220/30 , H01M2300/0068 , Y10T29/49108
摘要： 一种通过工艺制造的薄膜电池(Thin film batteries,TFB)，所述工艺去除和/或最小化遮光掩模的使用。选择性激光烧蚀(ablation)工艺被用于满足某些或所有图案化的要求，在所述激光烧蚀工艺中，激光图案化工艺除去一层或堆叠层同时完整留下下方的层。对于来自基板侧的冲模图案化，其中激光束在到达沉积层之前穿过基板，诸如非晶硅层或微晶硅层之类的冲模图案化辅助层可用于实现热应力失配引发的激光烧蚀，这样极大地降低除去材料所需的激光能量。
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公开(公告)号：CN105789680B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610273983.5
申请日：2012-08-08
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01M10/04
CPC分类号： H01L31/1876 , H01L31/02164 , H01L31/02167 , H01L31/024 , H01L31/0463 , H01L31/18 , H01M4/0471 , H01M6/40 , H01M10/0436
摘要： 通过激光直接图案化选择性除去诸如太阳能电池、电致变色装置和薄膜电池之类的薄膜结构和装置的指定层是通过将光热阻挡层包括在紧邻于待由激光烧蚀除去的指定层的装置/结构堆叠中来实现的。光阻挡层是吸收或反射穿透介电层/半导体层的一部分激光能量的金属层，并且热阻挡层是具有足够低的热扩散系数的导电层，以减少流入下层金属层的热量，使得下层金属层的温度达不到熔化温度Tm，或在一些实施方式中，使得下层金属层的温度在激光直接图案化期间达不到(Tm)/3。
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公开(公告)号：CN103608967B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280029787.3
申请日：2012-06-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01M14/00
CPC分类号： H01M6/40 , H01M4/0426 , H01M4/0471 , H01M4/139 , H01M4/70 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585
摘要： 一种制造薄膜电池的方法可包括以下步骤：覆盖沉积电解质层，接着选择性地激光图案化电解质层。一些或者所有其他的装置层可以是使用遮光掩模形成的原位图案化的层。
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公开(公告)号：CN106025393A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610370915.0
申请日：2012-06-14
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01M6/40 , B01J19/121 , B01J2219/0879 , B01J2219/12 , C01B21/097 , C01G51/42 , C01P2006/40 , H01M2/026 , H01M2/0277 , H01M2/26 , H01M4/04 , H01M4/0426 , H01M4/139 , H01M4/1395 , H01M4/382 , H01M4/525 , H01M6/005 , H01M6/185 , H01M6/186 , H01M10/0404 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2220/30 , H01M2300/0068 , Y10T29/49108 , H01M10/36 , H01M10/38
摘要： 一种通过工艺制造的薄膜电池(Thin film batteries,TFB)，所述工艺去除和/或最小化遮光掩模的使用。选择性激光烧蚀(ablation)工艺被用于满足某些或所有图案化的要求，在所述激光烧蚀工艺中，激光图案化工艺除去一层或堆叠层同时完整留下下方的层。对于来自基板侧的冲模图案化，其中激光束在到达沉积层之前穿过基板，诸如非晶硅层或微晶硅层之类的冲模图案化辅助层可用于实现热应力失配引发的激光烧蚀，这样极大地降低除去材料所需的激光能量。
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公开(公告)号：CN104871361A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380067241.1
申请日：2013-12-17
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01M10/058 , H01M10/0585
CPC分类号： H01M6/40 , C23C14/088 , C23C14/34 , H01M4/0426 , H01M10/0436 , H01M10/0585
摘要： 一种制造薄膜电池的方法，所述方法可包括以下步骤：在基板上沉积覆盖层的第一堆叠，所述第一堆叠包括阴极集电器、阴极、电解质、阳极和阳极集电器；激光冲模图案化第一堆叠，以形成一个或更多个第二堆叠，各第二堆叠形成独立薄膜电池的核心；在一个或更多个第二堆叠之上覆盖沉积封装层；激光图案化所述封装层，以为一个或更多个第二堆叠的每一者上的阳极集电器打开接触区域；在封装层和接触区域之上覆盖沉积金属衬垫层；和激光图案化金属衬垫层，以电隔离一个或更多个薄膜电池的每一者的阳极集电器。对于非导电基板，穿过基板打开阴极接触区域。
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公开(公告)号：CN106797056A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055121.9
申请日：2015-09-04
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01M10/0585 , H01M10/04 , H01M4/04 , H01M4/64
CPC分类号： H01M10/0585 , H01M4/0421 , H01M4/661 , H01M4/70 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/4235
摘要： 一种薄膜电池所述可包括：基板、阴极集电体层、阳极集电体层、阴极层、电解质层和阳极层，其中阳极集电体的阳极接触区域的一部分未被阳极层覆盖，且其中电解质层中的电气绝缘缓冲区域未被阳极层覆盖，所述电气绝缘缓冲区域位于阴极集电体层的接触区域与阳极层之间，用于使邻近于阴极集电体的接触区域的阴极层的激光切割边缘与阳极层的激光切割边缘电气隔离。本文也描述用于形成薄膜电池的方法和设备。
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