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公开(公告)号：CN102870260B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180004721.4
申请日：2011-02-01
发明人： 法比奥·罗西亚诺 , 保罗·普罗斯佩罗·佩斯卡莫纳 , 安德烈·佩尔松
CPC分类号： H01M10/0562 , C01F7/002 , C01F7/162 , C01G9/006 , C01P2002/32 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2002/86 , C01P2006/40 , H01B1/08 , H01M6/185 , H01M6/186 , H01M2300/0071
摘要： 本发明的主要目的是提供一种具有优异的离子电导率和高电化学稳定性的离子导体。本发明通过提供如下离子导体来解决技术问题：其具有尖晶石结构并且由以下通式表示：(AxM1-x-yM’y)Al2O4(“A”是单价金属，“M”是二价金属，“M’”是三价金属，并且“x”和“y”满足关系：0＜x＜1、0＜y＜1并且x+y＜1)。
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公开(公告)号：CN103270641A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180063403.5
申请日：2011-11-07
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： H01M10/39 , H01M4/38 , H01M10/0562
CPC分类号： H01M6/186 , H01M4/38 , H01M10/0562 , H01M10/39 , H01M2300/0071
摘要： 本发明涉及在室温或者在更高的温度下可操作的锂-硫-电池，其阳极（1）和阴极（2）通过传导锂离子而不传导电子的固体电解质（3）分开。此外，本发明涉及这种锂-硫-电池的操作方法和这种锂-硫-电池的应用。
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公开(公告)号：CN106025393A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610370915.0
申请日：2012-06-14
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01M6/40 , B01J19/121 , B01J2219/0879 , B01J2219/12 , C01B21/097 , C01G51/42 , C01P2006/40 , H01M2/026 , H01M2/0277 , H01M2/26 , H01M4/04 , H01M4/0426 , H01M4/139 , H01M4/1395 , H01M4/382 , H01M4/525 , H01M6/005 , H01M6/185 , H01M6/186 , H01M10/0404 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2220/30 , H01M2300/0068 , Y10T29/49108 , H01M10/36 , H01M10/38
摘要： 一种通过工艺制造的薄膜电池(Thin film batteries,TFB)，所述工艺去除和/或最小化遮光掩模的使用。选择性激光烧蚀(ablation)工艺被用于满足某些或所有图案化的要求，在所述激光烧蚀工艺中，激光图案化工艺除去一层或堆叠层同时完整留下下方的层。对于来自基板侧的冲模图案化，其中激光束在到达沉积层之前穿过基板，诸如非晶硅层或微晶硅层之类的冲模图案化辅助层可用于实现热应力失配引发的激光烧蚀，这样极大地降低除去材料所需的激光能量。
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公开(公告)号：CN104823321A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201380062314.8
申请日：2013-10-15
申请人： CYMBET公司
发明人： 斯图尔特·K·莎士比亚 , 斯坦利·J·斯塔尼斯洛斯基 , 马修·E·弗拉特兰德 , 斯蒂芬·W·唐尼 , 摩根·J·托马
IPC分类号： H01M10/0585 , H01M2/10
CPC分类号： H01M10/0585 , H01M2/10 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M4/66 , H01M4/661 , H01M6/186 , H01M6/188 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M2220/30 , H01M2300/0068
摘要： 一种薄膜电池，包括玻璃或陶瓷基底，该基底的热膨胀系数(CTE)为约7ppm/°K至约10ppm/°K；连续的金属或金属氧化物阴极集流体，其厚度小于约3μm，该阴极集流体位于该玻璃或陶瓷基底之上；阴极材料层在阴极集流体之上，该阴极材料层包含锂过渡金属氧化物，该锂过渡金属氧化物是厚度为约10μm至约80μm的连续膜；位于该阴极材料层之上的LiPON电解质层，其厚度为约0.5μm至约4μm；以及具有任意阳极材料的阳极集流体。对该电池的制造和使用方法进行了描述。
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公开(公告)号：CN104823321B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201380062314.8
申请日：2013-10-15
申请人： CYMBET公司
发明人： 斯图尔特·K·莎士比亚 , 斯坦利·J·斯塔尼斯洛斯基 , 马修·E·弗拉特兰德 , 斯蒂芬·W·唐尼 , 摩根·J·托马
IPC分类号： H01M10/0585 , H01M2/10
CPC分类号： H01M10/0585 , H01M2/10 , H01M4/0471 , H01M4/1391 , H01M4/1397 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M4/66 , H01M4/661 , H01M6/186 , H01M6/188 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M2220/30 , H01M2300/0068
摘要： 一种薄膜电池，包括玻璃或陶瓷基底，该基底的热膨胀系数(CTE)为约7ppm/K至约10ppm/K；连续的金属或金属氧化物阴极集流体，其厚度小于约3μm，该阴极集流体位于该玻璃或陶瓷基底之上；阴极材料层在阴极集流体之上，该阴极材料层包含锂过渡金属氧化物，该锂过渡金属氧化物是厚度为约10μm至约80μm的连续膜；位于该阴极材料层之上的LiPON电解质层，其厚度为约0.5μm至约4μm；以及具有任意阳极材料的阳极集流体。对该电池的制造和使用方法进行了描述。
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公开(公告)号：CN103636025A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280029531.2
申请日：2012-06-14
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01M6/40 , B01J19/121 , B01J2219/0879 , B01J2219/12 , C01B21/097 , C01G51/42 , C01P2006/40 , H01M2/026 , H01M2/0277 , H01M2/26 , H01M4/04 , H01M4/0426 , H01M4/139 , H01M4/1395 , H01M4/382 , H01M4/525 , H01M6/005 , H01M6/185 , H01M6/186 , H01M10/0404 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2220/30 , H01M2300/0068 , Y10T29/49108
摘要： 一种通过工艺制造的薄膜电池(Thin film batteries,TFB)，所述工艺去除和/或最小化遮光掩模的使用。选择性激光烧蚀(ablation)工艺被用于满足某些或所有图案化的要求，在所述激光烧蚀工艺中，激光图案化工艺除去一层或堆叠层同时完整留下下方的层。对于来自基板侧的冲模图案化，其中激光束在到达沉积层之前穿过基板，诸如非晶硅层或微晶硅层之类的冲模图案化辅助层可用于实现热应力失配引发的激光烧蚀，这样极大地降低除去材料所需的激光能量。
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公开(公告)号：CN1949569B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610135929.0
申请日：2006-10-13
申请人： 株式会社小原
发明人： 印田靖
CPC分类号： C01B25/45 , H01M6/185 , H01M6/186 , H01M6/188 , H01M10/0562 , H01M2300/0068
摘要： 适合用于全固体型锂离子二次电池的固体电解质是通过烧结包括至少锂离子导电性无机物质粉末的成形体、尤其坯片来制备的。固体电解质具有20体积％或20体积％以上的孔隙度。
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公开(公告)号：CN106025393B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201610370915.0
申请日：2012-06-14
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01M6/40 , B01J19/121 , B01J2219/0879 , B01J2219/12 , C01B21/097 , C01G51/42 , C01P2006/40 , H01M2/026 , H01M2/0277 , H01M2/26 , H01M4/04 , H01M4/0426 , H01M4/139 , H01M4/1395 , H01M4/382 , H01M4/525 , H01M6/005 , H01M6/185 , H01M6/186 , H01M10/0404 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2220/30 , H01M2300/0068 , Y10T29/49108
摘要： 一种通过工艺制造的薄膜电池(Thin film batteries,TFB)，所述工艺去除和/或最小化遮光掩模的使用。选择性激光烧蚀(ablation)工艺被用于满足某些或所有图案化的要求，在所述激光烧蚀工艺中，激光图案化工艺除去一层或堆叠层同时完整留下下方的层。对于来自基板侧的冲模图案化，其中激光束在到达沉积层之前穿过基板，诸如非晶硅层或微晶硅层之类的冲模图案化辅助层可用于实现热应力失配引发的激光烧蚀，这样极大地降低除去材料所需的激光能量。
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公开(公告)号：CN103636025B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280029531.2
申请日：2012-06-14
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01M6/40 , B01J19/121 , B01J2219/0879 , B01J2219/12 , C01B21/097 , C01G51/42 , C01P2006/40 , H01M2/026 , H01M2/0277 , H01M2/26 , H01M4/04 , H01M4/0426 , H01M4/139 , H01M4/1395 , H01M4/382 , H01M4/525 , H01M6/005 , H01M6/185 , H01M6/186 , H01M10/0404 , H01M10/0436 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M2220/30 , H01M2300/0068 , Y10T29/49108
摘要： 一种通过工艺制造的薄膜电池(Thin film batteries,TFB)，所述工艺去除和/或最小化遮光掩模的使用。选择性激光烧蚀(ablation)工艺被用于满足某些或所有图案化的要求，在所述激光烧蚀工艺中，激光图案化工艺除去一层或堆叠层同时完整留下下方的层。对于来自基板侧的冲模图案化，其中激光束在到达沉积层之前穿过基板，诸如非晶硅层或微晶硅层之类的冲模图案化辅助层可用于实现热应力失配引发的激光烧蚀，这样极大地降低除去材料所需的激光能量。
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公开(公告)号：CN104393346A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410539657.5
申请日：2014-07-29
申请人： 原子能和代替能源委员会
IPC分类号： H01M10/058
CPC分类号： H01M10/04 , B81C1/00396 , B81C1/00412 , C09K13/04 , C23F1/02 , C23F4/00 , G03F7/094 , H01M4/0407 , H01M4/0421 , H01M4/0426 , H01M4/045 , H01M4/0492 , H01M4/1395 , H01M4/382 , H01M6/045 , H01M6/186 , H01M6/187 , H01M6/40 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M10/38 , H01M2300/0002 , Y02E60/122 , Y02P70/54
摘要： 由多个层的堆叠来实施的锂微电池的制造方法，所述多个层依次包括：由第一材料制成的第一层(11)，由第二材料制成的第二层(12)，固体电解质层(13)和第一电极(14)。该方法还包括蚀刻形成由第一材料制成的第一图案(M1)以及由第二材料制成的第二图案(M2)，该第二图案限定了该电解质层(13)的覆盖区域(13”)以及非覆盖区域(13’)。然后用第二图案(M2)作为蚀刻掩模来蚀刻非覆盖区域(13’)。在蚀刻该第一图案(M1)之后，在第二图案(M2)上形成了锂基层，该锂基层和该第二图案形成了第二锂基电极。
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