公开(公告)号：CN116982144A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202180093719.2

申请日：2021-04-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 迪米特里·卢伯米尔斯基 ,  凯尔·M·汉森 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  阿兰·L·佐 ,  拉胡尔·科齐克卡尔坎迪 ,  保罗·R·麦克休 ,  孙佳怡 ,  奇伟·梁 ,  尼廷·托马斯·亚历克斯 ,  兰斯洛特·黄 ,  怡利·Y·叶

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本文描述了用于基板处理的设备及方法。更具体而言，所述设备及方法针对用于在半导体基板上执行场引导曝光后烘烤操作的设备及方法。所述设备是处理模块(100)，且包括具有电极(400)的上部(102)及被配置为在基板支撑表面(159)上支撑基板(500)的基部(104)。使用一或更多个臂(112)将上部(102)及基部(104)朝向及远离彼此致动，并形成处理容积(404)。处理容积(404)被填充处理流体，且处理模块(100)绕轴(A)旋转。在从处理容积(404)排出处理流体之前，通过电极(400)向基板(500)施加电场。

公开(公告)号：CN115087759A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202080096397.2

申请日：2020-12-14

申请人： 应用材料公司

发明人： 梁奇伟 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  陈秀·克里斯·莹 ,  叶怡利 ,  埃莉卡·陈 ,  尼廷·托马斯·亚历克斯

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/26

摘要： 一种用于在基板上沉积碳化合物的方法和设备包括：使用具有腔室主体、盖、内部空间、泵设备和气体传输系统的电感耦合等离子体(ICP)腔室和用于支撑设置于ICP腔室的内部空间内的基板的基座，基座具有从氮化铝形成的具有上部表面的上部部分和具有从氮化铝形成的管状结构的下部部分，上部部分被构造成用以支撑基板和以嵌入的加热元件加热基板，下部部分被构造成用以支撑上部部分且装载用于给上部部分的嵌入的加热元件供应功率的电极，并且基座被构造成用以在碳化合物膜的沉积期间加热基板。