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公开(公告)号：CN116982144A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202180093719.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 凯尔·M·汉森 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 阿兰·L·佐 , 拉胡尔·科齐克卡尔坎迪 , 保罗·R·麦克休 , 孙佳怡 , 奇伟·梁 , 尼廷·托马斯·亚历克斯 , 兰斯洛特·黄 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/67
Abstract: 本文描述了用于基板处理的设备及方法。更具体而言，所述设备及方法针对用于在半导体基板上执行场引导曝光后烘烤操作的设备及方法。所述设备是处理模块(100)，且包括具有电极(400)的上部(102)及被配置为在基板支撑表面(159)上支撑基板(500)的基部(104)。使用一或更多个臂(112)将上部(102)及基部(104)朝向及远离彼此致动，并形成处理容积(404)。处理容积(404)被填充处理流体，且处理模块(100)绕轴(A)旋转。在从处理容积(404)排出处理流体之前，通过电极(400)向基板(500)施加电场。
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公开(公告)号：CN110036346B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201780073007.8
申请日：2017-11-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本文描述的实施方式涉及用于曝光后处理的设备。更具体言之，本文描述的实施方式涉及处理平台上使用的场引导式曝光后处理腔室及冷却/显影腔室。在一个实施方式中，多个曝光后处理腔室和冷却/显影腔室对以堆叠布置的方式定位在处理平台上，并利用共享的管道模块。在另一实施方式中，多个曝光后处理腔室和冷却/显影腔室以线性布置的方式定位在处理平台上，且每个腔室利用单独专用的管道模块。
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公开(公告)号：CN112004965A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027041.0
申请日：2019-04-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 用以清洁数个电镀系统部件的系统可包括与一电镀系统合并的一密封件清洁组件。密封件清洁组件可包括一臂，于一第一位置及一第二位置之间为可枢转的。臂可绕着臂的一中心轴为可旋转的。密封件清洁组件可包括一清洁头，耦接于臂的一远侧部。清洁头可包括一托架，具有一面板，面板耦接于臂；及一壳体，从面板延伸。壳体可定义一或多个弓形通道，延伸通过壳体至托架的一前表面。清洁头可亦包括一可旋转的筒，从托架的壳体延伸。筒可包括一固定柱，定义一或多个孔，此一或多个孔经构造以传送一清洁溶液至一垫，垫耦接于固定柱的周围。
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公开(公告)号：CN104451888B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201410424658.5
申请日：2014-08-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 文森特·斯特凡·弗朗西斯凯特 , 格雷戈里·J·威尔逊 , 凯尔·M·汉森 , 保罗·沃思 , 罗伯特·B·穆尔
IPC: H01L21/324 , C30B33/02
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/677 , H01L21/67748
Abstract: 用于退火半导体材料晶片和类似基板的退火模块降低颗粒污染和氧气进入，同时提供包括对于500℃的工艺的均匀加热。退火模块可包括形成在金属主体中的工艺腔室，所述金属主体具有内部冷却管线。热板具有基座，所述基座被支撑在主体上的热扼流器上。在热板之上的盖中的气体分布器将气体在晶片之上均匀地流动。传送机构移动环箍以将晶片在热板和冷板之间移位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103650113B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201280022751.2
申请日：2012-05-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 格雷戈里·J·威尔逊 , 保罗·R·麦克休 , 凯尔·M·汉森
IPC: H01L21/288
CPC classification number: H01L21/02002 , C25D5/028 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/002 , C25D17/005 , C25D17/007 , C25D17/02
Abstract: 电化学处理器可包括具有转子的头部，头部构造成支承工件，头部可移动而将转子定位于容器中。内部与外部阳极位于容器内的内部与外部阳极电解质腔室中。容器中的上杯具有弯曲上表面和内部与外部阴极电解质腔室。电流取样器设置成邻接该弯曲上表面。该弯曲上表面中的环状狭槽连接至通道（例如管子）而通往外部阴极电解质腔室。薄膜可分别将内部与外部阳极电解质腔室和内部与外部阴极电解质腔室隔开。
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公开(公告)号：CN119110860A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202380037156.4
申请日：2023-04-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 保罗·R·麦克休 , 格雷戈里·J·威尔逊 , 鲁宽旭 , 凯尔·M·汉森 , 福里斯特·G·赖因哈特 , 大卫·J·里斯 , 詹姆斯·E·布朗 , 诺兰·L·齐默尔曼
Abstract: 电镀方法可包括将初始阳极电解质提供到电化学单元的第一隔室。这些方法可包括将初始阴极电解质提供到电化学单元的第二隔室。初始阴极电解质可以初始阴极电解质金属离子浓度小于初始阳极电解质中的初始阳极电解质金属离子浓度为特征。这些方法可包括将酸性溶液提供到电化学单元的第三隔室。酸性溶液可以初始pH为特征。这些方法可包括施加电流至电化学单元的阳极。向阳极施加电流可增加初始阴极电解质中的初始阴极电解质金属离子浓度并降低酸性溶液的pH。
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公开(公告)号：CN107170695A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710134346.4
申请日：2017-03-08
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B3/10 , B08B3/12 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/6719 , H01L21/68707 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68785 , H01L21/68792 , H01L21/67017 , G03F7/422 , H01L21/02057 , H01L21/02082
Abstract: 晶片处理器具有处于工艺储槽内的转子，转子固定晶片。转子旋转，从而顺序地将晶片移动通过工艺储槽中保存的处理液体。储槽可以具有工字梁形，以便减小处理液体体积。装料端口提供在工艺储槽顶部处，以将晶片装卸进出工艺储槽。冲洗和清洁腔室可与装料端口相关联，以将处理液体从处理过的晶片上去除。处理器可取向为使得转子围绕水平轴线或围绕竖直轴线来旋转。
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公开(公告)号：CN105714343A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610190369.2
申请日：2012-05-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 格雷戈里·J·威尔逊 , 保罗·R·麦克休 , 凯尔·M·汉森
CPC classification number: H01L21/02002 , C25D5/028 , C25D5/08 , C25D7/123 , C25D17/001 , C25D17/002 , C25D17/005 , C25D17/007 , C25D17/02
Abstract: 电化学处理器可包括具有转子的头部，头部构造成支承工件，头部可移动而将转子定位于容器中。内部与外部阳极位于容器内的内部与外部阳极电解质腔室中。容器中的上杯具有弯曲上表面和内部与外部阴极电解质腔室。电流取样器设置成邻接该弯曲上表面。该弯曲上表面中的环状狭槽连接至通道(例如管子)而通往外部阴极电解质腔室。薄膜可分别将内部与外部阳极电解质腔室和内部与外部阴极电解质腔室隔开。
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