-
公开(公告)号:CN102245689B
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN200980149880.6
申请日:2009-12-08
申请人: 应用材料公司
IPC分类号: C08K3/22 , C08K3/34 , C08L101/00 , C09J11/04 , B01J19/08
CPC分类号: C09K3/10 , Y10T428/2857
摘要: 本发明揭示了一种具有改良抗等离子体性的填充聚合物组成。该组成包括分散于聚合物基质的粒子填充料。该粒子填充料可为五氧化二铌(Nb2O3)、三氟化钇(YF3)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)或四氮化三硅(Si3N4)及稀土族元素氧化物(rare earth oxide)。在实施例中,利用该组成作为用于静电夹头的接合粘合剂,用于喷头的接合粘合剂,用于衬垫的接合粘合剂、密封材料、O形环、或塑料部件。
-
公开(公告)号:CN102245689A
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN200980149880.6
申请日:2009-12-08
申请人: 应用材料公司
IPC分类号: C08K3/22 , C08K3/34 , C08L101/00 , C09J11/04 , B01J19/08
CPC分类号: C09K3/10 , Y10T428/2857
摘要: 本发明揭示了一种具有改良抗等离子体性的填充聚合物组成。该组成包括分散于聚合物基质的粒子填充料。该粒子填充料可为五氧化二铌(Nb2O3)、三氟化钇(YF3)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)或四氮化三硅(Si3N4)及稀土族元素氧化物(rare earth oxide)。在实施例中,利用该组成作为用于静电夹头的接合粘合剂,用于喷头的接合粘合剂,用于衬垫的接合粘合剂、密封材料、O形环、或塑料部件。
-
公开(公告)号:CN102084020B
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN200980106482.6
申请日:2009-02-13
申请人: 应用材料公司
CPC分类号: C23C4/11 , Y10T428/24355 , Y10T428/24997
摘要: 在高腐蚀性等离子体环境中进行半导体元件处理,常会出现微粒产生的问题。当上述等离子体为还原等离子体时,此问题更显严重。实验资料显示,在形成一种等离子体喷涂的含钇陶瓷(如氧化钇、Y2O3-ZrO2固溶体、YAG及YF3)时,当用于喷涂陶瓷的粉体进料的平均有效粒径范围介于约22μm至约0.1μm时,可提供一种低孔隙率的涂层,其具有平滑且紧实的表面。这些经喷涂的材料可降低在腐蚀性还原等离子体环境中的微粒产生。
-
公开(公告)号:CN103497457A
公开(公告)日:2014-01-08
申请号:CN201310432769.6
申请日:2009-12-08
申请人: 应用材料公司
IPC分类号: C08L27/12 , C08L79/08 , C08L71/10 , C08L83/04 , C08L33/00 , C08K3/22 , C08K3/16 , C08K3/28 , C08K3/34
CPC分类号: C09K3/10 , Y10T428/2857
摘要: 一种用于蚀刻腔室部件的填充聚合物组成。本发明揭示了一种具有改良抗等离子体性的填充聚合物组成。该组成包括分散于聚合物基质的粒子填充料。该粒子填充料可为五氧化二铌(Nb2O3)、三氟化钇(YF3)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)或四氮化三硅(Si3N4)及稀土族元素氧化物(rare earth oxide)。在实施例中,利用该组成作为用于静电夹头的接合粘合剂,用于喷头的接合粘合剂,用于衬垫的接合粘合剂、密封材料、O形环、或塑料部件。
-
公开(公告)号:CN101903558A
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN200880122060.3
申请日:2008-12-10
申请人: 应用材料公司
IPC分类号: C23C14/16 , H01L21/302
CPC分类号: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
摘要: 本发明描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底,该衬底的表面上具有涂层,且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大,其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说,金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
-
公开(公告)号:CN101772589A
公开(公告)日:2010-07-07
申请号:CN200880101675.8
申请日:2008-07-30
申请人: 应用材料公司
CPC分类号: C23C28/042 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C16/4404
摘要: 本发明公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法,所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性,以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。
-
公开(公告)号:CN101903558B
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN200880122060.3
申请日:2008-12-10
申请人: 应用材料公司
IPC分类号: C23C14/16 , H01L21/302
CPC分类号: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
摘要: 本发明描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底,该衬底的表面上具有涂层,且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大,其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说,金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
-
公开(公告)号:CN102084020A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200980106482.6
申请日:2009-02-13
申请人: 应用材料公司
CPC分类号: C23C4/11 , Y10T428/24355 , Y10T428/24997
摘要: 在高腐蚀性等离子体环境中进行半导体元件处理,常会出现微粒产生的问题。当上述等离子体为还原等离子体时,此问题更显严重。实验资料显示,在形成一种等离子体喷涂的含钇陶瓷(如氧化钇、Y2O3-ZrO2固溶体、YAG及YF3)时,当用于喷涂陶瓷的粉体进料的平均有效粒径范围介于约22μm至约0.1μm时,可提供一种低孔隙率的涂层,其具有平滑且紧实的表面。这些经喷涂的材料可降低在腐蚀性还原等离子体环境中的微粒产生。
-
公开(公告)号:CN102870236A
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN201180019134.2
申请日:2011-03-31
申请人: 应用材料公司
发明人: 崔东万 , 迈克尔·P·斯图尔特 , 徐理 , 赫曼特·P·芒格卡 , 森霍姆·帕克 , 肯尼思·马克威廉姆斯
IPC分类号: H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号: H01L31/02168 , H01L31/068 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 本发明的实施例包括太阳能电池与用于形成太阳能电池的方法。详言之,这些方法可用于在太阳能电池衬底上形成钝化/ARC层,该钝化/ARC层具有结合的功能与光学梯度特性。该方法可包括以下步骤:将第一处理气体混合物流进处理腔室内的处理空间;在处理腔室中在超过0.65w/cm2的功率密度下生成等离子体;在处理空间中在太阳能电池衬底上沉积含氮化硅界面子层;将第二处理气体混合物流进处理空间;以及在含氮化硅界面子层上沉积含氮化硅体子层。
-
公开(公告)号:CN102732857A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210163630.1
申请日:2008-12-10
申请人: 应用材料公司
CPC分类号: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
摘要: 本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件,描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底,该衬底的表面上具有涂层,且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大,其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说,金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
-
-
-
-
-
-
-
-
-