公开(公告)号：CN107946163A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710947831.3

申请日：2017-10-12

申请人： 应用材料公司

发明人： 麦特斯·I·拉尔森 ,  尤吉塔·巴瑞克 ,  王建齐 ,  凯文·A·派克

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： C09D5/08 ,  B05D1/18 ,  C09D1/00 ,  H01J37/32495 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477

摘要： 本公开内容的实施方式提供了一种用于等离子体处理腔室装置中的腔室部件。所述腔室部件可以包括提供富氟表面的涂层。在一个实施方式中，用于等离子体处理装置中的腔室部件包括具有包含氧化钇的外层的主体，所述主体具有形成在其上的涂层，其中所述涂层包含含氟化钇的材料。

公开(公告)号：CN103903952B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201310733719.1

申请日：2013-12-26

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 菊池文武 ,  中田嘉信

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01J37/32798 ,  C01B33/02 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/3255

摘要： 本发明提供一种等离子蚀刻装置用硅部件及等离子蚀刻装置用硅部件的制造方法，所述硅部件即使配置在等离子蚀刻装置的反应室内部，也不会因等离子蚀刻而提前损耗，且能够抑制粒子的产生。本发明的等离子蚀刻装置用硅部件，其在等离子蚀刻装置的反应室内部使用，所述硅部件的特征在于，由多晶硅、准单晶硅或单晶硅中的任一种构成，含有1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范围内的硼作为掺杂剂。

公开(公告)号：CN107151789A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201611255444.5

申请日：2016-12-30

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 廖崇宪 ,  蔡文包

IPC分类号： C23C16/44 ,  C25D11/00 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32431 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  C23C16/44 ,  C25D11/00 ,  H01J37/32495

摘要： 一种等离子体系统的腔室包括：腔室壁，其定义等离子体加工区域；衬底支架，其经配置以支撑等离子体加工区域中的衬底；以及内衬，其位在等离子体加工区域中并且将腔室壁与等离子体加工区域分离。还提供一种用于等离子体系统的内衬以及一种用于将内衬安装到等离子体系统的方法。

公开(公告)号：CN106571322A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201510643734.6

申请日：2015-10-08

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 匡锡文

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67316 ,  H01J37/32467

摘要： 本发明提供了一种盖板、承载装置及等离子体加工设备，其盖板采用立方氮化硼制作。本发明提供的盖板，其具有良好的导热性能、较高的硬度且不与等离子体发生反应等优势，从而不仅可以减小盖板与托盘之间的温差，提高使用寿命，而且不会改变反应腔室内的等离子体状态，即等离子体的含量、刻蚀选择比和刻蚀速率等因素不会受到影响，从而可以保证工艺结果。

公开(公告)号：CN106415876A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580005179.2

申请日：2015-01-20

申请人： 应用材料公司

发明人： 栗田真一 ,  J·库德拉 ,  J·M·怀特 ,  D·哈斯

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/45548 ,  C23C16/042 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68742 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

摘要： 本公开涉及用于薄膜封装(TFE)的方法和设备。提供一种用于TFE的工艺配件。所述工艺配件是包括窗口、平行于窗口的掩模和框架的组件。所述工艺配件进一步包括用于使工艺气体流进所述窗口与所述掩模之间的容积的入口通道、用于将流出物气体泵送离开所述窗口与所述掩模之间的容积的出口通道，以及用于禁止工艺气体与流出物气体流动到不期望的位置的密封件。提供一种执行TFE的方法，所述方法包括将基板放置在上述工艺配件的掩模下方、使工艺气体流入所述工艺配件内，以及借助处理腔室内的能量源将工艺气体中的一些气体激活成反应物种。

公开(公告)号：CN105957792A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610510324.9

申请日：2016-06-30

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 聂钰节 ,  唐在峰 ,  吴智勇 ,  任昱 ,  吕煜坤

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/28 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139

摘要： 本发明提供一种半导体结构的刻蚀方法，用于在刻蚀设备维护后对半导体衬底上的半导体结构进行刻蚀，包括：在所述刻蚀设备的刻蚀腔体内壁沉积聚合物层；基于所述聚合物层的厚度，设置刻蚀设备的工艺参数对所述半导体结构进行刻蚀工艺。本发明能够避免因为刻蚀腔体维护保养时更换部件或者清洗部件引起半导体结构的关键特征尺寸的偏移问题，提高工艺稳定性以及产品良率。

公开(公告)号：CN105934837A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580005071.3

申请日：2015-01-20

申请人： 应用材料公司

发明人： 栗田真一 ,  J·库德拉 ,  J·M·怀特 ,  D·哈斯

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/45548 ,  C23C16/042 ,  C23C16/4402 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32853 ,  H01J37/32899 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68742 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

摘要： 本公开涉及用于器件制造的原子层沉积(ALD)处理腔室的方法和设备，以及用于替换所述设备的气体分布板和掩模的方法。所述ALD处理腔室具有狭缝阀，配置成允许气体分布板与掩模的移除与替换。所述ALD处理腔室还可具有致动器和基板支撑组件，所述致动器可操作以往返于工艺位置移动所述气体分布板，所述基板支撑组件可操作以往返于工艺位置移动所述掩模。

公开(公告)号：CN102732857B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201210163630.1

申请日：2008-12-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 詹尼弗·Y·孙 ,  徐理 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  托马斯·格瑞斯 ,  段仁官 ,  赛恩·撒奇

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/4404 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477

摘要： 本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。

公开(公告)号：CN104025720A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201380004082.0

申请日：2013-12-26

申请人： 株式会社新动力等离子体

发明人： 崔相敦

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： H01J37/321 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32467 ,  H01J2237/327 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4652

摘要： 本发明涉及一种等离子体反应器及利用该反应器的等离子体点火方法。本发明的等离子体反应器包括：多个磁芯，具有初级线圈；交流电源供给源，用于向所述初级线圈供给交流电力；多个等离子体腔室主体，设置有所述磁芯，电压直接感应，从而感应产生感应电动势；及多个浮动腔室，通过绝缘区域与所述等离子体腔室主体连接，并从所述等离子体腔室主体间接传导感应电动势，其中，所述等离子体腔室主体与所述浮动腔室在内部具有用于等离子体放电的一个放电路径，根据从所述交流电源供给源供给的交流电力的相位变化而在所述等离子体腔室主体与所述浮动腔室之间产生电压差，根据该电压差实现等离子体点火。根据本发明的等离子体反应器及利用该反应器的等离子体点火方法，在供给与以往相比相对低的电压来产生等离子体的情况下，也能够进行等离子体放电，因此能够供给低价产品，并能够使电弧放电引起的等离子体反应器的损伤最小化。并且，供给与以往相同的电压的情况下，在气体流动流量压力低的状态下，也能够容易进行用于等离子体放电的点火。并且，供给与以往相同的电压的情况下，在低温下也能够容易进行用于等离子体放电的点火。

公开(公告)号：CN102471869B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080028939.9

申请日：2010-05-06

申请人： 日本磁性技术株式会社

发明人： 椎名祐一 ,  渡边岩

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  H01L21/31 ,  H05H1/48

CPC分类号： H01J37/3255 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/325 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477

摘要： 本发明的目的在于提供一种阳极壁多分割型等离子发生装置及使用该阳极壁多分割型等离子发生装置的等离子处理装置，该阳极壁多分割型等离子发生装置能够防止由扩散等离子在阳极内壁上附着、堆积而形成了的堆积物剥落而导致阴极与阳极间短路。在阴极(2)与阳极(3)之间发生了的等离子(P)从阴极(2)朝前方放出、扩散时，扩散物质(41)在电极筒体内壁上再结晶化而附着、堆积，作为碳薄片(40)剥落。由纵横的槽(37、38)将电极筒体内壁多分割成矩阵状。借助于多个突部(35)的堆积物分离作用，即使扩散等离子在阳极(3)上附着、堆积，堆积物也微细化，不产生大型乃至长形的堆积物。从小片的突部(39)剥落作为微细片的碳薄片(40)，不会发生堆积物剥落而跨在阴极(2)与阳极(3)上桥接的情形，能够防止两极间的短路现象的发生。