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公开(公告)号：CN107532282B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201580078866.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·塞韦林 , 安德烈亚斯·克勒佩尔 , 马库斯·哈尼卡 , 蔡皮皮 , 林宛瑜
Abstract: 本公开内容描述了一种制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和其设备。所述方法包括通过使用第一处理参数集合从含氧化铟的靶溅射第一层而将层堆叠沉积(101)至基板上；使用与第一处理参数集合不同的第二处理参数集合从含氧化铟的靶将第二层溅射至第一层上；以及通过蚀刻来图案化(102)层堆叠。所述设备(200)包括真空腔室(210)；一个或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，所述一个或多个含氧化铟的靶在真空腔室内用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，所述气体分配系统用于在真空腔室内提供处理气体；以及控制器(240)，所述控制器被连接至气体分配系统(230)并且被配置为执行用于进行所述方法的程序代码。
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公开(公告)号：CN107532282A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580078866.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 丹尼尔·塞韦林 , 安德烈亚斯·克勒佩尔 , 马库斯·哈尼卡 , 蔡皮皮 , 林宛瑜
Abstract: 本公开内容描述了一种制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和其设备。所述方法包括通过使用第一处理参数集合从含氧化铟的靶溅射第一层而将层堆叠沉积(101)至基板上；使用与第一处理参数集合不同的第二处理参数集合从含氧化铟的靶将第二层溅射至第一层上；以及通过蚀刻来图案化(102)层堆叠。所述设备(200)包括真空腔室(210)；一个或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，所述一个或多个含氧化铟的靶在真空腔室内用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，所述气体分配系统用于在真空腔室内提供处理气体；以及控制器(240)，所述控制器被连接至气体分配系统(230)并且被配置为执行用于进行所述方法的程序代码。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114892129A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210571610.1
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2，和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含量是从2.2％至20.0％，且其中惰性气体的含量是从55.0％至96.3％。设备(200)包括：真空腔室(210)；一或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，在真空腔室内部用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，用于在真空腔室之内提供处理气体；和控制器(240)，连接至气体分配系统并被配置为执行用于进行本方法的程序代码。
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公开(公告)号：CN110050325B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201680091472.X
申请日：2016-12-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朴炫灿 , 安德烈亚斯·克洛佩尔 , 阿杰伊·萨姆普斯·博霍洛坎 , 蔡皮皮
Abstract: 根据本公开内容的一方面，提供一种溅射沉积源(100、200)。溅射沉积源包括：电极阵列(110)，具有两对或更多对电极，其中电极阵列的每个电极(112)围绕各自旋转轴(A)可旋转且配置为提供待沉积于基板(10)上的靶材材料；和电源供应器布置(120)，配置为分别将双极脉冲直流电压提供至所述两对或更多对电极。根据本公开内容的另一方面，提供一种利用溅射沉积源(100、200)将层沉积于基板上的方法。
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公开(公告)号：CN110050325A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201680091472.X
申请日：2016-12-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朴炫灿 , 安德烈亚斯·克洛佩尔 , 阿杰伊·萨姆普斯·博霍洛坎 , 蔡皮皮
Abstract: 根据本公开内容的一方面，提供一种溅射沉积源(100、200)。溅射沉积源包括：电极阵列(110)，具有两对或更多对电极，其中电极阵列的每个电极(112)围绕各自旋转轴(A)可旋转且配置为提供待沉积于基板(10)上的靶材材料；和电源供应器布置(120)，配置为分别将双极脉冲直流电压提供至所述两对或更多对电极。根据本公开内容的另一方面，提供一种利用溅射沉积源(100、200)将层沉积于基板上的方法。
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公开(公告)号：CN107567508A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201580078939.2
申请日：2015-05-08
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3492 , C23C14/54
Abstract: 本发明描述了制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法和所述方法的设备。所述方法包括在处理气体氛围中从含氧化铟的靶溅射透明导电氧化物层。处理气体氛围(222)包含水蒸汽、H2，和惰性气体，其中水蒸汽的含量是从1％至10％，其中H2的含量是从2.2％至20.0％，且其中惰性气体的含量是从55.0％至96.3％。设备(200)包括：真空腔室(210)；一或多个含氧化铟的靶(220a、220b)，在真空腔室内部用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统(230)，用于在真空腔室之内提供处理气体；和控制器(240)，连接至气体分配系统并被配置为执行用于进行本方法的程序代码。
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公开(公告)号：CN213266673U
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201690001396.4
申请日：2016-07-05
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种发光结构(500)。发光结构(500)包括第一反射电极部分(400)、在第一反射电极部分上的发射器层(502)和在发射器层上的第二电极部分(504)。第一反射电极部分(400)包括第一透明导电金属氧化物层(401)、反射金属层(402)和第二透明导电金属氧化物层(403)。反射金属层(402)由第二透明导电金属氧化物层(403)覆盖。第一反射电极部分(400)对入射光具有小于6％的光吸收率。
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