公开(公告)号：CN109219873A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201780034376.6

申请日：2017-01-24

申请人： 应用材料公司

发明人： 赵在龙 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 一种静电卡盘被描述为承载用于处理(例如高功率等离子体处理)的工件。在实施例中，该卡盘包括：顶板，用以承载该工件，该顶板具有电极以抓持该工件；冷却板，在该顶板的下方，用以冷却该顶板；气体孔，穿过该冷却板及该顶板，以穿过该顶板向该工件馈送气体；及该冷却板气体孔中的孔径减小的插塞，用以传导气流穿过该孔。

公开(公告)号：CN109155275B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201780032218.7

申请日：2017-05-19

申请人： 应用材料公司

发明人： K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  赵在龙

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/687

摘要： 描述了适用于高功率工艺的工件载体。其可包括：圆盘，用以承载工件；板，通过黏着剂接合到所述圆盘；安装环，围绕所述圆盘和冷却板；以及垫圈，在所述安装环和所述板之间，所述垫圈被配置成保护黏着剂。

公开(公告)号：CN110998783A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880053387.3

申请日：2018-07-19

申请人： 应用材料公司

发明人： 赵在龙 ,  P·A·克劳斯

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 在本文中描述的实施例总体而言涉及等离子体辅助处理腔室或等离子体增强处理腔室。更具体地，在本文中的实施例涉及被配置为向基板提供脉冲DC电压的静电吸盘(ESC)基板支撑件，和在等离子体辅助半导体制造工艺或等离子体增强半导体制造工艺期间使用脉冲DC电压偏压基板的方法。

公开(公告)号：CN114144861B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202080053370.5

申请日：2020-07-28

申请人： 应用材料公司

发明人： 赵在龙 ,  K·拉马斯瓦米 ,  D·S·卞

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

摘要： 本文提供处理配件的实施例。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的处理配件包括：陶瓷环，所述陶瓷环具有上部表面和下部表面，其中陶瓷环包括布置于陶瓷环中的卡紧电极和布置于陶瓷环中的加热元件；以及边缘环，所述边缘环布置于陶瓷环上。

公开(公告)号：CN107710398B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201780002052.4

申请日：2017-01-26

申请人： 应用材料公司

发明人： 赵在龙 ,  V·D·帕科 ,  H·王 ,  K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/02

摘要： 描述了一种静电夹盘，其具有射频耦合、适合使用在高功率等离子体环境中。在一些示例中，夹盘包含基底板、顶板、在顶板中邻近顶板的顶表面以静电夹紧工件的第一电极、以及在顶板中与第一电极间隔开的第二电极，第一与第二电极耦合至电源以对第一电极静电充电。

公开(公告)号：CN114724916A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210449266.9

申请日：2017-03-16

申请人： 应用材料公司

发明人： F·M·斯李维亚 ,  张春雷 ,  P·克里米诺儿 ,  赵在龙

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

摘要： 描述了用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制系统和方法。在一个示例中，热交换器向工件载体的流体通道提供温度受控的热流体以及接收来自流体通道的热流体。比例阀在热交换器和流体通道之间，以控制从热交换器到流体通道的热流体的流速。气动阀也在热交换器和流体通道之间，也控制来自热交换器与流体通道的热流体的流速。温度控制器接收来自载体的热传感器的测得的温度并响应于测得的温度控制比例阀和气动阀，以调整热流体的流速。

公开(公告)号：CN109075110B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201780027652.6

申请日：2017-03-16

申请人： 应用材料公司

发明人： F·M·斯李维亚 ,  张春雷 ,  P·克里米诺儿 ,  赵在龙

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

摘要： 描述了用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制系统和方法。在一个示例中，热交换器向工件载体的流体通道提供温度受控的热流体以及接收来自流体通道的热流体。比例阀在热交换器和流体通道之间，以控制从热交换器到流体通道的热流体的流速。气动阀也在热交换器和流体通道之间，也控制来自热交换器与流体通道的热流体的流速。温度控制器接收来自载体的热传感器的测得的温度并响应于测得的温度控制比例阀和气动阀，以调整热流体的流速。

公开(公告)号：CN110998782A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880053380.1

申请日：2018-07-19

申请人： 应用材料公司

发明人： P·A·克劳斯 ,  T·C·楚 ,  赵在龙

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供了一种用于在等离子体辅助处理腔室中将基板偏压的区域的方法和设备。将基板(或基板的区域)偏压增加了在基板与处理腔室中形成的等离子体之间的电位差，从而将来自等离子体的离子加速朝向基板区域的活性表面。在本文中的多个偏压电极以有利于管理跨越基板的处理结果的均匀性的图案的方式跨越基板支撑件而空间地布置。

公开(公告)号：CN117859200A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280057836.8

申请日：2022-08-31

申请人： 应用材料公司

发明人： T·J·富兰克林 ,  赵在龙 ,  A·苏莱曼 ,  X·常 ,  K·拉马斯瓦米 ,  S·E·巴巴扬 ,  A·侯赛因 ,  D·库默

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 本文的本公开的实施例包括用于处理基板的设备。更具体地，本公开的实施例提供基板支撑组件，所述基板支撑组件包括静电卡盘(ESC)组件。ESC组件包括：冷却基底，所述冷却基底具有顶部表面和外直径侧壁；ESC，所述ESC具有基板支撑表面、底部表面和外直径侧壁，所述ESC的底部表面通过粘着层耦合至冷却基底的顶部表面。基板支撑组件包括阻挡环，所述阻挡环设置成围绕冷却基底与ESC的外直径侧壁，所述阻挡环屏蔽ESC的底部表面和冷却基底的顶部表面之间的接口。

公开(公告)号：CN116544171A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310622201.4

申请日：2017-01-24

申请人： 应用材料公司

发明人： 赵在龙 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01J37/32

摘要： 一种静电卡盘被描述为承载用于处理(例如高功率等离子体处理)的工件。在实施例中，该卡盘包括：顶板，用以承载该工件，该顶板具有电极以抓持该工件；冷却板，在该顶板的下方，用以冷却该顶板；气体孔，穿过该冷却板及该顶板，以穿过该顶板向该工件馈送气体；及该冷却板气体孔中的孔径减小的插塞，用以传导气流穿过该孔。