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公开(公告)号：CN103996404B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201410246897.6
申请日：2009-10-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明提供一种用于在基板上图案化磁性薄膜的方法，所述方法包括：在所述磁性薄膜周围提供图案，其中所述图案的选择性区域允许一或多种元素的能量化离子的穿透。能量化离子经产生而具有足够能量以穿透选择性区域及与这些选择性区域相邻的所述磁性薄膜的部分。置放所述基板以接收这些能量化离子。可使所述磁性薄膜的所述部分经受热激发。使所述磁性薄膜的这些部分呈现出与选择性其它部分不同的磁性性质。本发明亦揭示用于图案化磁性媒体的方法，所述媒体的两侧上具有磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN102598366B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201080049787.0
申请日：2010-08-26
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01M4/364 , B82Y99/00 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/54 , C23C28/00 , C25D11/005 , C25D11/32 , H01G11/28 , H01G11/36 , H01G11/86 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/6776 , H01M4/0428 , H01M4/0438 , H01M4/0442 , H01M4/0492 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y10T29/41 , Y10T29/417
Abstract: 本发明的实施例大致关于形成能量储存装置的方法与设备。更明确地，本文所述实施例关于形成电池与电化学电容器的方法。一实施例中，提供用于能量储存装置中的高表面积电极的形成方法。该方法包括在具有导电表面的集电器上形成非晶硅层、将非晶硅层浸入电解液以在非晶硅层中形成一连串的互连孔、并在非晶硅层的一连串的互连孔中形成碳纳米管。
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公开(公告)号：CN103996404A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410246897.6
申请日：2009-10-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明提供一种用于在基板上图案化磁性薄膜的方法，所述方法包括：在所述磁性薄膜周围提供图案，其中所述图案的选择性区域允许一或多种元素的能量化离子的穿透。能量化离子经产生而具有足够能量以穿透选择性区域及与这些选择性区域相邻的所述磁性薄膜的部分。置放所述基板以接收这些能量化离子。可使所述磁性薄膜的所述部分经受热激发。使所述磁性薄膜的这些部分呈现出与选择性其它部分不同的磁性性质。本发明亦揭示用于图案化磁性媒体的方法，所述媒体的两侧上具有磁性薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104115257A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380009300.X
申请日：2013-01-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: G03F7/16 , G03F7/0035 , G03F7/165 , G03F7/167
Abstract: 在本揭示案中提供执行原子层沉积光刻工艺的方法与设备。在一个实施例中，在器件中的材料层上形成特征的方法包括以下步骤：脉冲第一反应剂气体混合物至设置于处理腔室中的基板的表面以在基板表面上形成材料层的第一单层、引导高能辐射以处理第一单层的第一区，及脉冲第二反应剂气体混合物至基板表面以选择性地在第一单层的第二区上形成第二单层。
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公开(公告)号：CN102598366A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049787.0
申请日：2010-08-26
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01M4/364 , B82Y99/00 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/54 , C23C28/00 , C25D11/005 , C25D11/32 , H01G11/28 , H01G11/36 , H01G11/86 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/6776 , H01M4/0428 , H01M4/0438 , H01M4/0442 , H01M4/0492 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/587 , H01M4/661 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y10T29/41 , Y10T29/417
Abstract: 本发明的实施例大致关于形成能量储存装置的方法与设备。更明确地，本文所述实施例关于形成电池与电化学电容器的方法。一实施例中，提供用于能量储存装置中的高表面积电极的形成方法。该方法包括在具有导电表面的集电器上形成非晶硅层、将非晶硅层浸入电解液以在非晶硅层中形成一连串的互连孔、并在非晶硅层的一连串的互连孔中形成碳纳米管。
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公开(公告)号：CN118369750A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280080856.7
申请日：2022-11-03
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开涉及半导体芯组件及其形成方法。本文描述的半导体芯组件可用于形成半导体封装组件、印刷电路板(PCB)组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件(例如，用于图形卡)等。在一个实施例中，基板芯(例如，芯结构)注入有掺杂剂，以实现期望的体电阻率或传导率。在基板芯中形成一个或多个导电互连，并且在基板芯的表面上形成一个或多个再分布层。此后，基板芯可用作半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的芯结构。
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公开(公告)号：CN102197426B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN200980142620.6
申请日：2009-10-15
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明提供一种用于在基板上图案化磁性薄膜的方法，所述方法包括：在所述磁性薄膜周围提供图案，其中所述图案的选择性区域允许一或多种元素的能量化离子的穿透。能量化离子经产生而具有足够能量以穿透选择性区域及与这些选择性区域相邻的所述磁性薄膜的部分。置放所述基板以接收这些能量化离子。可使所述磁性薄膜的所述部分经受热激发。使所述磁性薄膜的这些部分呈现出与选择性其它部分不同的磁性性质。本发明亦揭示用于图案化磁性媒体的方法，所述媒体的两侧上具有磁性薄膜。
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公开(公告)号：CN202839630U
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201090000947.8
申请日：2010-06-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , B82Y10/00 , H01L31/0322 , H01L31/03529 , H01L31/0384 , H01L31/0749 , H01L51/0048 , H01L51/4213 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本实用新型涉及基于碳纳米管的太阳能电池及形成其的设备。太阳能电池中设有碳纳米管(CNT)，这些碳纳米管用于：界定太阳能电池的微米/次微米几何尺寸；及/或做为电荷传输体，以有效地从吸收层移除电荷载流子以减少吸收层中的电子空穴复合速率。太阳能电池可包含：基材；多个在该基材的该表面上的金属催化剂的区域；多个碳纳米管束状物，形成于该多个金属催化剂的区域上，每一束状物包括大略垂直于该基材的该表面而呈对准的碳纳米管；以及光活性太阳能电池层，形成于这些碳纳米管束状物及该基材的暴露表面上，其中该光活性太阳能电池层在这些碳纳米管束状物上及该基材的该暴露表面上为连续的。光活性太阳能电池层可包含非晶硅p/i/n薄膜；然而，本实用新型的概念亦可应用至具有微晶硅、SiGe、碳掺杂微晶硅、CIS、CIGS、CISSe以及各种p型二六族二元化合物以及三元与四元化合物的吸收层的太阳能电池。
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