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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103824569A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410088408.9
申请日：2010-02-12
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: G11B5/82 , C23C14/48 , C23C14/50 , C23C16/00 , C23F1/00 , G11B5/84 , G11B5/855 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供用于形成具有经磁性图案化的表面的基板的方法及装置。在一基板上形成包含具有磁性性质的一种或多种材料的一磁层。该磁层经受一图案化制程，在图案化制程中改变该磁层的该表面的选定部分，以使得该经改变的部分具有与非改变部分不同的磁性性质而不改变该基板的构形。在该经图案化的磁层上方沉积一保护层及一润滑层。该图案化经由将基板暴露于具有变动形式的能量的若干制程来实现。本文揭示的装置及方法使得能够同时处理一基板的两个主表面或藉由翻转相继处理一基板的两个主表面。在一些实施例中，该基板表面的磁性性质可藉由等离子体暴露来均匀地改变，且随后藉由暴露于经图案化的能量来选择性地复原磁性性质。
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公开(公告)号：CN102334161B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201080009890.2
申请日：2010-02-12
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: G11B5/82 , C23C14/48 , C23C14/50 , C23C16/00 , C23F1/00 , G11B5/84 , G11B5/855 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供用于形成具有经磁性图案化的表面的基板的方法及装置。在一基板上形成包含具有磁性性质的一种或多种材料的一磁层。该磁层经受一图案化制程，在图案化制程中改变该磁层的该表面的选定部分，以使得该经改变的部分具有与非改变部分不同的磁性性质而不改变该基板的构形。在该经图案化的磁层上方沉积一保护层及一润滑层。该图案化经由将基板暴露于具有变动形式的能量的若干制程来实现。本文揭示的装置及方法使得能够同时处理一基板的两个主表面或藉由翻转相继处理一基板的两个主表面。在一些实施例中，该基板表面的磁性性质可藉由等离子体暴露来均匀地改变，且随后藉由暴露于经图案化的能量来选择性地复原磁性性质。
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公开(公告)号：CN103824569B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201410088408.9
申请日：2010-02-12
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: G11B5/82 , C23C14/48 , C23C14/50 , C23C16/00 , C23F1/00 , G11B5/84 , G11B5/855 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供用于形成具有经磁性图案化的表面的基板的方法及装置。在一基板上形成包含具有磁性性质的一种或多种材料的一磁层。该磁层经受一图案化制程，在图案化制程中改变该磁层的该表面的选定部分，以使得该经改变的部分具有与非改变部分不同的磁性性质而不改变该基板的构形。在该经图案化的磁层上方沉积一保护层及一润滑层。该图案化经由将基板暴露于具有变动形式的能量的若干制程来实现。本文揭示的装置及方法使得能够同时处理一基板的两个主表面或藉由翻转相继处理一基板的两个主表面。在一些实施例中，该基板表面的磁性性质可藉由等离子体暴露来均匀地改变，且随后藉由暴露于经图案化的能量来选择性地复原磁性性质。
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公开(公告)号：CN102334161A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009890.2
申请日：2010-02-12
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: G11B5/82 , C23C14/48 , C23C14/50 , C23C16/00 , C23F1/00 , G11B5/84 , G11B5/855 , H01L21/673 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供用于形成具有经磁性图案化的表面的基板的方法及装置。在一基板上形成包含具有磁性性质的一种或多种材料的一磁层。该磁层经受一图案化制程，在图案化制程中改变该磁层的该表面的选定部分，以使得该经改变的部分具有与非改变部分不同的磁性性质而不改变该基板的构形。在该经图案化的磁层上方沉积一保护层及一润滑层。该图案化经由将基板暴露于具有变动形式的能量的若干制程来实现。本文揭示的装置及方法使得能够同时处理一基板的两个主表面或藉由翻转相继处理一基板的两个主表面。在一些实施例中，该基板表面的磁性性质可藉由等离子体暴露来均匀地改变，且随后藉由暴露于经图案化的能量来选择性地复原磁性性质。
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公开(公告)号：CN202839630U
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201090000947.8
申请日：2010-06-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/022425 , B82Y10/00 , H01L31/0322 , H01L31/03529 , H01L31/0384 , H01L31/0749 , H01L51/0048 , H01L51/4213 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本实用新型涉及基于碳纳米管的太阳能电池及形成其的设备。太阳能电池中设有碳纳米管(CNT)，这些碳纳米管用于：界定太阳能电池的微米/次微米几何尺寸；及/或做为电荷传输体，以有效地从吸收层移除电荷载流子以减少吸收层中的电子空穴复合速率。太阳能电池可包含：基材；多个在该基材的该表面上的金属催化剂的区域；多个碳纳米管束状物，形成于该多个金属催化剂的区域上，每一束状物包括大略垂直于该基材的该表面而呈对准的碳纳米管；以及光活性太阳能电池层，形成于这些碳纳米管束状物及该基材的暴露表面上，其中该光活性太阳能电池层在这些碳纳米管束状物上及该基材的该暴露表面上为连续的。光活性太阳能电池层可包含非晶硅p/i/n薄膜；然而，本实用新型的概念亦可应用至具有微晶硅、SiGe、碳掺杂微晶硅、CIS、CIGS、CISSe以及各种p型二六族二元化合物以及三元与四元化合物的吸收层的太阳能电池。
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