公开(公告)号：CN101981659A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111063.1

申请日：2009-03-02

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 迪内士·帕德希 ,  哈阳成 ,  苏达·拉西 ,  德里克·R·维迪 ,  程秋 ,  朴贤秀 ,  加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  马丁·杰·西蒙斯 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  金柏涵 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02115 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146

摘要： 一种在基板上沉积非晶碳层的方法，其包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重惰性气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重惰性气体选自由氩气、氪气、氙气、及其混合物所组成的群组，并且惰性气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括沉积后终止步骤，其中烃源及惰性气体的流动停止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间，以自处理室中移除粒子。

公开(公告)号：CN101743341A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880024436.7

申请日：2008-07-09

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 阿希什·沙 ,  戴尔·R·杜波依斯 ,  加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 ,  马克·A·福多尔 ,  金义勇 ,  秋·钱 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  托马斯·诺瓦克 ,  约瑟夫·C·沃纳 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  穆罕默德·阿尤布 ,  阿米尔·阿拉-巴提亚 ,  周建华

IPC分类号： C23F1/02

CPC分类号： H01L21/6719 ,  H01J37/32366 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207

摘要： 本发明的实施例涉及一种整合基板边缘处理能力的基板处理系统。所述处理系统的实例包括但不限于一制造界面、一加载互锁真空室、一传送腔室以及一或多个双处理腔室，其中该双处理腔室具有两个或多个可彼此相互隔离，且共享同一气体供应件与同一排气泵的处理区域。在每一双处理腔室中的处理区域包含独立的气体分布组件与RF功率源，以在每一处理区域中基板表面上的选择区域提供等离子体。每一双处理腔室因而设置成能于处理区域中的至少两个基板上同时进行多个经隔离的处理。

公开(公告)号：CN101978474A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109820.1

申请日：2009-01-26

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 卡希克·贾纳基拉曼 ,  托马斯·诺瓦克 ,  胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 ,  马克·A·福多尔 ,  戴尔·R·杜波依斯 ,  阿米特·班塞尔 ,  穆罕默德·阿尤布 ,  埃勒·Y·朱科 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  希姆·M·萨德

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/30 ,  H05H1/34

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541

摘要： 本发明提供一种设备及方法，用于控制等离子体腔室中的等离子体放电的强度及分布。在一实施例中，成形电极嵌入基板支撑件中，以在所述腔室内提供具有径向及轴向分量的电场。在另一实施例中，用绝缘体将喷头组件的面板电极划分为多个区域，而能将不同电压施加至不同区域。此外，一或更多个电极可嵌入所述腔室侧壁中。

公开(公告)号：CN101689492A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880024240.8

申请日：2008-07-09

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 阿希什·沙 ,  加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 ,  戴尔·R·杜波依斯 ,  马克·A·福多尔 ,  金义勇 ,  秋·钱 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  托马斯·诺瓦克 ,  约瑟夫·C·沃纳 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  穆罕默德·阿尤布 ,  阿米尔·阿拉-巴提亚 ,  周建华

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/68 ,  Y10S414/136

摘要： 本发明包含用以在基板边缘区域进行蚀刻的装置与方法。于一实施例中，该装置包含腔室主体、基板支撑件、等离子体产生器以及气体传送组件，该腔室主体具有处理容积；该基板支撑件设置在该处理容积内侧且具有基板支撑表面；该等离子体产生器连接至该腔室，将等离子体相的蚀刻剂提供至该基板支撑表面的周边区域；以及该气体传送组件连接至气体源，以在该基板支撑表面上产生从该基板支撑表面的约中央区域朝向该基板支撑表面的周边区域的径向气流。

公开(公告)号：CN101407909A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810211588.X

申请日：2008-10-08

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 马丁·杰西蒙斯 ,  尤加南德·N·萨利帕里 ,  光得·道格拉斯·李 ,  博·恒·金 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  温蒂·H·叶 ,  约瑟芬·汝-伟·张刘 ,  埃米尔·阿拉-巴亚提 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈''萨德

IPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC分类号： H01L21/76829 ,  C23C16/26 ,  H01L21/3146

摘要： 提供了一种以提高的台阶覆盖率高温沉积非晶碳膜的方法。在一个实施例中，沉积非晶碳膜的方法包括：在处理室中提供基板，在高于500摄氏度的温度下加热基板，将包括碳氢化合物和惰性气体的气体混合物提供到含有加热基板的处理室中，和在加热的基板上沉积具有在100兆帕斯卡(MPa)拉应力和约100兆帕斯卡(MPa)压应力之间的应力的非晶碳膜。