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公开(公告)号：CN101981659A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111063.1
申请日：2009-03-02
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 迪内士·帕德希 , 哈阳成 , 苏达·拉西 , 德里克·R·维迪 , 程秋 , 朴贤秀 , 加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 马丁·杰·西蒙斯 , 维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 , 金柏涵 , 伊沙姆·迈’萨德
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02115 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L21/3146
摘要： 一种在基板上沉积非晶碳层的方法，其包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重惰性气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重惰性气体选自由氩气、氪气、氙气、及其混合物所组成的群组，并且惰性气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括沉积后终止步骤，其中烃源及惰性气体的流动停止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间，以自处理室中移除粒子。
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公开(公告)号：CN102187432A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980140806.8
申请日：2009-10-12
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3146 , C23C16/26 , C23C16/45523 , C23C16/5096 , H01L21/3141
摘要： 本发明提供在一基板上沉积一无定形碳层的方法及设备。在一实施方式中，一沉积工艺包含将一基板设置在一基板处理室内，将碳对氢原子比大于1∶2的一碳氢化合物来源通入该处理室，将选自由氢气、氦气、氩气、氮气、及其组合物所组成的族群的一等离子体起始气体通入该处理室，并且该碳氢化合物来源的体积流速对该等离子体起始气体的体积流速比为1∶2或更大，在该处理室内产生一等离子体，以及在该基板上形成一共形无定形碳层。
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公开(公告)号：CN101595559B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200880003395.3
申请日：2008-01-22
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 夏立群 , 金柏涵 , 德里克·R·维迪 , 伊沙姆·迈'萨德
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/469
CPC分类号： H01L21/7682 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02115 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02351 , H01L21/02362 , H01L21/3146 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/76811 , H01L21/76835 , H01L2221/1047 , Y10S438/931
摘要： 本发明提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应，沉积含成孔剂的材料，以及移除至少一部分的含成孔剂的材料；通过供应成孔剂的前驱物反应在多孔的低介电常数层上沉积有机层；在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构；将导电材料填入特征界定结构；在有机层和特征界定结构内的导电材料上沉积掩模层；在掩模层中形成穿孔以露出有机层；透过穿孔移除部分或全部的有机层；以及在导电材料旁形成空隙。
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公开(公告)号：CN101431015B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810171681.2
申请日：2008-10-23
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311 , G03F7/11
摘要： 本发明包括一种当在浸没式显影之后干燥光刻胶掩模时减少光刻胶掩模倒塌的方法。由于特征尺寸持续缩小，用于冲洗光刻胶掩模的水的毛细作用力接近大于光刻胶对ARC的粘附力的点。当毛细作用力超过粘附力时，由于当水变干时水将相邻特征拉向彼此，掩模特征可能倒塌。通过在沉积光刻胶之前在ARC之上沉积密封氧化物层，粘附力可超过毛细作用力并且光刻胶掩模的特征可不会倒塌。
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公开(公告)号：CN101506960A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780030401.X
申请日：2007-07-12
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/44
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/0245 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/3148 , H01L21/31612 , H01L21/31633 , H01L21/3185
摘要： 本发明提供一种用于减少沉积在半导体基板上的薄膜上的缺陷的设备及方法。本发明的一个实施例提供一种用于在基板上沉积薄膜的方法。该方法包括：用第一等离子体处理该基板，且该第一等离子体被配置成减少在该基板上已存在的缺陷；以及通过施加由至少一种前驱物及至少一种反应物气体所产生的第二等离子体，而在该基板上沉积一种包括硅和碳的薄膜。
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公开(公告)号：CN101595559A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200880003395.3
申请日：2008-01-22
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 夏立群 , 金柏涵 , 德里克·R·维迪 , 伊沙姆·迈''萨德
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/469
CPC分类号： H01L21/7682 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02115 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02351 , H01L21/02362 , H01L21/3146 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/76811 , H01L21/76835 , H01L2221/1047 , Y10S438/931
摘要： 本文提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应、沉积含成孔剂的材料、以及移除至少一部分的含成孔剂的材料、通过供应成孔剂的前驱物反应沉积有机层至多孔的低介电常数层上、在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构、将导电材料填入特征界定结构、沉积屏蔽层至有机层和特征界定结构内的导电材料上、在屏蔽层中形成穿孔以露出有机层、透过穿孔移除部分或全部的有机层、以及在导电材料旁形成空隙。
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公开(公告)号：CN101431015A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810171681.2
申请日：2008-10-23
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311 , G03F7/11
摘要： 本发明包括一种当在浸没式显影之后干燥光刻胶掩模时减少光刻胶掩模倒塌的方法。由于特征尺寸持续缩小，用于冲洗光刻胶掩模的水的毛细作用力接近大于光刻胶对ARC的粘附力的点。当毛细作用力超过粘附力时，由于当水变干时水将相邻特征拉向彼此，掩模特征可能倒塌。通过在沉积光刻胶之前在ARC之上沉积密封氧化物层，粘附力可超过毛细作用力并且光刻胶掩模的特征可不会倒塌。
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公开(公告)号：CN101506960B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200780030401.X
申请日：2007-07-12
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/44
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/0245 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/3148 , H01L21/31612 , H01L21/31633 , H01L21/3185
摘要： 本发明提供一种用于减少沉积在半导体基板上的薄膜上的缺陷的设备及方法。本发明的一个实施例提供一种用于在基板上沉积薄膜的方法。该方法包括：用第一等离子体处理该基板，且该第一等离子体被配置成减少在该基板上已存在的缺陷；以及通过施加由至少一种前驱物及至少一种反应物气体所产生的第二等离子体，而在该基板上沉积一种包括硅和碳的薄膜。
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