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公开(公告)号:CN101378850A
公开(公告)日:2009-03-04
申请号:CN200680053046.3
申请日:2006-11-21
申请人: 应用材料股份有限公司
发明人: T·诺瓦克 , K·S·伊姆 , S-Y·B·唐 , K·D·李 , V·N·T·恩古耶 , D·辛格尔顿 , M·J·西蒙斯 , K·杰纳基拉曼 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , M·阿优伯 , W·H·叶 , A·T·迪莫斯 , H·M''沙迪
摘要: 本发明揭示用以清洁用来处理含碳膜层(例如非晶形碳膜层,含硅与碳的阻障膜层,以及含硅、氧与碳的低介电常数膜层)的半导体处理腔室的方法。此方法包含在腔室中不存在有RF功率下使用一远程等离子体源以产生活性物质,其中该活性物质系清洁腔室的内表面。活性物质是从一含氧气体(例如O2)与/或一含卤素气体(例如NF3)所产生。一基于氧气的灰化过程也可以在腔室暴露于来自远程等离子体源的活性物质之前被用以从腔室内表面除去碳沉积物。