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公开(公告)号：CN102197466A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142444.6
申请日：2009-10-20
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： T·A·恩古耶 , Y-H·杨 , S·巴录佳 , T·诺瓦克 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/205 , H01L21/203
摘要： 一种用于一基板处理室的紫外线传送微波反射器包含一延伸于金属框架上的微筛孔网屏。在一个版本中，该微筛孔网屏包含至少一个电铸成形层。一种制造该微波反射器的方法包含电铸成形一围绕一微筛孔网屏的金属框架并使得该微筛孔网屏包含一大于总面积的80％的开口面积。
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公开(公告)号：CN102057479A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980122000.6
申请日：2009-05-22
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： D·W·何 , S·A·亨德里克森 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , S·巴录佳 , T·诺瓦克
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L21/02164 , H01L21/3105
摘要： 本发明实施例大致有关于固化沉积于基材表面中的沟槽或间隙内的介电材料以产生不具空隙与缝隙的特征的方法与设备。一实施例中，介电材料暴露于紫外光辐射时经蒸汽退火。一实施例中，介电材料进一步于氮环境中经热退火。
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公开(公告)号：CN101378850A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200680053046.3
申请日：2006-11-21
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： T·诺瓦克 , K·S·伊姆 , S-Y·B·唐 , K·D·李 , V·N·T·恩古耶 , D·辛格尔顿 , M·J·西蒙斯 , K·杰纳基拉曼 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , M·阿优伯 , W·H·叶 , A·T·迪莫斯 , H·M''沙迪
摘要： 本发明揭示用以清洁用来处理含碳膜层(例如非晶形碳膜层，含硅与碳的阻障膜层，以及含硅、氧与碳的低介电常数膜层)的半导体处理腔室的方法。此方法包含在腔室中不存在有RF功率下使用一远程等离子体源以产生活性物质，其中该活性物质系清洁腔室的内表面。活性物质是从一含氧气体(例如O2)与/或一含卤素气体(例如NF3)所产生。一基于氧气的灰化过程也可以在腔室暴露于来自远程等离子体源的活性物质之前被用以从腔室内表面除去碳沉积物。
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公开(公告)号：CN102187441A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980142397.5
申请日：2009-10-20
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/205
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , G21K2201/064 , G21K2201/065 , G21K2201/067
摘要： 一种用于紫外线灯的反射器，其可使用于基材处理设备中。该反射器包含延伸该紫外线灯长度的纵向带。该纵向带具有一弯曲反射表面并且包含数个穿透孔洞以导引冷却剂气体朝向该紫外线灯。在此亦描述使用附有反射器的紫外线灯模块的腔室以及紫外线处理的方法。
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公开(公告)号：CN102077316A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125854.X
申请日：2009-06-04
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4405 , H01L21/6719 , H01L21/67207
摘要： 一种清洁一基材处理室的方法，包含在界定出一或多个处理区的处理室内处理一批次基材。可在一子例程中执行该批次基材的处理，其中该子例程具有多个子步骤，包含：在该处理室内处理来自该批次的一基材；从该处理室中移出该基材；通入臭氧至该处理室内；以及将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟。可重复该等基材批处理子步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止。在处理该批次内的最后一个基材之后，该方法包含：从该处理室中移出该最后一个基材；通入臭氧至该处理室内；以及将该处理室暴露在紫外光下三至十五分钟。
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公开(公告)号：CN102067279A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980124391.5
申请日：2009-05-28
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： R·萨卡拉克利施纳 , D·杜鲍斯 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , T·诺瓦克 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , H·姆萨德
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/205 , C23C16/44 , C23F4/00
CPC分类号： F16K31/0655 , B08B5/00 , B08B7/0021 , C23C16/4405 , C23C16/4409 , C23C16/45561 , F16K1/221 , F16K1/224 , F16K31/06 , F16K31/088 , Y10S438/905
摘要： 本发明提出一种用以清洁一工艺腔室的方法与设备。在一实施例中，本发明揭示一工艺腔室，其包括一远程等离子源与一具有至少两个工艺区域的工艺腔室。各工艺区域包括：一基材支撑组件，其设置在该工艺区域中；一气体散布系统，其配置以提供气体到该基材支撑组件上方的该工艺区域内；以及一气体通道，其配置以提供气体到该基材支撑组件下方的该工艺区域内。一第一气体导管是配置以将一清洁试剂从该远程等离子源经由该气体散布组件流入各该工艺区域，而一第二气体导管是配置以将来自该第一气体导管的该清洁试剂的一部分转向到各该工艺区域的该气体通道。
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