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公开(公告)号：CN101523357A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037481.1
申请日：2007-10-04
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , E·Y·朱科 , M·阿优伯 , H-J·金 , K·杰纳基拉曼 , S·拉蒂 , D·帕德希 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , A·阿巴亚缇 , D·R·威蒂 , H·姆塞德 , A·巴利施尼科夫 , C·陈 , S·刘
CPC分类号： H01L21/6831 , C23C16/52 , H01J37/32431 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要： 本发明大致上提供用以监测与维持一等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理一基板的方法，其至少包含：将基板定位在一静电夹具上；施加一RF功率于静电夹具中的一电极以及一反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加一DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的一虚拟阻抗。
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公开(公告)号：CN101378850A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200680053046.3
申请日：2006-11-21
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： T·诺瓦克 , K·S·伊姆 , S-Y·B·唐 , K·D·李 , V·N·T·恩古耶 , D·辛格尔顿 , M·J·西蒙斯 , K·杰纳基拉曼 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , M·阿优伯 , W·H·叶 , A·T·迪莫斯 , H·M''沙迪
摘要： 本发明揭示用以清洁用来处理含碳膜层(例如非晶形碳膜层，含硅与碳的阻障膜层，以及含硅、氧与碳的低介电常数膜层)的半导体处理腔室的方法。此方法包含在腔室中不存在有RF功率下使用一远程等离子体源以产生活性物质，其中该活性物质系清洁腔室的内表面。活性物质是从一含氧气体(例如O2)与/或一含卤素气体(例如NF3)所产生。一基于氧气的灰化过程也可以在腔室暴露于来自远程等离子体源的活性物质之前被用以从腔室内表面除去碳沉积物。
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公开(公告)号：CN101480110A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024531.2
申请日：2007-06-22
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
摘要： 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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公开(公告)号：CN101473062A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200780023174.8
申请日：2007-06-14
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： D·帕德希 , C·陈 , S·拉蒂 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·周 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , D·R·威蒂 , H·姆塞德
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/0254 , C23C16/26 , C23C16/4404
摘要： 本发明提供一种具有用在半导体应用中的保护性涂层的物件，以及多种制造该物件的方法。在一实施例中，本发明提供一种涂覆一物件的铝表面的方法，其中该物件是应用在半导体处理腔室中的。此方法包含：提供一处理腔室；置放该物件至该处理腔室内；使第一气体流入该处理腔室，其中该第一气体包含碳源；使第二气体流入该处理腔室，其中该第二气体包含氮源；在该处理腔室内形成等离子体；以及在该铝表面上沉积一涂覆材料。在一实施例中，涂覆材料包括一含不定形碳氮的层。在一实施例中，该物件包含一喷洒头，喷洒头被配置成输送气体至处理腔室。
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