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公开(公告)号：CN102077324A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125853.5
申请日：2009-06-08
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3141 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31105 , H01L21/31116 , H01L21/31608 , H01L21/76814 , H01L21/76831
摘要： 提供一种用以处理基板的方法与装置。一多孔介电层形成于基板上。于部分实施例中，该介电质可由一致密介电层覆盖。介电层经图案化，且一致密介电层共形地沉积于该基板上。该致密共形介电层密封该多孔介电层的细孔，以抵抗和会渗入细孔的物种的接触。覆盖场区与图案化开口的底部部分的部分该致密共形细孔密封介电层是通过方向性选择性蚀刻移除。
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公开(公告)号：CN101390185B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200680034035.0
申请日：2006-09-13
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： A·奥-巴亚缇 , L·A·德克鲁兹 , A·T·迪莫斯 , D·R·杜波依斯 , K·A·埃尔舍拉夫 , 岩崎直之 , H·穆萨德 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·沙哈 , T·施米竹
IPC分类号： H01J35/00
摘要： 本发明提供用于基材的电子束处理的方法与设备。电子束设备包含真空室、至少一与真空室连通的热电偶组件、与真空室连通的加热装置、以及其组合。在一实施例中，真空室包含电子源，其中电子源包含连结至高压源的阴极、连结至低压源的阳极、以及基材支撑件。另一实施例中，真空室包含设置介于阴极与基材支撑件间的栅极(grid)。在一实施例中，加热装置包含第一平行光束阵列(parallel light array)与第二平行光束阵列，并配置成使第二平行光束阵列与第一平行光束阵列交叉。在一实施例中，热电偶组件包含由氮化铝所制的温度传感器。
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公开(公告)号：CN101390185A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200680034035.0
申请日：2006-09-13
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： A·奥-巴亚缇 , L·A·德克鲁兹 , A·T·迪莫斯 , D·R·杜波依斯 , K·A·埃尔舍拉夫 , 岩崎直之 , H·穆萨德 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·沙哈 , T·施米竹
IPC分类号： H01J35/00
摘要： 本发明提供用于基材的电子束处理的方法与设备。电子束设备包含真空室、至少一与真空室连通的热电偶组件、与真空室连通的加热装置、以及其组合。在一实施例中，真空室包含电子源，其中电子源包含连结至高压源的阴极、连结至低压源的阳极、以及基材支撑。另一实施例中，真空室包含设置介于阴极与基材支撑间的栅极(grid)。在一实施例中，加热装置包含第一平行光束阵列(parallel light array)与第二平行光束阵列，并配置成使第二平行光束阵列与第一平行光束阵列交叉。在一实施例中，热电偶组件包含由氮化铝所制的温度传感器。
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公开(公告)号：CN101378850A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200680053046.3
申请日：2006-11-21
申请人： 应用材料股份有限公司
发明人： T·诺瓦克 , K·S·伊姆 , S-Y·B·唐 , K·D·李 , V·N·T·恩古耶 , D·辛格尔顿 , M·J·西蒙斯 , K·杰纳基拉曼 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , M·阿优伯 , W·H·叶 , A·T·迪莫斯 , H·M''沙迪
摘要： 本发明揭示用以清洁用来处理含碳膜层(例如非晶形碳膜层，含硅与碳的阻障膜层，以及含硅、氧与碳的低介电常数膜层)的半导体处理腔室的方法。此方法包含在腔室中不存在有RF功率下使用一远程等离子体源以产生活性物质，其中该活性物质系清洁腔室的内表面。活性物质是从一含氧气体(例如O2)与/或一含卤素气体(例如NF3)所产生。一基于氧气的灰化过程也可以在腔室暴露于来自远程等离子体源的活性物质之前被用以从腔室内表面除去碳沉积物。
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公开(公告)号：CN102099897A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128310.9
申请日：2009-06-30
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/208 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/31633 , C23C16/30 , C23C16/45523 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02205 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02274
摘要： 在此提出处理基板的方法，其中第一有机硅前体、第二有机硅前体、成孔剂和氧源供应至处理腔室。第一有机硅前体包含整体而言碳含量较低的化合物。第二有机硅前体包含碳含量较高的化合物。成孔剂包含碳氢化合物。施加RF功率以沉积膜层至基板上，并调整各种反应物气流的流速以改变部分沉积膜的碳含量。在一实施例中，沉积膜的起始部分具低碳含量，因而类似氧化物，后继部分则具高碳含量，而类似碳氧化物。另一实施例的特征在于没有类似氧化物的起始部分。后续处理将于膜的高碳含量部分内产生细孔。
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公开(公告)号：CN102077316A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980125854.X
申请日：2009-06-04
申请人： 应用材料股份有限公司
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/4405 , H01L21/6719 , H01L21/67207
摘要： 一种清洁一基材处理室的方法，包含在界定出一或多个处理区的处理室内处理一批次基材。可在一子例程中执行该批次基材的处理，其中该子例程具有多个子步骤，包含：在该处理室内处理来自该批次的一基材；从该处理室中移出该基材；通入臭氧至该处理室内；以及将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟。可重复该等基材批处理子步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止。在处理该批次内的最后一个基材之后，该方法包含：从该处理室中移出该最后一个基材；通入臭氧至该处理室内；以及将该处理室暴露在紫外光下三至十五分钟。
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