公开(公告)号：CN107851554A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045484.9

申请日：2016-08-04

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·P·戴维斯 ,  A·F·伯内特 ,  B·E·津恩

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L24/03 ,  B24B37/042 ,  C23F1/00 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76865 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06102

摘要： 在所描述的示例中，通过下列步骤来形成微电子器件(100)：提供在顶表面(130)处具有凹部(124)的衬底，和形成在衬底的顶表面(130)上方并延伸到凹部(124)中的衬里层(132)。在衬里层(132)上方形成保护层(138)，该保护层延伸到凹部(124)中。CMP工艺(142)从衬底的顶表面(130)上方去除保护层(138)和衬里层(132)，将保护层(138)和衬里层(132)留在凹部(124)中。随后从凹部(124)去除保护层(138)，将衬里层(132)留在凹部(124)中。衬底可以包括具有键合焊盘(116)的互连区域(104)和具有形成凹部(124)的开口的PO层(122)；键合焊盘(116)暴露在凹部(124)中。凹部(124)中的衬里层(132)可以是适于随后形成的引线键合或凸块键合的金属衬里。