专利检索 cpc:"H01L2224/05571" 第 1 页

1.

发明授权
提高了板级可靠性的晶片级封装装置有权

公开(公告)号：CN104900544B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201510093046.7

申请日：2015-03-02

申请人： 马克西姆综合产品公司

发明人： P·R·哈珀 , M·梅森 , A·V·萨莫伊洛夫

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/492

CPC分类号： H01L24/14 , H01L21/561 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/03334 , H01L2224/0346 , H01L2224/0384 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/04105 , H01L2224/05005 , H01L2224/05541 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05611 , H01L2224/131 , H01L2224/16058 , H01L2224/161 , H01L2224/291 , H01L2224/32058 , H01L2224/321 , H01L2224/85 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/0645 , H01L2924/0665 , H01L2924/0695 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014

摘要： 本发明描述了一种晶片级封装装置、电子装置和用于制造该晶片级封装装置的制造方法，该方法包括在晶片级封装装置上形成暴露的引线末端，以便当将晶片级封装装置结合到另一电部件时提供焊料支撑结构。在各实现方式中，晶片级封装装置包括至少一个集成电路管芯、金属垫、第一电介质层、再分布层、第二电介质层、柱结构、模制层、柱层、和镀覆层，其中柱层被锯切以在晶片级封装装置的至少两个侧面上形成垫触头。暴露的垫触头便于形成焊料角焊缝和支撑结构，结果得到改善的板级可靠性。

2.

发明公开
半导体构造及形成半导体构造的方法无效

公开(公告)号：CN109037180A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810310482.9

申请日：2013-04-25

申请人： 美光科技公司

发明人： 孙泱泱 , 兰德尔·S·帕克 , 杰斯皮德·S·甘德席 , 李劲

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/768 , H01L23/31

CPC分类号： H01L21/76898 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/0362 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05015 , H01L2224/05018 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05176 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/1134 , H01L2924/1431 , H01L2924/1436 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体构造及形成半导体构造的方法。一些实施例包含半导体构造。所述构造具有延伸穿过半导体裸片的导电柱。所述柱具有高于所述裸片的背侧表面的上部表面，且具有在所述背侧表面与所述上部表面之间延伸的侧壁表面。光敏材料在所述背侧表面上方且沿着所述侧壁表面。导电材料直接抵靠所述柱的所述上部表面。所述导电材料被配置为所述柱上方的帽。所述帽具有横向向外延伸超出所述柱且环绕所述柱的边缘。所述边缘的整体在所述光敏材料正上方。一些实施例包含形成半导体构造的方法，所述半导体构造具有邻近穿晶片互连件的光敏材料，且具有在所述互连件的上部表面上方且直接抵靠所述上部表面并且直接抵靠所述光敏材料的上部表面的导电材料帽。

3.

发明公开
在双侧互连器件上制作和使用穿硅过孔审中-实审

公开(公告)号：CN108292626A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580084799.X

申请日：2015-12-23

申请人： 英特尔公司

发明人： B·K·米勒 , P·莫罗 , K·俊 , P·B·菲舍尔 , D·潘图索

IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/486 , H01L21/76251 , H01L21/76838 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L27/1203 , H01L27/1211 , H01L2224/02331 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/06182 , H01L2224/08146 , H01L2224/08235 , H01L2224/09181 , H01L2224/13023 , H01L2224/131 , H01L2224/16141 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2224/48105 , H01L2224/48228 , H01L2224/48464 , H01L2224/73257 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06572 , H01L2924/014

摘要： 一种装置包括：电路结构，所述电路结构包括器件层；在器件层的第一侧上并且耦合到晶体管器件中的多个晶体管器件的一个或多个导电互连级；以及衬底，所述衬底包括耦合到所述一个或多个导电互连级的导电穿硅过孔，使得所述一个或多个互连层位于所述穿硅过孔和所述器件层之间。一种方法，包括：在衬底上形成多个晶体管器件，所述多个晶体管器件限定器件层；在所述器件层的第一侧上形成一个或多个互连级；去除衬底的一部分；以及将穿硅过孔耦合到所述一个或多个互连级，使得所述一个或多个互连级位于所述器件层和所述穿硅过孔之间。

4.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN103681616B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201310384818.3

申请日：2013-08-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 北尾良平 , 土屋泰章

IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/02271 , H01L21/6835 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/6835 , H01L2221/68372 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05157 , H01L2224/05166 , H01L2224/05176 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/05657 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/11334 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14051 , H01L2224/14181 , H01L2224/14505 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953

摘要： 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。提供了实现高度集成采用TSV技术的半导体器件的技术。贯通电极由具有第一直径并且形成在半导体晶片的主表面上的小直径贯通电极和具有比上述第一直径大的第二直径并且形成在半导体晶片的背表面侧上的大直径贯通电极构成，并且在平面图中，小直径贯通电极布置在大直径贯通电极的内部，使得在平面图中，小直径贯通电极的中心位置和大直径贯通电极的中心位置彼此不重合。

5.

发明授权
用于应用处理器和存储器集成的薄3D扇出嵌入式晶片级封装(EWLB) 有权

公开(公告)号：CN103383923B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201310156631.8

申请日：2013-03-08

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： R·D·彭德斯

IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/538

CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76898 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/051 , H01L2224/05552 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/0603 , H01L2224/11 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1403 , H01L2224/141 , H01L2224/14135 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/81 , H01L2224/81005 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81805 , H01L2224/83 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种用于应用处理器和存储器集成的薄3D扇出嵌入式晶片级封装(EWLB)。本发明涉及一种具有多个第一半导体管芯的半导体器件，该第一半导体管芯具有沉积在第一半导体管芯的第一表面上和第一半导体管芯周围的密封剂。在密封剂上和第一半导体管芯的与第一表面相对的第二表面上形成绝缘层。该绝缘层包括在第一半导体管芯上的开口。在第一半导体管芯上在开口内形成第一导电层。在第一导电层上形成第二导电层以形成垂直导电通孔。第二半导体管芯被置于第一半导体管芯上且被电连接到第一导电层。将凸点形成在第一半导体管芯的占位面积外的第二导电层上。第二半导体管芯被置于有效表面或第一半导体管芯的后表面上。

6.

发明授权
晶片封装体及其制造方法有权

公开(公告)号：CN104835792B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201510060529.7

申请日：2015-02-05

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 , 刘沧宇 , 林佳升 , 郑家明 , 张恕铭 , 曾姿雯

IPC分类号： H01L23/13 , H01L21/58 , H01L21/50

CPC分类号： H01L24/94 , H01L23/3114 , H01L23/3178 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L29/0657 , H01L2224/0224 , H01L2224/02245 , H01L2224/02255 , H01L2224/0226 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05571 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/06165 , H01L2224/10135 , H01L2224/10145 , H01L2224/94 , H01L2924/3512 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665

摘要： 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一半导体基底；一凹口，位于半导体基底内且邻接半导体基底的一侧边，其中半导体基底具有至少一间隔部，该至少一间隔部突出于凹口的一底部；一导线，设置于半导体基底上，且延伸至凹口内。本发明不仅能够降低与导线电性连接的导电结构的高度，还可减少应力而避免半导体基底破裂，且有效缩短导线的导电路径，进而增加输出信号的布局弹性。另外，由于半导体基底具有突出于凹口的底部的间隔部，因此可避免导线发生短路的问题，进而提升晶片封装体的可靠度。

7.

发明公开
用于改善非平面表面的CMP耐刮擦性的方法无效

公开(公告)号：CN107851554A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045484.9

申请日：2016-08-04

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·P·戴维斯 , A·F·伯内特 , B·E·津恩

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L24/03 , B24B37/042 , C23F1/00 , H01L21/31053 , H01L21/31058 , H01L21/31116 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/3212 , H01L21/76865 , H01L24/05 , H01L2224/03466 , H01L2224/0382 , H01L2224/0391 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06102

摘要： 在所描述的示例中，通过下列步骤来形成微电子器件(100)：提供在顶表面(130)处具有凹部(124)的衬底，和形成在衬底的顶表面(130)上方并延伸到凹部(124)中的衬里层(132)。在衬里层(132)上方形成保护层(138)，该保护层延伸到凹部(124)中。CMP工艺(142)从衬底的顶表面(130)上方去除保护层(138)和衬里层(132)，将保护层(138)和衬里层(132)留在凹部(124)中。随后从凹部(124)去除保护层(138)，将衬里层(132)留在凹部(124)中。衬底可以包括具有键合焊盘(116)的互连区域(104)和具有形成凹部(124)的开口的PO层(122)；键合焊盘(116)暴露在凹部(124)中。凹部(124)中的衬里层(132)可以是适于随后形成的引线键合或凸块键合的金属衬里。

8.

发明公开
晶片到晶片接合结构有权

公开(公告)号：CN107492538A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710431549.X

申请日：2017-06-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金兑泳 , 姜泌圭 , 金石镐 , 文光辰 , 李镐珍

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L24/94 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2224/02215 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/04105 , H01L2224/05007 , H01L2224/05026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05556 , H01L2224/05559 , H01L2224/05562 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05647 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/08501 , H01L2224/29187 , H01L2224/29188 , H01L2224/80013 , H01L2224/80097 , H01L2224/8012 , H01L2224/8082 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/8312 , H01L2224/83896 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06527 , H01L2924/0537 , H01L2924/05432 , H01L2924/05442 , H01L2924/0549 , H01L2924/365 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/013 , H01L2924/01013 , H01L23/5386

摘要： 本发明公开了一种晶片到晶片接合结构，该晶片到晶片接合结构包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。

9.

发明授权
晶片封装体有权

公开(公告)号：CN104253100B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410299061.2

申请日：2014-06-27

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 张义民 , 刘沧宇 , 何彦仕 , 温英男

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/3171 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L2224/0231 , H01L2224/0235 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/04042 , H01L2224/05007 , H01L2224/05026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/05562 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/06155 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/10157 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种晶片封装体，包含半导体晶片、绝缘层、重布局金属层以及焊接垫。半导体晶片具有导电垫、内连线结构以及电子元件。电子元件通过内连线结构电性连接导电垫。绝缘层设置于半导体晶片的表面上且具有第一开口以暴露出部分导电垫。重布局金属层设置于绝缘层上且具有对应导电垫的重布局金属线路，重布局金属线路通过第一开口与导电垫连接。焊接垫配置于绝缘层上且位于半导体晶片的一侧。其中，重布局金属线路延伸至焊接垫，使配置于半导体晶片的表面上的导电垫电性连接于该侧的焊接垫。本发明的晶片封装体不仅能够提升焊线打接的效率和良率，还具有较现有技术更长的元件寿命以及更佳的可靠度。