公开(公告)号：CN106611761B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201610922836.6

申请日：2016-10-26

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： D·卡罗瑟斯 ,  R·杰克逊 ,  R·穆霍帕迪亚 ,  B·库克

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/762

摘要： 本申请公开了使用前侧深沟槽刻蚀隔离电路元件。一种集成电路(400，图4)通过以下方式形成：形成穿过互连区域(404)的至少部分的隔离沟槽(430、432、434)，该沟槽深入集成电路的基板(402)中至少40微米，至少200微米的基板材料留在隔离沟槽下方。介电材料(434)在不大于320℃的基板温度下形成在隔离沟槽中以形成隔离结构(424)，该隔离结构(424)将集成电路的隔离区域(438)与基板的至少部分分隔。隔离区域包含隔离组件(406)。集成电路的隔离区域可为基板中的区域，和/或互连区域中的区域。隔离区域可为基板的第一部分，其与基板的第二部分侧向地分隔。隔离区域可为在隔离结构上方的互连区域的部分。

公开(公告)号：CN106611761A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201610922836.6

申请日：2016-10-26

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： D·卡罗瑟斯 ,  R·杰克逊 ,  R·穆霍帕迪亚 ,  B·库克

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L28/00 ,  H01L29/4175 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L27/02

摘要： 本申请公开了使用前侧深沟槽刻蚀隔离电路元件。一种集成电路(400，图4)通过以下方式形成：形成穿过互连区域(404)的至少部分的隔离沟槽(430、432、434)，该沟槽深入集成电路的基板(402)中至少40微米，至少200微米的基板材料留在隔离沟槽下方。介电材料(434)在不大于320℃的基板温度下形成在隔离沟槽中以形成隔离结构(424)，该隔离结构(424)将集成电路的隔离区域(438)与基板的至少部分分隔。隔离区域包含隔离组件(406)。集成电路的隔离区域可为基板中的区域，和/或互连区域中的区域。隔离区域可为基板的第一部分，其与基板的第二部分侧向地分隔。隔离区域可为在隔离结构上方的互连区域的部分。