公开(公告)号：CN109326553A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811479292.6

申请日：2018-12-05

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 鲁旭斋 ,  黄建 ,  张锋 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： H01L21/762 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

摘要： 本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。所述沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；采用原子层沉积工艺在所述研磨停止层表面、所述沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用TEOS-Ozone热化学气相沉积工艺向所述沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述氧化硅层。本发明技术方案能够优化TEOS-Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性，从而提高薄膜质量及产能。

公开(公告)号：CN110137131A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910383088.2

申请日：2019-05-09

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 鲁旭斋 ,  李众 ,  张锋 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。所述沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；在所述半导体衬底内的沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用惰性气体等离子体和含羟基的气态或液态物质对所述氧化硅层进行表面处理；采用TEOS-Ozone热化学气相沉积工艺向所述沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述研磨停止层。本发明技术方案能够优化TEOS-Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性，从而提高薄膜质量及产能。

公开(公告)号：CN109459913A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811222483.4

申请日：2018-10-19

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 鲁旭斋 ,  张锋 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： G03F7/00

摘要： 本发明技术方案公开了一种光刻方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层的表面附有碱性基团；对所述半导体衬底上的介质层进行表面处理工艺，所述表面处理工艺采用的反应源包括具有强氧化性的物质；在所述表面处理工艺后，在所述介质层上涂布光阻材料，进行光刻工艺。本发明技术方案可以改善光刻效果，并且降低工艺复杂度。

公开(公告)号：CN110137132A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910383100.X

申请日：2019-05-09

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 李众 ,  鲁旭斋 ,  张锋 ,  林宗贤

IPC分类号： H01L21/762

摘要： 本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀研磨停止层和半导体衬底，在研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；在半导体衬底内的沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用紫外光以及含羟基的气态或液态物质对氧化硅层进行表面处理，或者，采用紫外光以及反应物组合对氧化硅层进行表面处理，所述反应物组合适于反应生成含羟基的物质；采用TEOS-Ozone热化学气相沉积工艺向沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述研磨停止层。本发明技术方案能够优化TEOS-Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性。

公开(公告)号：CN109385615A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201811293698.5

申请日：2018-10-31

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 黄建 ,  鲁旭斋 ,  张锋 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/48 ,  C23C16/513 ,  C23C16/455

摘要： 一种沉积设备及其沉积方法，所述沉积设备包括：沉积腔室；晶圆基座，位于所述沉积腔室内，用于放置晶圆；紫外光光源，位于所述沉积腔室内，且所述紫外光光源适于提供射向所述晶圆基座的紫外光；反应物输入管路，适于将反应物引入至所述沉积腔室，以在所述晶圆上反应形成沉积层。本发明方案有助于提高器件的品质，降低生产成本。

公开(公告)号：CN109256330A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201811034374.X

申请日：2018-09-06

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 鲁旭斋 ,  张锋 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  G03F7/16

摘要： 本发明技术方案公开了一种光刻方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层的表面附有碱性基团和/或负电荷；对所述半导体衬底上的介质层进行表面处理工艺，所述表面处理工艺采用的反应源适于产生酸性基团和/或正电荷；在所述表面处理工艺后，在所述介质层上涂布光阻材料，进行光刻工艺。本发明技术方案可以改善光刻效果，并且降低工艺复杂度。

公开(公告)号：CN109326553B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201811479292.6

申请日：2018-12-05

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 鲁旭斋 ,  黄建 ,  张锋 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： H01L21/762 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

摘要： 本发明技术方案公开了一种沟槽隔离结构的形成方法、化学气相沉积工艺。所述沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有研磨停止层；依次刻蚀所述研磨停止层和半导体衬底，在所述研磨停止层和半导体衬底内形成沟槽；采用原子层沉积工艺在所述研磨停止层表面、所述沟槽侧壁及底部形成氧化硅层；采用TEOS‑Ozone热化学气相沉积工艺向所述沟槽内填充氧化硅，所述氧化硅填满所述沟槽且覆盖所述氧化硅层。本发明技术方案能够优化TEOS‑Ozone氧化硅薄膜的沉积速率、均匀性、致密性，从而提高薄膜质量及产能。

公开(公告)号：CN109545667A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811391842.9

申请日：2018-11-21

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 鲁旭斋 ,  雷喜凡 ,  张锋 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/16

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；对所述衬底进行第一表面处理，使所述衬底表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度在预设范围内；在进行所述第一表面处理之后，在所述衬底表面形成光刻胶层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。

公开(公告)号：CN109449172A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811202952.6

申请日：2018-10-16

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 陈翔 ,  鲁旭斋 ,  张锋 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆的表面具有第一氧化硅层，所述第二晶圆的表面具有第二氧化硅层；将所述第一氧化硅层和第二氧化硅层暴露于紫外光，以使所述第一氧化硅层和第二氧化硅层内的至少一部分Si-O键断裂；对所述第一晶圆和第二晶圆进行键合处理。本发明方案有助于减少对氧化硅层、半导体衬底以及器件的物理损伤，有效地对图像传感器的品质提供保护，且有助于降低生产成本。

公开(公告)号：CN109411336A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811319888.X

申请日：2018-11-07

申请人： 德淮半导体有限公司

发明人： 鲁旭斋 ,  张锋 ,  吴孝哲 ,  吴龙江 ,  林宗贤

IPC分类号： H01L21/027

摘要： 本发明提供了一种光刻方法，能够利用简单的工艺过程，解决光刻胶与介质层酸碱不平衡时的底部站脚问题，该方法具体包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成介质层，介质层表面具有碱性基团；进行对介质层的紫外固化，以至少部分去除碱性基团；在进行对介质层的紫外固化之后，在介质层上涂敷光刻胶。利用紫外固化工艺对介质层进行处理，能够有效降低介质层表面的碱性基团浓度，解决光刻胶与介质层酸碱不平衡的问题，此外，紫外固化工艺简单方便，无需增加额外的沉积刻蚀步骤，大大降低了制造工艺的复杂程度和成本；再者，紫外固化工艺在调节介质层表面特性的同时，还能够降低介质层杂质含量，提高介质材料的纯度，提升器件性能。