公开(公告)号：CN102105927A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128733.0

申请日：2009-07-22

申请人： 思布瑞特有限公司

发明人： 谢泉隆 ,  俞钢

IPC分类号： G09G3/32

CPC分类号： H01L27/322 ,  H01L27/3244

摘要： 本发明涉及全色有源矩阵有机发光显示器，包括：透明基板；位于基板的上表面上的滤色器；在滤色器的上表面上形成的间隔层；在间隔层上形成的并限定像素阵列的金属氧化物薄膜晶体管背板；以及单色、有机发光器件阵列，形成在背板上，并放置成通过全色显示器中的背板、间隔层、滤色器和基板向下发出光。

公开(公告)号：CN102150247A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135164.2

申请日：2009-09-04

申请人： 思布瑞特有限公司

发明人： 谢泉隆 ,  俞钢

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/16 ,  H01L21/28556 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/5012

摘要： 本发明提供一种薄膜半导体器件，其具有含无定形半导体离子金属氧化物和无定形绝缘共价金属氧化物的混合物的半导体层。以与半导体层连通的方式设置一对端子，所述一对端子限定导电槽，并以与导电槽连通的方式设置栅极端子，且进一步设置该栅极端子以控制所述槽的导电。本发明还包括一种淀积混合物的方法，所述方法包括在淀积过程期间使用氮来控制在所得半导体层中的载流子浓度。

公开(公告)号：CN102099938A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127697.6

申请日：2009-07-14

申请人： 思布瑞特有限公司

发明人： 谢泉隆 ,  俞钢

IPC分类号： H01L35/24

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

摘要： 与具有金属氧化物活性层的半导体器件相结合地使用的制造方法，所述金属氧化物活性层小于100nm厚，并且上主表面和下主表面具有毗邻接合的材料以形成下层界面和上覆界面。该制造方法包括通过选择用于金属氧化物活性层的金属氧化物和选择用于毗邻接合的材料的特定材料来控制下层界面和上覆界面中的界面相互作用以调整相邻金属氧化物中的载流子密度。所述方法还包括通过形成下层界面的成分的下层材料的表面处理来控制下层界面中的相互作用并通过在金属氧化物层上的材料沉积之前执行的金属氧化物膜的表面处理来控制上覆界面中的相互作用的一个或两个步骤。