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公开(公告)号：CN104882485A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510143210.0
申请日：2015-03-30
申请人： 深超光电(深圳)有限公司
发明人： 彭裕清
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L21/16 , H01L21/26513 , H01L29/0847 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/7869 , H01L29/78675 , H01L29/0684
摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括：基板；半导体层，该半导体层包括沟道区，设置在该沟道区两侧的轻掺杂漏极区及设置在该轻掺杂漏极区外侧的重掺杂区；依次层叠设置在该沟道区上的第一间介电层及第二间介电层；贯穿该第一间介电层与该第二间介电层的连接孔，且该连接孔位于该第一间介电层的侧壁相对于该基板倾斜设置形成倾斜部。本案还涉及一种薄膜晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN104347727A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410354105.7
申请日：2014-07-23
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L23/64
CPC分类号： H01L27/1255 , H01L21/00 , H01L21/16 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 本发明公开了薄膜晶体管及其制造方法以及存储电容器与半导体元件。薄膜晶体管包括衬底、栅极、缓冲层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻停止层、源极和漏极。栅极被形成在衬底上。缓冲层部分地区覆盖栅极的两侧部分。栅极绝缘层覆盖栅极和缓冲层。有源层被形成在栅极绝缘层上。蚀刻停止层被形成在有源层上，并且具有位于有源层上的第一开口和第二开口。源极被形成在蚀刻停止层上，并且通过第一开口与有源层接触。漏极被形成在蚀刻停止层上，并且通过第二开口与有源层接触。
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公开(公告)号：CN102150247A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135164.2
申请日：2009-09-04
申请人： 思布瑞特有限公司
IPC分类号： H01L21/322 , H01L31/00
CPC分类号： H01L29/04 , H01L21/00 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/16 , H01L21/28556 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/5012
摘要： 本发明提供一种薄膜半导体器件，其具有含无定形半导体离子金属氧化物和无定形绝缘共价金属氧化物的混合物的半导体层。以与半导体层连通的方式设置一对端子，所述一对端子限定导电槽，并以与导电槽连通的方式设置栅极端子，且进一步设置该栅极端子以控制所述槽的导电。本发明还包括一种淀积混合物的方法，所述方法包括在淀积过程期间使用氮来控制在所得半导体层中的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN104022155B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410171285.5
申请日：2009-09-04
申请人： 希百特股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/04 , H01L21/00 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/16 , H01L21/28556 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/5012
摘要： 本发明涉及稳定的无定形金属氧化物半导体。本发明提供一种薄膜半导体器件，其具有含无定形半导体离子金属氧化物和无定形绝缘共价金属氧化物的混合物的半导体层。以与半导体层连通的方式设置一对端子，所述一对端子限定导电槽，并以与导电槽连通的方式设置栅极端子，且进一步设置该栅极端子以控制所述槽的导电。本发明还包括一种淀积混合物的方法，所述方法包括在淀积过程期间使用氮来控制在所得半导体层中的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN102544028B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201110461343.4
申请日：2011-12-28
申请人： 乐金显示有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/786 , G02F1/13439 , G02F1/136209 , H01L21/16 , H01L27/1225
摘要： 本申请公开一种包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板，其用于平板显示设备。所述薄膜晶体管基板包括：透明基板；设置在该透明基板上的具有氧化物半导体材料的薄膜晶体管层；设置在该薄膜晶体管层的整个表面上的钝化层；像素电极，该像素电极形成在该钝化层上并通过形成在该钝化层上的接触孔接触该薄膜晶体管层；以及设置在该像素电极的整个表面上的第一紫外光吸收层。
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公开(公告)号：CN104022155A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410171285.5
申请日：2009-09-04
申请人： 希百特股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/04 , H01L21/00 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/16 , H01L21/28556 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/5012
摘要： 本发明涉及稳定的无定形金属氧化物半导体。本发明提供一种薄膜半导体器件，其具有含无定形半导体离子金属氧化物和无定形绝缘共价金属氧化物的混合物的半导体层。以与半导体层连通的方式设置一对端子，所述一对端子限定导电槽，并以与导电槽连通的方式设置栅极端子，且进一步设置该栅极端子以控制所述槽的导电。本发明还包括一种淀积混合物的方法，所述方法包括在淀积过程期间使用氮来控制在所得半导体层中的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN102150247B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN200980135164.2
申请日：2009-09-04
申请人： 希百特股份有限公司
IPC分类号： H01L21/322 , H01L31/00
CPC分类号： H01L29/04 , H01L21/00 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/16 , H01L21/28556 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/5012
摘要： 本发明提供一种薄膜半导体器件，其具有含无定形半导体离子金属氧化物和无定形绝缘共价金属氧化物的混合物的半导体层。以与半导体层连通的方式设置一对端子，所述一对端子限定导电槽，并以与导电槽连通的方式设置栅极端子，且进一步设置该栅极端子以控制所述槽的导电。本发明还包括一种淀积混合物的方法，所述方法包括在淀积过程期间使用氮来控制在所得半导体层中的载流子浓度。
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公开(公告)号：CN102544028A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110461343.4
申请日：2011-12-28
申请人： 乐金显示有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/786 , G02F1/13439 , G02F1/136209 , H01L21/16 , H01L27/1225
摘要： 本申请公开一种包含氧化物半导体的薄膜晶体管基板，其用于平板显示设备。所述薄膜晶体管基板包括：透明基板；设置在该透明基板上的具有氧化物半导体材料的薄膜晶体管层；设置在该薄膜晶体管层的整个表面上的钝化层；像素电极，该像素电极形成在该钝化层上并通过形成在该钝化层上的接触孔接触该薄膜晶体管层；以及设置在该像素电极的整个表面上的第一紫外光吸收层。
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