公开(公告)号：CN103913694B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201310006802.9

申请日：2013-01-09

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 张致琛 ,  王传政 ,  张奇林

IPC分类号： G01R31/28

CPC分类号： G01R31/2856 ,  G01R31/275 ,  G01R31/2849

摘要： 本发明涉及用于检测半导体集成电路的应力劣化的监视系统，其具有放大器电路和劣化测试晶体管。提供了若干复用器，所述复用器具有耦接到劣化测试晶体管的相应电极的输出端。每一个所述复用器具有耦接到监视节点中的一个监视节点和放大器电路的相应节点的输入端。在操作中，所述复用器选择性地将劣化测试晶体管插入到所述集成电路或所述放大器电路中，从而使得在被插入到所述集成电路中时所述劣化测试晶体管经受所述集成电路中的应力劣化电压。在劣化测试晶体管被插入到所述放大器电路中时，产生表示所述集成电路的应力应力劣化的输出信号。

公开(公告)号：CN105895619B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201510063397.3

申请日：2015-01-23

申请人： 恩智浦美国有限公司

发明人： 张致琛 ,  J·M·皮古特 ,  王传政 ,  张奇林 ,  M·J·祖尼诺

IPC分类号： H01L23/544

摘要： 本发明涉及用于监测集成电路上金属退化的电路。一种集成电路(IC)，具有诸如功率MOSFET的热发生元件、耦合到热发生元件的载流导体、邻近载流导体的感测导体以及耦合到感测导体的失效检测电路。当IC的热循环导致感测导体的电阻变得大于依赖于温度的阈值时，失效检测电路生成信号，该信号指示集成电路将不久失效。由通过将电流注入到感测导体中以生成电压来确定感测导体的电阻。依赖于温度的阈值是通过将电流注入到被布置得远离载流和感测导体的参考导体中所生成的电压。电压比较器比校两个电压以生成输出。替代地，失效检测电路包括处理器，该处理器从在集成电路上采取的温度测量计算依赖于温度的阈值。