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公开(公告)号：CN105102584B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201480020454.3
申请日：2014-03-04
摘要： 本发明提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钨和铜以及绝缘材料而言选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的半水性组合物。所述半水性组合物含有至少一种氧化剂、至少一种蚀刻剂和至少一种有机溶剂，可含有各种腐蚀抑制剂以确保选择性。
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公开(公告)号：CN105492576B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201480047887.8
申请日：2014-08-28
IPC分类号： C09K13/00 , H01L21/306
摘要： 本发明提供了可用于从其上具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物材料的微电子器件上相对于绝缘材料而选择性除去所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物材料的组合物。所述清除组合物含有至少一种氧化剂、一种蚀刻剂和一种活化剂以提高氮化钛的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN112442374A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011374468.9
申请日：2014-07-31
申请人： 恩特格里斯公司
摘要： 本发明涉及用于去除金属硬掩模和蚀刻后残余物的具有Cu/W相容性的水性制剂。本发明提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钨和绝缘材料而言选择性去除所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物。所述去除组合物具有低pH，并含有至少一种氧化剂和至少一种蚀刻剂以及用于使金属腐蚀最小化的腐蚀抑制剂和用于保护电介质材料的钝化剂。
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公开(公告)号：CN104145324B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201280064443.6
申请日：2012-12-27
申请人： 恩特格里斯公司
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： C09K13/10 , C09K13/00 , C09K13/06 , C09K13/08 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23F1/02 , C23F1/30 , C23F1/40 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要： 本发明公开了用于相对于金属导电材料如钨和绝缘材料选择性地将氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料从在其上具有所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件除去的组合物。所述去除组合物包含至少一种氧化剂和一种蚀刻剂，可以包含各种腐蚀抑制剂以确保选择性。
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公开(公告)号：CN111394100A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010258552.8
申请日：2014-06-06
申请人： 恩特格里斯公司
摘要： 本申请涉及用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法。本发明提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钴、钌和铜以及绝缘材料而言选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物。所述去除组合物含有至少一种氧化剂和一种蚀刻剂，可含有各种腐蚀抑制剂以确保选择性。
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