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公开(公告)号：CN105102584B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201480020454.3
申请日：2014-03-04
摘要： 本发明提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钨和铜以及绝缘材料而言选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的半水性组合物。所述半水性组合物含有至少一种氧化剂、至少一种蚀刻剂和至少一种有机溶剂，可含有各种腐蚀抑制剂以确保选择性。
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公开(公告)号：CN107004575A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580035488.4
申请日：2015-06-02
申请人： 恩特格里斯公司
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31133 , C09K13/08 , C09K13/10 , C11D7/08 , C11D7/14 , C11D7/22 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/3263 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/0276 , H01L21/31111
摘要： 本发明涉及一种从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的衬底去除所述ARC材料及/或蚀刻后残留物的液体去除组成物及方法。所述组成物在集成电路的制造中实现ARC材料及/或蚀刻后残留物的至少部分去除同时对所述衬底上的金属物质(例如铝、铜及钴合金)有最小蚀刻，且不会损坏半导体架构中所采用的低k电介质及含氮化物材料。
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公开(公告)号：CN111394100A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010258552.8
申请日：2014-06-06
申请人： 恩特格里斯公司
摘要： 本申请涉及用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法。本发明提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钴、钌和铜以及绝缘材料而言选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物。所述去除组合物含有至少一种氧化剂和一种蚀刻剂，可含有各种腐蚀抑制剂以确保选择性。
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公开(公告)号：CN107155367A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201580043304.9
申请日：2015-06-24
申请人： 恩特格里斯公司
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/02068 , B08B3/08 , C11D1/008 , C11D1/667 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/245 , C11D3/30 , C11D3/361 , C11D3/3707 , C11D3/43 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/28 , C11D11/0047 , H01L21/02063
摘要： 本发明揭示用于从上面具有等离子蚀刻后残余物的微电子装置清除所述残余物的清洁组合物及工艺。所述组合物实现所述残余物材料从所述微电子装置的高度有效清除，同时又不损坏也存在于所述微电子装置上的层间电介质、金属互连材料及/或帽盖层，所述残余物材料包括含钛蚀刻后残余物、含铜蚀刻后残余物、含钨蚀刻后残余物及/或含钴蚀刻后残余物。
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公开(公告)号：CN115368982A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211084009.6
申请日：2015-06-02
申请人： 恩特格里斯公司
摘要： 本申请涉及一种具有金属、电介质及氮化物兼容性的抗反射涂层清洗及蚀刻后残留物去除组成物。特别的，本申请提供了一种从其上具有抗反射涂层ARC材料及/或蚀刻后残留物的衬底去除所述ARC材料及/或蚀刻后残留物的液体去除组成物及方法。所述组成物在集成电路的制造中实现ARC材料及/或蚀刻后残留物的至少部分去除同时对所述衬底上的金属物质(例如铝、铜及钴合金)有最小蚀刻，且不会损坏半导体架构中所采用的低k电介质及含氮化物材料。
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公开(公告)号：CN107155367B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201580043304.9
申请日：2015-06-24
申请人： 恩特格里斯公司
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本发明揭示用于从上面具有等离子蚀刻后残余物的微电子装置清除所述残余物的清洁组合物及工艺。所述组合物实现所述残余物材料从所述微电子装置的高度有效清除，同时又不损坏也存在于所述微电子装置上的层间电介质、金属互连材料及/或帽盖层，所述残余物材料包括含钛蚀刻后残余物、含铜蚀刻后残余物、含钨蚀刻后残余物及/或含钴蚀刻后残余物。
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