公开(公告)号：CN104145324B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201280064443.6

申请日：2012-12-27

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： 杰弗里·A·巴尼斯 ,  埃马纽尔·I·库珀 ,  陈丽敏 ,  斯蒂芬·里皮 ,  里卡·拉贾拉姆 ,  涂胜宏

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： C09K13/10 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08 ,  C11D7/3209 ,  C11D11/0047 ,  C23F1/02 ,  C23F1/30 ,  C23F1/40 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134

摘要： 本发明公开了用于相对于金属导电材料如钨和绝缘材料选择性地将氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料从在其上具有所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件除去的组合物。所述去除组合物包含至少一种氧化剂和一种蚀刻剂，可以包含各种腐蚀抑制剂以确保选择性。

公开(公告)号：CN113817471A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202111106203.5

申请日：2018-09-06

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： E·库珀 ,  S·比洛迪奥 ,  戴雯华 ,  杨闵杰 ,  涂胜宏 ,  吴幸臻 ,  金西恩 ,  洪性辰

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

摘要： 本申请涉及用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法；所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分；使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速率、适用或改进的氮化硅选择性、这些功能的组合以及任选地在蚀刻之后存在于衬底表面处的颗粒的减少。

公开(公告)号：CN111108176A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201880058122.2

申请日：2018-09-06

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： E·库珀 ,  S·比洛迪奥 ,  戴雯华 ,  杨闵杰 ,  涂胜宏 ,  吴幸臻 ,  金西恩 ,  洪性辰

IPC分类号： C09K13/08 ,  C09K13/06

摘要： 本发明描述适用于湿式蚀刻包含氮化硅的微电子装置衬底的组合物及方法；所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分；使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速率、适用或改进的氮化硅选择性、这些功能的组合以及任选地在蚀刻之后存在于衬底表面处的颗粒的减少。

公开(公告)号：CN105102584B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201480020454.3

申请日：2014-03-04

申请人： 恩特格里斯公司 ,  恩特格里斯亚洲公司

发明人： 陈丽敏 ,  埃马纽尔·I·库珀 ,  斯蒂芬·里皮 ,  宋凌雁 ,  许家荣 ,  涂胜宏 ,  王界入

IPC分类号： C09K13/00 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  G03F7/42

摘要： 本发明提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钨和铜以及绝缘材料而言选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的半水性组合物。所述半水性组合物含有至少一种氧化剂、至少一种蚀刻剂和至少一种有机溶剂，可含有各种腐蚀抑制剂以确保选择性。

公开(公告)号：CN105492576B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201480047887.8

申请日：2014-08-28

申请人： 恩特格里斯公司 ,  恩特格里斯亚洲公司

发明人： 埃马纽尔·I·库珀 ,  陈丽敏 ,  斯蒂芬·里皮 ,  许家荣 ,  涂胜宏 ,  王界入

IPC分类号： C09K13/00 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供了可用于从其上具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物材料的微电子器件上相对于绝缘材料而选择性除去所述氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残留物材料的组合物。所述清除组合物含有至少一种氧化剂、一种蚀刻剂和一种活化剂以提高氮化钛的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN111108176B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201880058122.2

申请日：2018-09-06

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： E·库珀 ,  S·比洛迪奥 ,  戴雯华 ,  杨闵杰 ,  涂胜宏 ,  吴幸臻 ,  金西恩 ,  洪性辰

IPC分类号： C09K13/08 ,  C09K13/06

摘要： 本发明描述适用于湿式蚀刻包含氮化硅的微电子装置衬底的组合物及方法；所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分；使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速率、适用或改进的氮化硅选择性、这些功能的组合以及任选地在蚀刻之后存在于衬底表面处的颗粒的减少。

公开(公告)号：CN104488068B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201380020219.1

申请日：2013-03-12

申请人： 恩特格里斯公司 ,  恩特格里斯亚洲公司

发明人： 吴幸臻 ,  涂胜宏

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/311

摘要： 本发明涉及用于从上面具有旋涂玻璃和金属栅极和/或ILD材料的微电子器件上相对于所述金属栅极和/或ILD材料来选择性去除所述旋涂玻璃的半水性去除组合物和工艺。所述半水性去除组合物可以是含氟组合物或碱性组合物。

公开(公告)号：CN113817471B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202111106203.5

申请日：2018-09-06

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： E·库珀 ,  S·比洛迪奥 ,  戴雯华 ,  杨闵杰 ,  涂胜宏 ,  吴幸臻 ,  金西恩 ,  洪性辰

IPC分类号： C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

摘要： 本申请涉及用于蚀刻含氮化硅衬底的组合物及方法；所述组合物包含磷酸、六氟硅酸及氨基烷氧基硅烷及任选地一或多种额外任选的成分；使用如所描述的组合物进行的包含氮化硅及氧化硅的衬底的湿式蚀刻方法可实现适用或改进的氮化硅蚀刻速率、适用或改进的氮化硅选择性、这些功能的组合以及任选地在蚀刻之后存在于衬底表面处的颗粒的减少。

公开(公告)号：CN110177903A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201880006796.8

申请日：2018-01-17

申请人： 恩特格里斯公司

发明人： E·I·库珀 ,  M·佩恩 ,  金万涞 ,  E·洪 ,  涂胜宏 ,  王界入 ,  许家荣

IPC分类号： C23G1/24 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  C11D11/00 ,  G03F7/42 ,  C23G1/18 ,  C23G1/26 ,  C09K13/08

摘要： 本发明涉及一种在使用含铝蚀刻停止层的半导体的生产中帮助去除蚀刻后残留物及含铝材料、例如氧化铝的清洁组合物。所述组合物相对于低k介电材料、含钴材料和微电子装置上的其它金属对蚀刻后残留物和含铝材料具有高选择性。