公开(公告)号：CN101645578A

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200910164136.5

申请日：2009-08-06

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 福田和久 ,  笹冈千秋 ,  多田健太郎 ,  五十岚俊昭 ,  宫坂文人 ,  小松启郎

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01S5/028

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0283 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： 提供一种半导体激光器，可抑制高输出长时间驱动时共振器端面的端面保护膜的膜剥离，并且COD耐性强，输出高且寿命长。上述半导体激光器，从活性层(5)的端面射出激光，具有保护膜(20)，其设置在射出激光的端面上，并且由单层或多层的电介质膜构成。保护膜(20)中的氢浓度分布大致均匀。活性层(5)由包含Ga作为构成元素的III族氮化物半导体构成。保护膜(20)由至少与活性层(5)的端面直接接触的第一保护膜(21)和与第一保护膜(21)接触的第二保护膜(22)构成。第一保护膜(21)的氢浓度与第二保护膜(22)的氢浓度之比为0.5以上且2以下。

公开(公告)号：CN101752787A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910225790.2

申请日：2009-12-07

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 五十岚俊昭

IPC分类号： H01S5/06

CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1078 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/18

摘要： 本发明涉及激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管具有在沿着光波导的区域中设置的多个结构，所述多个结构中的每个结构具有散射、吸收或反射杂散光的功能，其中，在通过在所述光波导的纵向方向上将沿着所述光波导的区域等分成三个或更多的部分所获得的每个分割区域中，形成所述结构中的至少一个。