-
公开(公告)号：CN110335871B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201910504742.0
申请日：2019-06-11
申请人： 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和金属层后，在所述金属层上形成光刻掩膜，所述光刻掩膜在掩膜板的半曝光区的厚度范围为蚀刻所述光刻掩膜覆盖范围外的所述金属层、所述欧姆接触层和所述有源层；利用灰化反应物对所述光刻掩膜进行预设时间的灰化处理，其中，所述灰化反应物包括氧气，所述预设时间的取值范围为70秒‑100秒；以及基于灰化处理后的光刻掩膜，依次蚀刻所述金属层、所述欧姆接触层和所述有源层，形成阵列基板的沟道区。本发明还公开了一种阵列基板以及显示面板。本发明提高了阵列基板的稳定性。
-
公开(公告)号：CN110335871A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910504742.0
申请日：2019-06-11
申请人： 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和金属层后，在所述金属层上形成光刻掩膜，所述光刻掩膜在掩膜板的半曝光区的厚度范围为 蚀刻所述光刻掩膜覆盖范围外的所述金属层、所述欧姆接触层和所述有源层；利用灰化反应物对所述光刻掩膜进行预设时间的灰化处理，其中，所述灰化反应物包括氧气，所述预设时间的取值范围为70秒-100秒；以及基于灰化处理后的光刻掩膜，依次蚀刻所述金属层、所述欧姆接触层和所述有源层，形成阵列基板的沟道区。本发明还公开了一种阵列基板以及显示面板。本发明提高了阵列基板的稳定性。
-
公开(公告)号：CN109950255B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910197099.1
申请日：2019-03-15
申请人： 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1335 , G02F1/1362
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板。阵列基板包括衬底、主动开关和透明电极层，所述主动开关包括第一金属层，设置在所述第一金属层上的附着层，设置在所述附着层上的第一绝缘层，贯穿所述第一绝缘层并暴露出所述第一金属层的过孔；其中，所述透明电极层通过过孔与所述第一金属层连接；所述附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力；这样第一绝缘层沉积时容易附着在第一金属层上，由于附着力较好，第一绝缘层的蚀刻速度会比较慢，进而改善钻蚀现象。
-
公开(公告)号：CN109738060B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201811547234.2
申请日：2018-12-18
申请人： 惠科股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种检测环境因素的传感装置及其使用方法，所述传感装置检测环境因素并根据环境因素产生电流，所述环境因素包括可见光、待测光、其他光和环境温度；所述传感装置包括：检测并根据包括待测光在内的环境因素生成第一电流的第一传感器；检测并根据排除待测光在内的环境因素生成第二电流的第二传感器；根据第一电流和第二电流，计算得到反映待测光强度的待测光电流的读取电路。排除掉其他因素的干扰，测定到待测光的准确的光照强度。
-
公开(公告)号：CN109786418B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201811606193.X
申请日：2018-12-26
申请人： 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L27/15 , H01L27/146
摘要： 本发明公开一种微发光二极管显示面板和显示装置，其中，微发光二极管显示面板包括：上基板、下基板、上电极、下电极，第一微发光二极管、第二微发光二极管和第三微发光二极管以及图像传感器阵列，其中，上基板和下基板在第一方向上间隔设置；上电极设于上基板的靠近下基板的一侧，下电极设于下基板的靠近上基板的一侧；第一微发光二极管、第二微发光二极管、第三微发光二极管和图像传感器阵列均设于上电极和下电极之间，且第一微发光二极管、第二微发光二极管、第三微发光二极管和图像传感器阵列沿第二方向间隔排布。本发明提出的微发光二极管显示面板除了具备优异的显示性能外，还具有扫描功能。
-
公开(公告)号：CN109950254B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910196979.7
申请日：2019-03-15
申请人： 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1335 , G02F1/1362
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板，阵列基板的制造方法包括步骤：形成第一金属层；在第一金属层上通入氢气和氨气形成附着层；在附着层上形成第一绝缘层；对第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出第一金属层的过孔；以及在第一绝缘层上形成通过所述过孔与第一金属层连接的透明电极层；附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力。通过附着层增加第一绝缘层的吸附力，使得第一绝缘层的蚀刻速度会比较慢，进而改善钻蚀现象。
-
公开(公告)号：CN109935602A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910193986.1
申请日：2019-03-14
申请人： 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L27/144 , G02F1/1368 , G02F1/1362
摘要： 本发明公开了一种阵列基板、阵列基板的制程方法和显示装置，制程方法包括步骤：提供一基底，在基底上依次形成的栅极，绝缘层，第一半导体层和欧姆接触层；在欧姆接触层上方依次沉积第二金属层材料和第二半导体层材料；使用半色调掩膜形成第一光阻部，并形成第二光阻部；基于第一光阻部形成位于欧姆接触层上方的源极层和漏极层，同时基于第二光阻部形成光感半导体层以及位于光感半导体层和绝缘层之间的光感金属层；将第一光阻部和第二光阻部蚀刻清除，并在源极层和漏极层的上方依次形成钝化层和透明电极层；同时在光感半导体层的上方依次形成光感钝化层和光感透明电极层。本申请使得显示面板在不增加制程情况下，实现光感应功能。
-
公开(公告)号：CN109817575A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811586415.6
申请日：2018-12-24
申请人： 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1368
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在衬底基板上形成栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上依次沉积形成至少两层非晶硅层，分别为第一非晶硅层和第二非晶硅层，其中，所述第一非晶硅层的沉积速率小于所述第二非晶硅层的沉积速率；在所述第二非晶硅层上依次沉积形成掺杂型非晶硅层和金属层，并图形化所述非晶硅层、所述掺杂型非晶硅层和所述金属层，以形成阵列基板。本发明还公开了一种阵列基板以及阵列基板的制备装置。本发明通过制备具有至少两层非晶硅层的主动开关阵列基板，改善了主动开关容易出现图像残留的问题。
-
-
公开(公告)号：CN109616478A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811549547.1
申请日：2018-12-18
申请人： 惠科股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种显示面板和显示面板的制程方法，所述显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括多个主动开关；所述主动开关包括：基底；形成在所述基板上的栅极层；形成在所述栅极层和基底上，覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的有源层，所述有源层包括含有二维层状半导体材料的二维层状半导体层，所述有源层形成有沟道部；形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部一侧的源极层；形成在所述栅极绝缘层和有源层上，且位于所述沟道部另一侧的漏极层。本发明中，该有源层采用二维层状半导体层，而二维层状半导体层仅原子厚度，因而能够减少有源层的厚度，有利于缩小主动开关的尺寸。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
63 条记录 (耗时 0.058 秒)
