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公开(公告)号:CN108489645B
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN201810154228.4
申请日:2018-02-22
申请人: 意法半导体股份有限公司
摘要: 本公开涉及微机电可缩放直插型压阻力/压力传感器,其具有:半导体材料的传感器裸片,其具有在水平面内延伸的前表面和下表面,并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面;压阻元件,集成在传感器裸片的块体区域中,位于其前表面处;以及帽状裸片,其耦合在传感器裸片上方,覆盖压阻元件,帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面,底表面面向传感器裸片的前表面。转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间,被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽;压阻元件垂直对应于凹槽布置,并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布,这在水平面上起作用。
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公开(公告)号:CN108793055A
公开(公告)日:2018-11-13
申请号:CN201810253119.8
申请日:2018-03-26
申请人: 意法半导体股份有限公司
CPC分类号: B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , B81B2207/07 , B81B2207/093 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , G01L9/0042 , H01L41/1132 , B81B3/0027 , B81C1/00015
摘要: 本公开涉及基于沟槽的微机电换能器及制造该微机电换能器的方法。例如,一种微机电换能器包括:半导体本体,具有彼此相对的第一表面和第二表面;第一结构本体,耦合至半导体本体的第一表面;第一密封腔,位于半导体本体和第一结构本体之间;以及活跃区域,容纳在第一密封腔中,包括至少两个沟槽以及沟槽之间的传感器元件。沟槽沿着从半导体本体的第一表面朝向第二表面的垂直方向延伸。
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公开(公告)号:CN108793055B
公开(公告)日:2023-12-01
申请号:CN201810253119.8
申请日:2018-03-26
申请人: 意法半导体股份有限公司
摘要: 本公开涉及基于沟槽的微机电换能器及制造该微机电换能器的方法。例如,一种微机电换能器包括:半导体本体,具有彼此相对的第一表面和第二表面;第一结构本体,耦合至半导体本体的第一表面;第一密封腔,位于半导体本体和第一结构本体之间;以及活跃区域,容纳在第一密封腔中,包括至少两个沟槽以及沟槽之间的传感器元件。沟槽沿着从半导体本体的第一表面朝向第二表面的垂直方向延伸。
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公开(公告)号:CN108489645A
公开(公告)日:2018-09-04
申请号:CN201810154228.4
申请日:2018-02-22
申请人: 意法半导体股份有限公司
CPC分类号: G01L1/18 , B81B7/0029 , G01L1/26 , G01L9/0002 , G01L9/06 , G01L19/146 , H01C10/10 , H01C17/00
摘要: 本公开涉及微机电可缩放直插型压阻力/压力传感器,其具有:半导体材料的传感器裸片,其具有在水平面内延伸的前表面和下表面,并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面;压阻元件,集成在传感器裸片的块体区域中,位于其前表面处;以及帽状裸片,其耦合在传感器裸片上方,覆盖压阻元件,帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面,底表面面向传感器裸片的前表面。转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间,被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽;压阻元件垂直对应于凹槽布置,并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布,这在水平面上起作用。
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公开(公告)号:CN208672196U
公开(公告)日:2019-03-29
申请号:CN201820410454.X
申请日:2018-03-26
申请人: 意法半导体股份有限公司
IPC分类号: G01L1/22
摘要: 本公开涉及微机电换能器。例如,一种微机电换能器包括:半导体本体,具有彼此相对的第一表面和第二表面;第一结构本体,耦合至半导体本体的第一表面;第一密封腔,位于半导体本体和第一结构本体之间;以及活跃区域,容纳在第一密封腔中,包括至少两个沟槽以及沟槽之间的传感器元件。沟槽沿着从半导体本体的第一表面朝向第二表面的垂直方向延伸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN208150964U
公开(公告)日:2018-11-27
申请号:CN201820262313.8
申请日:2018-02-22
申请人: 意法半导体股份有限公司
IPC分类号: B81B7/02
摘要: 本公开涉及微机电传感器和MEMS装置,其具有:半导体材料的传感器裸片,其具有在水平面内延伸的前表面和下表面,并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面;压阻元件,集成在传感器裸片的块体区域中,位于其前表面处;以及帽状裸片,其耦合在传感器裸片上方,覆盖压阻元件,帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面,底表面面向传感器裸片的前表面。转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间,被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽;压阻元件垂直对应于凹槽布置,并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布,这在水平面上起作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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