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公开(公告)号：CN104340949B
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201410370739.1
申请日：2014-07-29
申请人： 意法半导体股份有限公司
发明人： F·G·齐格里欧里
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/0154 , H01L23/3142 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2924/181 , H04R19/005 , H01L2924/00012
摘要： 为了制造封装器件，将具有感测区域的裸片键合到支撑物，并在所述支撑物上模制可模制材料的封装块使得围绕所述裸片。在封装块的模制期间形成腔室，该腔室面对感测区域并连接到外部环境。为此，在感测区域上滴涂可以蒸发/升华的材料的牺牲块；在牺牲块上模制封装块；在封装块中形成通孔以延伸至牺牲块；牺牲块通过该孔蒸发/升华。
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公开(公告)号：CN104769711B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201380057472.4
申请日：2013-10-30
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L29/43 , B81B2207/093 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/768 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L29/84 , H01L2224/02166 , H01L2224/03019 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/10126 , H01L2224/11019 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/1183 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13138 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13163 , H01L2224/13565 , H01L2224/13687 , H01L2224/13688 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/01034 , H01L2924/0109 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 一种导电互连(340、440、540、640)包括导电支承层(330、430、530、630)，在该导电支承层(330、430、530、630)上的导电材料(320、520、620)，以及部分地包围该导电材料(320、520、620)的无机套环(350、450、550、650)。无机套环(350、450、550、650)也被布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。一种制造导电互连(340、440、540、640)的方法包括在籽晶层(304、504)上制造导电材料(320、520、620)，形成有机套环(310、510)以部分地包围该导电材料(320、520、620)，蚀刻导电籽晶层(304、504)以形成导电支承层(330、430、530、630)，以及进行加热以将有机套环(310、510)转变为无机套环(350、450、550、650)，该无机套环(350、450、550、650)部分地包围导电材料(320、520、620)并布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。有机套环(310、510)可通过在导电材料(320、520、620)上沉积光敏旋涂电介质材料并图案化该光敏旋涂电介质材料来形成。导电材料(620)可以是单个导电材料(320)或者可包括由势垒层分隔的第一导电层(332)和第二导电层(324)的堆叠，在这种情况下加热步骤还导致导电材料堆叠中的第二导电层(324)的回流。
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公开(公告)号：CN104249990B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410314175.X
申请日：2014-06-30
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC分类号： B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了包含流体路径的MEMS器件及其制造工艺。一种MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。
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公开(公告)号：CN108017037A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710401428.0
申请日：2017-05-31
申请人： 意法半导体股份有限公司
发明人： E·杜奇 , M·阿兹佩蒂亚尤尔奎亚 , L·巴尔多
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00158 , B81C1/00269 , H04R19/005 , H04R19/04
摘要： 本申请涉及换能器模块、包括该模块的装置及制造该模块的方法。制造换能器模块的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一MEMS换能器、具体是陀螺仪以及具有悬置薄膜的第二MEMS换能器、具体是加速度计；在所述衬底上形成导电层并且将所述导电层限定为同时提供电气地耦合到所述第一换能器的至少一个导电带以及所述第二MEMS换能器的所述薄膜。
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公开(公告)号：CN103663351B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201310444539.1
申请日：2013-09-23
申请人： 意法半导体股份有限公司
发明人： F·G·齐廖利
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B7/007 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/73265 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014
摘要： 一种用于MEMS集成器件的晶片级封装，构思：第一本体，集成微机械结构；第二本体，具有集成电子电路的有源区域，耦合到微机械结构；以及第三本体，限定用于第一本体的覆盖结构。第二本体限定封装的基部部分并且具有第一本体耦合到的内表面以及外表面，在外表面上提供朝着电子电路的电接触；路由层具有设置成与第二本体的外表面接触的内表面和朝着在外部环境承载电接触元件的外表面。第三本体限定用于覆盖封装的覆盖部分并且直接耦合到第二本体用于闭合用于第一本体的容纳空间。
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公开(公告)号：CN103569948B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310319903.1
申请日：2013-07-26
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
发明人： R·K·科特兰卡 , R·库马尔 , P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱 , H·林 , P·耶勒汉卡
CPC分类号： B81B7/0006 , B81C1/00269 , B81C3/001 , B81C2201/0115 , H01L21/50 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种使用多孔化表面用于制作堆栈结构的接合方法，其中，揭露有具有至少一多孔化表面的接合装置。多孔化工艺将纳米多孔性孔洞带进装置接合表面的微结构。多孔化材料的材料特性比非多孔化材料软。对于相同的接合条件，与非多孔化材料相比较，多孔化接合表面的使用得强化接合接口的接合强度。
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公开(公告)号：CN106477512A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611047735.5
申请日：2016-11-23
申请人： 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , B81B7/02 , B81B2201/02 , B81C1/00261 , B81C1/00269 , B81C1/00325 , H01L23/3107
摘要： 本发明提供了一种压力传感器及其封装方法，所述压力传感器包括层叠设置的基板与压力传感器芯片，所述压力传感器芯片包括衬底、形成于所述衬底背离基板一侧的腔体以及与所述腔体配合设置的敏感膜，所述腔体呈扁平状，所述衬底上设有的第一焊盘；所述基板设有电连接至第一焊盘的第二焊盘；所述压力传感器还包括沿所述敏感膜的外周设置的第一围坝、设置于基板上且不超出所述第一围坝的硬质密封层、以及位于所述敏感膜上方并与所述第一围坝相抵接的承压部件，其中，第一焊盘位于第一围坝的外侧。采用本发明压力传感器及其封装方法，避免敏感膜直接承受外界应力，降低破损几率，同时通过硬质密封层实现更好的防护，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN103964365B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310162964.1
申请日：2013-05-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00825 , B81B2207/03 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/054 , H01L21/50 , H01L22/32 , H01L23/10 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29124 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/32268 , H01L2224/83123 , H01L2224/83127 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/83204 , H01L2224/83805 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/00 , H01L2224/83
摘要： 公开了用于密封环结构的方法和装置。可以在第一晶圆和/或第二晶圆上形成晶圆密封环。在第一晶圆和/或第二晶圆中的一个或两个上可以形成有一个或多个管芯。晶圆密封环可以围绕对应的晶圆的管芯形成。一个或多个管芯密封环可以围绕一个或多个管芯形成。晶圆密封环可以形成为高度可以约等于在第一晶圆和/或第二晶圆上形成的一个或多个管芯密封环的高度。可以形成晶圆密封环以实现共晶或者熔融接合工艺。可以将第一晶圆和第二晶圆接合在一起以在第一晶圆和第二晶圆之间形成密封环结构。密封环结构可以在第一晶圆和第二晶圆之间提供密封。
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公开(公告)号：CN103377956B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310129982.X
申请日：2013-04-15
申请人： 亚太优势微系统股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49866 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0347 , H01L2224/03614 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16507 , H01L2224/2745 , H01L2224/27462 , H01L2224/2747 , H01L2224/27614 , H01L2224/29011 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/32146 , H01L2224/32148 , H01L2224/32235 , H01L2224/32238 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48148 , H01L2224/48228 , H01L2224/48463 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/81011 , H01L2224/81013 , H01L2224/81022 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81825 , H01L2224/81948 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83022 , H01L2224/83121 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/83948 , H01L2224/9202 , H01L2224/92147 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16235 , H01L2924/351 , H01L2924/00015 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明提供一种基材的接合方法，包含：首先提供一第一基材和一第二基材，其中一第一银层覆盖第一基材之表面，一第二银层覆盖第二基材之表面以及一金属层覆盖第二银层，其中金属层包含一第一锡层，接着进行一接合制程，将第一基材与第二基材对准，使得金属层和第一银层接触，并且施加负载并加热至一预定温度以生成Ag3Sn金属间化合物，最后降温并移除负载，完成接合制程。本发明的有益效果是改良接合晶圆之质量，使技术能实际应用于产品量产之上。
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公开(公告)号：CN106185786A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610084450.2
申请日：2016-02-14
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00238 , B81B7/0006 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2924/16235 , H01L2924/00014 , B81B7/02 , B81B7/0032
摘要： 描述了微机电系统(MEMS)封装件及其制造方法。在实施例中，制造MEMS封装件的方法可以包括：将具有在其上的盖结构的MEMS结构附接至器件晶圆以形成晶圆级MEMS封装件，器件晶圆包括形成在其中的多个第一器件；以及切割具有附着至其的MEMS结构的器件晶圆以形成多个芯片尺寸MEMS封装件。本发明实施例涉及MEMS封装件及其制造方法。
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