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公开(公告)号:CN110277986B
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN201910173172.1
申请日:2019-03-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03K19/0185 , H03K19/20 , G11C16/06 , G11C16/20
Abstract: 本公开涉及具有两域电平移位能力的电平移位器电路。例如,一种电平移位器电路,其被配置为移位在第一电压范围内切换的输入信号以相应地生成在高于第一电压范围的第二电压范围内切换的第一输出信号。该电平移位器电路包括锁存核心,其具有:锁存输入和输出端子;电源线,被配置为由电源电压供电;以及参考线,被配置为耦合至参考电压。电容耦合元件耦合至锁存核心的锁存输入和输出端子。驱动级被配置为利用基于输入信号生成的偏置信号来偏置电容耦合元件。去耦级被配置为通过电容耦合元件由驱动级驱动,以在输入信号的切换期间使电源线与电源电压去耦以及使参考线与参考电压去耦。
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公开(公告)号:CN110277986A
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201910173172.1
申请日:2019-03-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03K19/0185 , H03K19/20 , G11C16/06 , G11C16/20
Abstract: 本公开涉及具有两域电平移位能力的电平移位器电路。例如,一种电平移位器电路,其被配置为移位在第一电压范围内切换的输入信号以相应地生成在高于第一电压范围的第二电压范围内切换的第一输出信号。该电平移位器电路包括锁存核心,其具有:锁存输入和输出端子;电源线,被配置为由电源电压供电;以及参考线,被配置为耦合至参考电压。电容耦合元件耦合至锁存核心的锁存输入和输出端子。驱动级被配置为利用基于输入信号生成的偏置信号来偏置电容耦合元件。去耦级被配置为通过电容耦合元件由驱动级驱动,以在输入信号的切换期间使电源线与电源电压去耦以及使参考线与参考电压去耦。
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公开(公告)号:CN209488552U
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201920289758.X
申请日:2019-03-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: H03K19/0185 , H03K19/20 , G11C16/06 , G11C16/20
Abstract: 本公开涉及具有两域电平移位能力的电平移位器电路与存储设备。例如,一种电平移位器电路,其被配置为移位在第一电压范围内切换的输入信号以相应地生成在高于第一电压范围的第二电压范围内切换的第一输出信号。该电平移位器电路包括锁存核心,其具有:锁存输入和输出端子;电源线,被配置为由电源电压供电;以及参考线,被配置为耦合至参考电压。电容耦合元件耦合至锁存核心的锁存输入和输出端子。驱动级被配置为利用基于输入信号生成的偏置信号来偏置电容耦合元件。去耦级被配置为通过电容耦合元件由驱动级驱动,以在输入信号的切换期间使电源线与电源电压去耦以及使参考线与参考电压去耦。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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