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公开(公告)号：CN101615050B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN200910140925.5
申请日：2009-05-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G05F3/30
CPC classification number: G05F3/30
Abstract: 说明了一种用于特别为电源电压低于1V的应用生成温度补偿电压基准的电路，该类型的电路包括至少一个带隙电压发生器电路，该发生器电路被插入到第一和第二电压基准之间并包括运算放大器，该运算放大器具有连接到输入级的第一和第二输入端子，该输入级耦联到第一和第二输入端子，并且具有至少一对第一和第二双极晶体管，用于生成与温度成比例的第一电压分量。电路包括连接到带隙电压发生器电路的控制模块，向该第一控制节点供应偏置电压值，偏置电压值包括至少一个随着温度增加的电压分量，以用于补偿第一和第二双极晶体管的基极-发射极电压的变动并且确保运算放大器的一对输入晶体管的开启。电路具有适合于供应温度补偿电压值的输出端子。
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公开(公告)号：CN113918480A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110773213.8
申请日：2021-07-08
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明涉及用于磨损均衡的方法和设备。本公开的各实施例涉及一种操作非易失性存储器的方法，该方法包括具有第一组非易失性存储器单元和第二组非易失性存储器单元。第一组非易失性存储器单元和第二组非易失性存储器单元与主机地址相关联。确定用于擦除第一和第二组非易失性存储器单元的电压水平。第一和第二组非易失性存储器单元与主机地址解除关联。并且，第一组非易失性存储器单元基于有效擦除非易失性存储器单元的电压水平来与另一地址相关联。
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公开(公告)号：CN113921067A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110771737.3
申请日：2021-07-08
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 根据本公开的各实施例涉及用于擦除非易失性存储器的方法和设备。一种用于擦除非易失性存储器的方法包括：向非易失性存储器单元施加第一电压脉冲，以执行非易失性存储器单元的第一擦除操作，以及确定非易失性存储器单元的阈值电压大于测试电压。该方法还包括：利用值更新专用存储器位置；以及检查非易失性存储器单元，以确定非易失性存储器单元的阈值电压是否小于擦除验证电压，以验证第一擦除操作已经被成功执行。
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公开(公告)号：CN101615050A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910140925.5
申请日：2009-05-13
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G05F3/30
CPC classification number: G05F3/30
Abstract: 说明了一种用于特别为电源电压低于1V的应用生成温度补偿电压基准的电路，该类型的电路包括至少一个带隙电压发生器电路，该发生器电路被插入到第一和第二电压基准之间并包括运算放大器，该运算放大器具有连接到输入级的第一和第二输入端子，该输入级耦联到第一和第二输入端子，并且具有至少一对第一和第二双极晶体管，用于生成与温度成比例的第一电压分量。电路包括连接到带隙电压发生器电路的控制模块，向该第一控制节点供应偏置电压值，偏置电压值包括至少一个随着温度增加的电压分量，以用于补偿第一和第二双极晶体管的基极－发射极电压的变动并且确保运算放大器的一对输入晶体管的开启。电路具有适合于供应温度补偿电压值的输出端子。
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